方向性电磁钢板及方向性电磁钢板的制造方法

    公开(公告)号:CN110024058A

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201780073544.2

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 本发明提供去应变退火后的被膜密合性及磁特性优异的方向性电磁钢板及其制造方法。上述方向性电磁钢板具有:钢板;配置于上述钢板上的、含有金属元素的金属被膜;被膜层A,其为配置于上述金属被膜上的、氧化物含量小于30质量%的陶瓷被膜;和被膜层B,其为配置于上述被膜层A上的、含有氧化物的绝缘张力被膜,上述金属被膜的厚度为1.0~10.0nm,当将铁的原子半径设为RFe、将上述金属元素的原子半径设为RA时,上述金属元素为下式(1)所示的原子半径比为10%以上的元素。(|RFe-RA|/RFe)×100…(1)。

    取向性电磁钢板及其制造方法

    公开(公告)号:CN106414779B

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201580005288.4

    申请日:2015-01-08

    Abstract: 本发明涉及铁损特性优异的取向性电磁钢板、以及可以生产性良好地制造该取向性电磁钢板的制造方法,该制造方法包括:将钢板表面在钢板宽度方向分成多个区域,在各个区域设置激光辐照装置或电子束辐照装置,辐照射束而形成射束辐照区域,从而实施磁畴细化处理,此时,将上述射束辐照区域的接缝的TD间隔β设定为‑3~0mm的范围,并且以上述射束辐照区域的接缝的性状满足“0≤α≤0.3×a”和“‑1.2×a+0.02×w‑0.5×α‑6.5≤β≤‑0.13×a‑200×(1/w)+5.4”的方式辐照射束。上式中,α:射束辐照区域的接缝的RD间隔(mm)、β:射束辐照区域的接缝的TD间隔(mm)、a:射束线间隔(mm)、w:磁畴不连续部平均宽度(μm)。

    金属薄带制造装置
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107921528A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680045837.5

    申请日:2016-07-20

    CPC classification number: B22D11/0665 B22D11/0611 B22D11/0697

    Abstract: 在向高速旋转中的冷却辊的外周面上射出熔融的金属、使其急速凝固而制造金属薄带的单辊式金属薄带制造装置中,设有:气流截断装置,其在射出上述熔融金属的熔融金属射出嘴的冷却辊旋转方向上游侧截断沿着上述冷却辊表面的气流;二氧化碳气体喷射嘴,其喷射二氧化碳气体,在上述气流截断装置与上述熔融金属射出嘴之间的冷却辊外周面上形成二氧化碳气体的气流、或者使上述气流截断装置与上述熔融金属射出嘴之间的辊表面上成为二氧化碳氛围;异物除去装置,其在上述气流截断装置的辊旋转方向上游侧,除去附着在冷却辊表面上的异物;即使在长时间的连续运行中也能够稳定地维持高的表面品质。

    线状槽形成方法及线状槽形成装置

    公开(公告)号:CN107849631A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680042049.0

    申请日:2016-07-06

    Abstract: 本发明提供一种线状槽形成方法,其是利用蚀刻在钢板表面形成线状槽的方法,该方法能够抑制用于除去抗蚀剂的激光照射所导致的取向性电磁钢板的磁特性降低,且可形成形状均匀的线状槽。该线状槽形成方法包括:抗蚀剂涂布工序,在取向性电磁钢板表面涂布抗蚀剂;激光照射工序,沿所述取向性电磁钢板的轧制方向周期性地进行激光扫描,所述激光扫描通过沿横穿所述取向性电磁钢板的轧制方向的方向进行扫描并同时照射激光,从而将照射了所述激光的部分的抗蚀剂除去;蚀刻工序,对除去了所述抗蚀剂的部分的取向性电磁钢板进行蚀刻,形成线状槽,其中,所述抗蚀剂的涂布厚度为0.5~10μm,所述激光的输出功率为1500W以上。

    取向性电磁钢板及其制造方法

    公开(公告)号:CN104011241B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201280063637.4

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 本发明的课题在于提供取向性电磁钢板,其有效地抑制了以往所担心的、由激光照射或电子束照射所带来的磁滞损耗的增大,磁滞损耗和矫顽力低。作为解决手段,对于具有按照从钢板的一个宽度方向端部到另一个宽度方向端部在轧制方向上分割磁畴的方式形成的闭合磁畴区域X的取向性电磁钢板而言,在将板厚记为t(mm)、将通过粉纹法(Bitter法)从钢板的表面和背面测定该区域X的宽度所得到的较小的值记为w(μm)、并且将平均在一个晶粒内存在的该区域X的数目记为s(个)时,满足下式(1)的关系:-(500t-80)×s+230≤w≤-(500t-80)×s+330…(1)。

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