公开(公告)号：CN116253516A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310057777.0

申请日：2023-01-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚飞 ,  覃耀毅 ,  唐健 ,  陈国华

IPC: C03C10/00 ,  C03B19/02 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种具有高储能及高光学透过率的微晶玻璃材料及其制备方法，所述微晶玻璃材料具有四方钨青铜晶相结构或四方钙钛矿晶相结构，其组成分别为：A2O‑A′O‑B2O5‑B′O2‑Al2O3‑SiO2和BaO‑TiO2‑SnO2‑Al2O3‑SiO2，其中A代表K、Na或Ag元素，A′代表Ba或Sr元素，B代表Nb、Ta或P元素，B′代表Ti或Sn元素。本发明在较高的外加电场下，具有较高的电极化值的同时，保持了较低的剩余极化值，且放电时间超短(

公开(公告)号：CN114890676A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202110685704.7

申请日：2021-06-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚飞 ,  陈国华 ,  许积文

IPC: C03C10/02 ,  C03C4/16 ,  C03C17/10 ,  C03B5/16 ,  C03B25/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(AXO3)‑y(aSiO2‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；介电常数可在200‑1500范围内调节，直流耐击穿强度范围为0.9‑2.0MV/cm，最高理论储能密度达71.6J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制备；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。

公开(公告)号：CN107140968B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201710330695.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05

公开(公告)号：CN108947530A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810908551.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  蒙柳方 ,  廖燕君 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  刘飞 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567

Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构低介电透明RexGd3‑xAl3Ga2O12微波陶瓷及其制备方法，该微波陶瓷组成通式为RexGd3‑xAl3Ga2O12，其中0≤x≤0.065，Re为Nd和Er中的一种。制备时先采用传统固相合成法合成RexGd3‑xAl3Ga2O12粉体，再将合成的粉体与5%聚乙烯醇PVA按照0.5mL:10g的比例混合，烘干，研磨成粉末；最后将粉末压制成陶瓷坯体，在1580~1650℃保温15~60小时制成。本发明制备的石榴石结构低介电透明微波陶瓷，其介电常数（εr）介于9.7~10.3，品质因子与谐振频率乘积（Q.f）介于1600~5100GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于‑25~‑80ppm/℃，表明本发明成功制备出一种石榴石结构低介电透明微波陶瓷。这种微波陶瓷可用于制造微波介质元器件如滤波器、谐振器、介质基板等，特别是需要可视化透明窗口的信息通讯和集成电路中。

公开(公告)号：CN108623302A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810670156.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/00

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/0072 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3-0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2-10μm，直径为60-800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN108516823A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810668010.0

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6567 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878

Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3-0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数 =353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN108191246A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810151932.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/00 ,  C03C6/00 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15-16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02-3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57-70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500-14000GHz。

公开(公告)号：CN108117262A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201810151957.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02 ,  C03B11/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt% CeO2和0.5wt%Ga2O3。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60-3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100-9145 GHz。

公开(公告)号：CN105503164B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410548546.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨华斌 ,  周沁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3‑30SiO2‑30CaO‑20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3‑ 30SiO2‑25CaO‑10ZrO2) +0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN105174943B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510611206.2

申请日：2015-09-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  唐晓玲 ,  袁昌来 ,  周昌荣

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种介电储能陶瓷及其制备方法，组成成分以通式Re0.02Sr0.97TiO3+x%MnO2+y%ZnNb2O6来表示，其中Re为La、Nd、Sm或Gd，MnO2、ZnNb2O6为外加，0.1≤x≤0.3，1.5≤y≤7.5，x，y均为质量分数。本发明通过在钛酸锶中掺杂稀土和添加铌酸锌，采用一步烧结，获得致密均匀、细晶结构的陶瓷。本发明的陶瓷具有优秀的介电性能，储能密度可达2.98 J/cm3，储能效率可达90%以上，击穿强度可达535kV/cm，具有高耐压、高储能密度与高储能效率的优点，在脉冲电源领域有良好的应用前景。