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公开(公告)号：CN101218681A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024512.5
申请日：2006-06-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/772 , H01L29/24
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/772 , H01L29/7828
Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1)半导体衬底(1，2)；2)异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3)栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4)源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5)漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i)形成栅极绝缘膜(6)；ii)氮化所述栅极绝缘膜(6)。
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公开(公告)号：CN101207123A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710160614.6
申请日：2007-12-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/32139 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明公开了一种具有优良长期可靠性的半导体器件，其缓和布置在最外部处的开关结构中的电流集中。该半导体器件包括最外部开关结构和重复部分开关结构，该最外部开关结构和重复部分开关结构具有：异质半导体区，由带隙宽度与漂移区的带隙宽度不同的多晶硅形成，并与漂移区邻接；栅极绝缘膜；栅电极，邻接到栅极绝缘膜；源电极，连接到异质半导体区的源极接触部分；以及连接到衬底区的漏电极。在导通状态下，最外部开关结构包括以下机制：在最外部开关结构处流动的电流变得小于在重复部分开关结构处流动的电流。
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公开(公告)号：CN101055894A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710090575.7
申请日：2007-04-11
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7808 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/6606 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7828 , H01L29/8083 , H01L29/861 , H01L29/8618 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是半导体装置的击穿电压。
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公开(公告)号：CN1841682A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066559.X
申请日：2006-03-30
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7828
Abstract: 总的来说，本公开说明在反向偏压状态下表现出增大的电阻和减小的漏电流的半导体装置，还涉及用于制造该半导体装置的方法。例如，在一个实施例中，通过在形成于N－型外延层上的多晶硅层内引入P+或者P－型杂质来获得反向偏压状态下的增大电阻。另外，半导体装置维持正向偏压状态下的低电阻。为保持正向偏压电阻低，栅极附近的多晶硅层可以是N+型。此外，N+型源提取区形成在多晶硅层的表面，以将源极连接到漏极并维持正向偏压时的低电阻。
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公开(公告)号：CN112534569B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880096226.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 具备：具有彼此相对的第一主面(11)和第二主面(12)、在第一主面(11)形成有槽的导电性的半导体基板(10)；以及沿着槽的侧面的面法线方向层叠的、分别为第一导电层(2A)和第二导电层(2B)的多个导电层；分别配置在多个导电层中最接近槽的侧面的导电层与槽的侧面之间、以及多个导电层的相互之间的介电层(30)；配置在槽的外部、与第一导电层(2A)电连接的第一电极(41)；配置在槽的外部、与第二导电层(2B)电连接的第二电极(42)，第一导电层(2A)与半导体基板(10)电绝缘，在槽的内部与第二导电层(2B)电连接的半导体基板(10)和第二电极(42)电连接。
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公开(公告)号：CN112005349B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN111937123A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091847.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽(100)的基板(10)、具有在槽(100)的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域(20)、与漂移区域(20)连接而在槽(100)的一方的侧面配置的第二导电型的阱区(30)、与漂移区域(20)分离而在槽(100)的侧面配置在阱区(30)的表面的第一导电型的第一半导体区域(40)、在槽(100)的内部间隔着漂移区域(20)而与阱区(30)对置配置的第一导电型的第二半导体区域(50)、以及在跨越阱区(30)及第一半导体区域(40)各自的上表面而形成有开口部且在槽(100)的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区(30)对置的栅电极(60)。
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公开(公告)号：CN111699560A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201880088719.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN111279476A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201780096258.8
申请日：2017-10-27
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 一种半导体装置，具有直接或间接地配置在平面部件上、且构成相互以具有时间差进行导通、断开动作的上臂以及下臂的至少三个半导体元件，各半导体元件的上面电压施加区域(3)构成为比该半导体元件整体的俯视的面积窄，以使构成上臂的半导体元件(1a)与(1b)之间的最短距离(L1)比构成上臂的半导体元件(1a)与构成下臂的半导体元件(2a)之间的最短距离(L2)长的方式，配置各半导体元件。
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