电池组的控制装置
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103138017A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201210507820.0

    申请日:2012-11-30

    Abstract: 本发明涉及电池组的控制装置,能够检测在休止期间中发生的微短路。具备包含多个单电池(C1~CN)的电池组(100),具备:调整单元,将多个单电池的电压或充电状态调整为规定的目标值;计算单元,计算将多个单电池的电压或充电状态调整为目标值为止实际需要的调整时间、实际进行调整的每个单位时间的调整次数、实际进行调整的调整容量;存储单元,其存储由计算单元计算得到的计算值;判断单元,其利用上述计算值,根据按照时间序列排列的计算值的斜率和实测值的变化量,判断因电池组内的微短路造成的异常。在休止期间前后的斜率的差在规定的范围内且休止期间前后的变化量比表示微短路的阈值大的情况下,判断为由于电池组内的微短路而发生了电池组的异常。

    半导体装置
    68.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100561739C

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200610080989.7

    申请日:2006-05-26

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,该半导体装置包括:第一导电型的第一半导体基体;第一切换机构,其设置在第一半导体基体上,被布置和构造成切换流过半导体装置的电流的接通/断开;以及第一反向阻断异质结二极管,其设置在半导体基体上,被布置和构造成阻断与由第一切换机构切换而接通/断开的电流反向的电流。

    半导体装置及其制造方法
    69.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100502002C

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN200710097689.4

    申请日:2007-04-28

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。为了防止场效应晶体管的电击穿而隔着场氧化膜形成在N-型漏极区域上的静电放电保护元件和保护电阻器,分别构成为一个或多个第一层的N+型多晶硅区域和第二层的P+型多晶硅区域的堆叠型双向齐纳二极管、以及一个或多个第一层的N+型电阻器层和第二层的N+型电阻器层的堆叠型电阻器。多个第一层的N+型多晶硅区域的一端连接到外部栅电极端子,而另一端连接到源电极。多个第一层的N+型电阻器层的一端连接到栅电极,而另一端连接到外部栅电极端子。通过使用形成异质半导体区域和栅电极的半导体膜,分别形成第一层和第二层的半导体区域。

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