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公开(公告)号：CN112331747A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011288517.7
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种全色Micro/Nano LED阵列直接外延方法和结构，包括：1)在衬底外延生长缓冲层、非故意掺杂层以及n型层；2)在n型层上沉积第一介质层，在第一介质层上制作第一组微米或纳米孔阵列，在制成的第一组微米或纳米孔阵列内外延生长第一发光单元；3)制作第二介质层，并在该第二介质层上制作第二组微米或纳米孔阵列，在制成的第二组微米或纳米孔阵列内外延生长第二发光单元；4)制作第三介质层，并在该第三介质层上制作第三组微米或纳米孔阵列，在制成的第三组微米或纳米孔阵列内外延生长第三发光单元；5)使用化学溶液，将介质层腐蚀清除，露出发光单元。本发明避免了巨量转移的难题，可直接外延生长全色Micro/Nano LED阵列，具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN110165028B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910532879.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明的基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法，在MIS结构的紫外LED中引入银金属纳米颗粒以形成局域表面等离激元；所述MIS结构LED采用石墨烯膜作为导电层以增强电流扩展性，提高器件紫外光出射率；所述金属纳米颗粒设置于石墨烯层之上，利用局域表面等离激元增强效应，使出射光子与金属纳米颗粒之间发生共振耦合，从而提高器件的内量子效率，增强其发光强度。本发明提供的一种基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED，结构简单，制备简便，易于生产。
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公开(公告)号：CN110880522A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910972267.X
申请日：2019-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于极性面和非极性面生长的微型LED集成全色显示芯片及其制备方法，其器件结构包括：衬底，图形化的n型氮化镓层，多量子阱有源层，p型氮化镓层，绝缘层，n型电极和p型电极，红光波长转换材料。在图形化的n型氮化镓层的极性面和非极性面上同时外延多量子阱有源层，分别获得绿光和蓝光微型LED发光单元。每个像素单元包含一个绿光微型LED发光单元和两个蓝光微型LED发光单元，通过使用红光波长转换材料将其中一个蓝光微型LED发光单元转换为红光微型LED发光单元，从而在同一晶圆上得到红绿蓝RGB模块，集成RGB像素单元，并将该结构倒装结合至集成电路控制板，实现全色显示。
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公开(公告)号：CN108445570B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201810229079.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；所述金属纳米阵列嵌入式法布里‑珀罗复合光学腔包括法布里‑珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布。本发明提出一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，解决了当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的问题。
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公开(公告)号：CN102569033B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210018656.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀，纳米点尺寸和密度可控，且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在，有利于制备电学/光电器件。同时，工艺条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569033A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210018656.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀，纳米点尺寸和密度可控，且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在，有利于制备电学/光电器件。同时，工艺条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN222126570U
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202420673678.5
申请日：2024-04-02
Abstract: 本实用新型提供一种Mi cro‑LED芯片。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本实用新型提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
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公开(公告)号：CN211719593U
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202020154261.X
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列，包括衬底、GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p型层；其阵列单元包括形成于n型GaN层的六边形微纳米孔，六边形微纳米孔的侧壁包括第一半极性面和第二半极性面，底面形成下极性面，InGaN/GaN多量子阱形成于第一半极性面、第二半极性面和下极性面上，p型层覆盖InGaN/GaN多量子阱。每个阵列单元包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本实用新型可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的三色LED阵列可覆盖Micro至Nano尺寸级别，制成超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208062085U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201820271210.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本实用新型提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN219226293U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223602793.3
申请日：2022-12-30
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型提供一种显示面板，包括：第一基板，第一基板的一侧表面具有导电层组，导电层组包括间隔设置的第一导电层和第二导电层；位于第一基板的一侧的绝缘层，绝缘层中具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一开口位于第一导电层的上方，第二开口位于第二导电层的上方；位于第一开口中的第一键合层，第一键合层位于第一导电层的上表面；位于第二开口中的第二键合层，第二键合层位于第二导电层的上表面；Micro‑LED芯片，Micro‑LED芯片包括：P型电极和N型电极；P型电极与第一键合层接触，N型电极与第二键合层接触。所述显示面板可以避免第一导电层与第二导电层之间发生短路。
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