公开(公告)号：CN105355594A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510622440.5

申请日：2010-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  陈硕懋 ,  郭晋玮 ,  刘莎莉

IPC: H01L21/8224 ,  H01L27/02 ,  H01L27/082 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/735

CPC classification number: H01L21/8224 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/735

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。

公开(公告)号：CN101582457B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200810212852.1

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈硕懋

IPC: H01L29/872 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/095 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种可消除漏电流并降低寄生电阻的半导体二极管。此半导体二极管包括一半导体基板，一半导体层设置于此半导体基板之上，其中此半导体层包括一第一杂质及一具有肖特基区的第一阱；以及一多晶硅元件设置于此半导体层上并邻接此具有肖特基区的第一阱。本发明另提供一种半导体二极管阵列，包括多个半导体二极管。通过本发明的半导体二极管可改善肖特基势垒界面，减少漏电流，并降低寄生电阻。

公开(公告)号：CN103187394A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210419270.7

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  侯上勇 ,  叶德强 ,  陈硕懋 ,  叶炅翰 ,  林仪柔

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/64 ,  H01L24/19 ,  H01L27/016 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19031 ,  H01L2924/19033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘，以及具有位于金属焊盘上方部分的钝化层。钝化后互连(PPI)线设置在钝化层上方并且电耦合至金属焊盘。凸块底部金属(UBM)设置在PPI线上方并且电耦合至PPI线。无源器件包括位于与UBM相同水平面处的部分。无源器件的部分由与UBM相同的材料形成。本发明还提供了具有无源器件的封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN100461413C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610136698.5

申请日：2006-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈硕懋 ,  赵治平 ,  张智胜

IPC: H01L27/082

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L29/735

Abstract: 提供一种具有提高电流增益的横向双极结型晶体管。该晶体管包含在基板上形成属于第一导通类型的阱区，至少一个发射极位于阱区内，属于与第一导通类型相反的第二导通类型，其中至少一个发射极中的每一个彼此连接；多个集电极，位于该阱区内，属于第二导通类型，其中多个集电极彼此连接；以及多个基极接点，位于阱区内，属于第一导通类型，其中基极彼此连接。最好让至少一个发射极的所有侧边与集电极邻接，基极接点中无一与发射极的侧边接触。邻近的发射极、集电极与基极接点由阱区中的间隔所隔开。

公开(公告)号：CN112466836B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202010784025.0

申请日：2020-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许峯诚 ,  郑心圃 ,  陈硕懋

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开的一些实施例提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一封装基板、一中介基板、一第一半导体装置、一第二半导体装置以及一保护层。中介基板设置在封装基板上方。第一半导体装置以及第二半导体装置设置在中介基板上方，其中第一半导体装置以及第二半导体装置是不同类型的电子装置。保护层形成在中介基板上方，以包围第一半导体装置以及第二半导体装置。第二半导体装置自保护层暴露，而第一半导体装置并未自保护层暴露。

公开(公告)号：CN112466863B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202010939843.3

申请日：2020-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许峯诚 ,  郑心圃 ,  陈硕懋

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H10D80/30

Abstract: 本公开的一些实施例提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一封装基板、在封装基板的上方的一半导体芯片、与半导体芯片整合在一起的至少一集成装置。集成装置被整合在半导体芯片的正下方，以利于信号传输。因此，改善了封装结构的信号整合以及电源整合。除此之外，集成装置并不需要占据在封装基板上方的装设空间，故可降低封装基板的尺寸以及封装结构的整体的尺寸。

公开(公告)号：CN113808961B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202110742657.5

申请日：2021-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  林柏尧 ,  陈硕懋 ,  林嘉祥

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H10B80/00

Abstract: 一种封装结构及其形成方法，包括形成导电结构于载体基板之中；形成重分布结构于载体基板之上，重分布结构具有含聚合物层及导电部件；接合芯片结构于重分布结构之上；形成保护层于重分布结构之上以包围芯片结构；以及形成导电连接器于载体基板的表面上，载体基板位于重分布结构及导电连接器之间。

公开(公告)号：CN116631879A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310307699.5

申请日：2023-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  陈宪伟 ,  林孟良 ,  陈英儒 ,  陈硕懋

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，其包括中介层和接合到中介层的第一侧的第一管芯。第二管芯接合到中介层的第二侧。第二管芯包括衬底和贯穿衬底的贯通孔。该方法还包括通过多个第一焊料区域将第二封装组件接合到第一封装组件。第一封装组件还通过第二管芯中的贯通孔电连接到第二封装组件。第二管芯还通过多个第二焊料区域接合到第二封装组件。根据本申请的其他实施例，提供了封装件。

公开(公告)号：CN115565992A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210962122.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕孟昇 ,  陈硕懋 ,  赖柏颖 ,  蔡尚纶 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体装置，可包括封装基板与混合中介物。混合中介物可包括有机中介物材料层与非有机中介物材料层位于有机中介物材料层与封装基板之间。半导体装置可进一步包括集成装置位于混合中介物中。集成装置可位于有机中介材料层中。集成装置可位于非有机中介物材料层中。集成装置可位于有机中介物材料层与非有机中介物材料层中。

公开(公告)号：CN115547974A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211303249.0

申请日：2017-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  陈硕懋 ,  许峯诚

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 提供芯片封装结构的制造方法，此方法包含在载体基底上方形成第一介电层，第一介电层是连续的介电层且具有开口。此方法包含在第一介电层上方和在开口中形成第一布线层，第一介电层和第一布线层一起形成重分布结构，且重分布结构具有第一表面和第二表面。此方法包含在第一表面上方设置第一芯片和第一导电凸块，在第一表面上方形成第一模制层，以及移除载体基底。此方法还包含在第二表面上方设置第二芯片和第二导电凸块，以及在第二表面上方形成第二模制层。