公开(公告)号：CN1641833A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510002154.5

申请日：2005-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤宽和 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02282 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的目的是抑制多层抗蚀剂工艺中的上层抗蚀剂膜的倒塌。其解决方案是，在包含对被处理基板的主面供给含有涂敷型薄膜形成物质和溶剂的液体以形成液状的涂敷膜的工序，以及对上述涂敷膜进行上述溶剂的除去和使上述涂敷型薄膜形成物质发生非可逆的反应用的加热处理以形成固形的薄膜的工序的成膜方法中，使在上述涂敷膜的膜厚变动大致结束后到开始上述加热处理为止的待机时间与上述涂敷膜表面附近的每单位体积的水分量的积为大于等于规定值。

公开(公告)号：CN1632916A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200510002715.1

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

公开(公告)号：CN1619770A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410091568.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤丈博 ,  盐原英志 ,  竹石知之 ,  千叶谦治 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S113中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。

公开(公告)号：CN1452215A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03109850.9

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  高桥理一郎

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/7065 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明可以局部地修正感光性树脂图案的异常，除去重复加工基板，降低制造成本。是包含，在基板上形成被加工膜的步骤S11、在被加工膜的主面上形成抗蚀剂膜的步骤、在抗蚀剂膜上曝光所希望的图案的步骤、显影抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案的步骤S12、检查抗蚀剂图案的尺寸或者形状的异常的步骤S13、对由S13检测出的异常位置实施修正处理的步骤S14、用修正后的抗蚀剂图案选择蚀刻被加工膜的步骤S15的图案形成方法，在S13以及S14中使用把DUV光作为光源的相同的光学装置连续进行S13和S14，并且在S13中向抗蚀剂表面提供氮气，在S14中向抗蚀剂表面提供氧气。

公开(公告)号：CN1400632A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN02126980.7

申请日：2002-07-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/162

Abstract: 本发明提供一种液膜形成方法及使用它的固体膜的形成方法，在将液体螺旋状地供给到被处理基板上进行成膜的技术中，在抑制液体朝向被处理基板外放出的同时、形成均匀的膜。在从滴下部向被处理基板上滴下液体的同时、一边使上述被处理基板旋转，一边使上述滴下部以上述被处理基板每旋转一周所产生的径向的上述滴下部的移动间距变化的方式沿径向移动，而且，伴随着上述滴下部的上述被处理基板径向的移动，为了使被滴下的该液膜由于施加在滴下的液膜的离心力移动，调整该基板的转速及从该滴下部供给的上述液体的供给速度v，在上述被处理基板上形成液膜。

公开(公告)号：CN1385760A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02119275.8

申请日：2002-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥理一郎 ,  早崎圭 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差,利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液,进行感光性光刻胶膜的显影。

公开(公告)号：CN1330394A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01121836.3

申请日：2001-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02052 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 一种衬底处理方法,对用光刻胶12进行LSI图形曝光的被加工衬底11,用TMAH显影液进行显影后,清洗露出表面。作为第1清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有3ppm臭氧气体的臭氧水17进行15秒的清洗,使附着于衬底11的露出表面上的有机物分解,然后,作为第2清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有1.2ppm氢气的氢气水18进行15秒的清洗处理,把分解后的有机物除去到衬底之外。

公开(公告)号：CN102208335B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201110052481.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河村嘉久 ,  小林克稔 ,  伊藤信一 ,  林秀和 ,  富田宽

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供模板的表面处理方法及装置以及图案形成方法。根据本实施方式，模板的表面处理方法包括：将具备图案面的模板的表面氢氧化或使水吸附于前述表面，使OH基分布于前述表面的工序，所述图案面具有凹凸；以及使偶联剂结合于分布有前述OH基的模板表面的工序。这些处理在胺被管理为小于等于预定浓度的环境中进行。

公开(公告)号：CN102236251A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110053265.4

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  河野拓也

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C33/62 ,  B29C33/64 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供模板修补方法、图案形成方法及模板修补装置。实施方式的模板修补方法是具备基材和形成于前述基材的图案面的第1脱模层的模板的修补方法，包括：对前述图案面供给相对于前述基材具有亲和性且相对于前述脱模层具有非亲和性的材料。

公开(公告)号：CN101441418B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200810174269.6

申请日：2006-05-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  松永健太郎 ,  河村大辅 ,  大西廉伸

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/162

Abstract: 一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂膜上形成用于保护上述感光性树脂膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂膜的部分区域进行选择性液浸曝光之前，将上述保护膜的表面平滑化；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂膜构成的图案。