公开(公告)号：CN108122879A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710974099.9

申请日：2017-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  方子睿 ,  郑锡圭 ,  韩至刚 ,  赖怡仁 ,  刘献文 ,  林仪柔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。

公开(公告)号：CN103187394A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210419270.7

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  侯上勇 ,  叶德强 ,  陈硕懋 ,  叶炅翰 ,  林仪柔

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/64 ,  H01L24/19 ,  H01L27/016 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19031 ,  H01L2924/19033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘，以及具有位于金属焊盘上方部分的钝化层。钝化后互连(PPI)线设置在钝化层上方并且电耦合至金属焊盘。凸块底部金属(UBM)设置在PPI线上方并且电耦合至PPI线。无源器件包括位于与UBM相同水平面处的部分。无源器件的部分由与UBM相同的材料形成。本发明还提供了具有无源器件的封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN108122879B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710974099.9

申请日：2017-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  方子睿 ,  郑锡圭 ,  韩至刚 ,  赖怡仁 ,  刘献文 ,  林仪柔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。

公开(公告)号：CN107665852B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201710519676.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  刘献文 ,  林仪柔

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种方法包括在辐射可脱粘涂层上方形成介电层。辐射可脱粘涂层位于载体上方，并且辐射可脱粘涂层包括在其中的金属颗粒。在介电层上方形成金属柱。器件管芯附接至介电层。在包封材料中包封器件管芯和金属柱。多个再分布线形成在包封材料的第一侧上并且电连接至器件管芯和金属柱。通过对辐射可脱粘涂层上投射辐射源以分解辐射可脱粘涂层从而脱粘载体。在包封材料的第二侧上形成电连接件。电连接件电连接至金属柱。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109427730A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810545563.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  刘献文 ,  洪士庭 ,  林仪柔 ,  方子睿 ,  庄博尧

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 一种集成扇出型封装包括第一重布线结构、管芯、包封体、多个导电结构及第二重布线结构。所述第一重布线结构具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述管芯设置在所述第一重布线结构的所述第一表面上且与所述第一重布线结构电连接。所述包封体包封所述管芯。所述导电结构设置在所述第一重布线结构的所述第一表面上且穿透所述包封体。所述导电结构环绕所述管芯。所述第二重布线结构设置在所述包封体上且通过所述导电结构与所述第一重布线结构电连接。所述第二重布线结构包括实体接触所述包封体的至少一个导电图案层。

公开(公告)号：CN107665852A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710519676.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  刘献文 ,  林仪柔

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种方法包括在辐射可脱粘涂层上方形成介电层。辐射可脱粘涂层位于载体上方，并且辐射可脱粘涂层包括在其中的金属颗粒。在介电层上方形成金属柱。器件管芯附接至介电层。在包封材料中包封器件管芯和金属柱。多个再分布线形成在包封材料的第一侧上并且电连接至器件管芯和金属柱。通过对辐射可脱粘涂层上投射辐射源以分解辐射可脱粘涂层从而脱粘载体。在包封材料的第二侧上形成电连接件。电连接件电连接至金属柱。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103187394B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210419270.7

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  侯上勇 ,  叶德强 ,  陈硕懋 ,  叶炅翰 ,  林仪柔

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/64 ,  H01L24/19 ,  H01L27/016 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19031 ,  H01L2924/19033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘，以及具有位于金属焊盘上方部分的钝化层。钝化后互连(PPI)线设置在钝化层上方并且电耦合至金属焊盘。凸块底部金属(UBM)设置在PPI线上方并且电耦合至PPI线。无源器件包括位于与UBM相同水平面处的部分。无源器件的部分由与UBM相同的材料形成。本发明还提供了具有无源器件的封装件及其形成方法。