公开(公告)号：CN118782548A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410747453.4

申请日：2024-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 ,  谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  叶德强

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 在实施例中，封装件包括：集成电路管芯，包括第一绝缘接合层和第一半导体衬底；以及中介层，包括第二绝缘接合层、第一密封环和第二半导体衬底。第二绝缘接合层以电介质对电介质接合而直接接合至第一绝缘接合层，并且其中集成电路管芯与第一密封环重叠。集成电路管芯的侧壁暴露在封装件的外侧壁处。本公开的实施例还涉及形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN118763055A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410771060.7

申请日：2024-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 ,  吴伟诚 ,  叶德强

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 一种封装器件，包括顶部管芯，该顶部管芯具有在晶体管层的第一表面上的顶部互连结构，和在晶体管层的第二表面上的底部互连结构。顶部互连结构或者底部互连结构中的一个直接接合至底部管芯上。底部互连结构包括直接接触晶体管接触件的电源轨，晶体管接触件直接接触晶体管层中的晶体管结构。本申请实施例还公开一种形成封装件器件的方法。

公开(公告)号：CN109727951B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201810026326.X

申请日：2018-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  蔡柏豪 ,  叶名世 ,  刘大伟

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括第一封装、第二封装及多个焊料接头。所述第一封装包括：至少一个第一半导体管芯，包封在绝缘包封体中；以及多个绝缘体穿孔，电连接到所述至少一个第一半导体管芯。所述第二封装包括：至少一个第二半导体管芯；以及多个导电接垫，电连接到所述至少一个第二半导体管芯。所述多个焊料接头位于所述第一封装与所述第二封装之间。所述多个绝缘体穿孔包封在所述绝缘包封体中。所述第一封装与所述第二封装通过所述多个焊料接头进行电连接。沿水平方向测量的所述多个焊料接头的最大尺寸大于沿水平方向测量的所述多个绝缘体穿孔的最大尺寸，且大于或实质上等于沿所述水平方向测量的所述多个导电接垫的最大尺寸。

公开(公告)号：CN116741730A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310415915.8

申请日：2023-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  史朝文 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  萧闵谦 ,  郭峻江 ,  林宗澍

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107437545B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201610951558.7

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  苏安治 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  陈宪伟

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体器件结构的制造方法包括在第一器件与第二器件之间形成结合体或接点。第一器件包括集成无源器件及设置在其上的第一接触垫。第二器件包括第二接触垫。第一接触垫具有带有第一横向范围的第一表面。第二接触垫具有带有第二横向范围的第二表面。第二横向范围的宽度小于第一横向范围的宽度。接点结构包括第一接触垫、第二接触垫以及夹置于第一接触垫与第二接触垫之间的焊料层。焊料层具有锥形侧壁，且锥形侧壁在从第一接触垫的第一表面远离而朝向第二接触垫的第二表面的方向上延伸。第一表面或第二表面中的至少一者实质上是平坦的。

公开(公告)号：CN111613612B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202010404784.X

申请日：2014-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈英儒 ,  邱铭彦 ,  叶德强

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的实施例包括半导体封装件及其形成方法。实施例是一种半导体封装件，其包括含有一个或多个管芯的第一封装件和通过第一组连接件接合至第一封装件的第一面的封装衬底。该半导体封装件还包括安装至第一封装件的第一面的表面贴装器件，该表面贴装器件基本由一个或多个无源器件构成。

公开(公告)号：CN113314506A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110226977.5

申请日：2021-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  叶名世

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供用于半导体器件的再分布结构及其形成方法。该半导体器件包括被密封剂密封的管芯，该管芯包括焊盘，以及电连接到该焊盘的连接件。该半导体器件还包括与连接件物理接触的第一通孔。该第一通孔在第一方向上与连接件横向偏移第一非零距离。该第一通孔具有锥形侧壁。

公开(公告)号：CN108630676B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201711290793.5

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强 ,  普翰屏

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L21/98

Abstract: 实施例是封装件，包括第一封装结构。第一封装结构包括：具有有源侧和背侧的第一集成电路管芯，有源侧包括管芯连接件，邻近第一集成电路管芯的第一通孔，横向密封第一集成电路管芯和第一通孔的密封剂，位于第一集成电路管芯的管芯连接件和第一通孔上并且电连接至第一集成电路管芯的管芯连接件和第一通孔的第一再分布结构，和位于第一集成电路管芯的背侧上的热元件。该封装件还包括：通过第一组导电连接件接合至第一通孔和热元件的第二封装结构。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107808870B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201710534227.8

申请日：2017-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107871718B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201710367857.0

申请日：2017-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴集锡 ,  叶德强 ,  陈宪伟 ,  陈洁

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 一个实施例是一种方法，该方法包括在第一晶圆中形成第一无源器件，在第一晶圆的第一侧上方形成第一介电层，在第一介电层中形成多个第一接合焊盘，平坦化第一介电层和多个第一接合焊盘以使第一介电层和多个第一接合焊盘的顶面彼此齐平，将第一器件管芯混合接合至第一介电层和多个第一接合焊盘中的至少一些，并且将第一器件管芯密封在第一密封剂中。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。