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公开(公告)号：CN102272905A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153637.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66803 , H01L29/7854
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在形成在衬底(11)上的鳍式半导体区域(13)的两侧部设置有延伸区域(17)。该半导体装置形成有跨越鳍式半导体区域(13)并与延伸区域(17)相邻的栅电极(15)。在与栅电极(15)相邻的区域的鳍式半导体区域(13)的上部形成有具有比延伸区域(17)高的电阻率的电阻区域(37)。
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公开(公告)号：CN100561670C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710127002.7
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN100543937C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710111998.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，以1秒钟～5秒钟使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN100514563C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710127001.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/263 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。
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公开(公告)号：CN100511593C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710112000.0
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将含有氦气以外的惰性气体的气体作为掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将含有氦气的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100479101C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710111993.X
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1毫秒～100毫秒的间隔采集功率差Pf-Pr的值的取样器，在上述功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。
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公开(公告)号：CN101356625A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001172.9
申请日：2007-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01J37/32091 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。
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公开(公告)号：CN101151715A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010338.9
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01J2237/3342 , H01L21/2236 , H01L22/12
Abstract: 一种实现高产量的灰化设备和方法，其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测，以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质，其特征在于包括偏振光椭圆计，用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光，来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。
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公开(公告)号：CN101151711A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010367.5
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32412 , H01L21/67115 , H01L22/20 , H01L22/26
Abstract: 等离子体掺杂方法和设备，通过其可以提供样品中引入的杂质的出色注入深度或非晶层的深度的出色的可重复性和可控性。在所述等离子体掺杂方法，在真空室中产生等离子体并且通过允许等离子体中的离子与样品的表面碰撞从而将晶体样品的表面改性为非晶态。该等离子体掺杂方法包括：在伪样品上进行等离子体照射从而与预定数量的样品一起进行非晶化处理，在采用所述等离子体照射的伪样品的表面上照射光，且测量伪样品表面的光学特性。控制样品处理条件，使得由测量步骤获得的光学特性具有希望的值。
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公开(公告)号：CN101151710A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010314.3
申请日：2006-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412
Abstract: 一种等离子体掺杂方法和装置，形成于样品表面上的非晶层具有出色的面内均匀性。一种等离子体掺杂方法，其在真空腔内产生等离子体，并使该等离子体内的杂质碰撞样品表面以将样品表面改性为非晶态，其中等离子体辐射时间被调整以改善面内均匀性。如果等离子体辐射时间太短，则等离子体内的变化转移到硅基板上非晶层的深度，从而使面内均匀性恶化。如果等离子体辐射时间太长，使用等离子体溅射硅基板表面的效应占优势，从而使面内均匀性恶化。优选地发现介于其间的合适的等离子体辐射时间以提供良好的面内均匀性并在该时间内执行等离子体掺杂。
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