公开(公告)号：CN107140968B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201710330695.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05

公开(公告)号：CN108623302A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810670156.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/00

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/0072 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3-0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2-10μm，直径为60-800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN108516823A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810668010.0

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6567 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878

Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3-0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数 =353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN105503164B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410548546.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨华斌 ,  周沁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3‑30SiO2‑30CaO‑20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3‑ 30SiO2‑25CaO‑10ZrO2) +0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN107032784A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710301047.5

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曾卫东 ,  周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/45

Abstract: 本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料，配方为：0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3；通过LiBiO3的辅助烧结，结合Bi的变价，在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+，诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位)，结合交直流极化工艺，产生特殊的大压电各向异性。该产品具有优良的大压电各向异性性能，稳定性好，绿色环保，可在超声换能器领域使用。

公开(公告)号：CN104649663B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510104202.5

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料，成分以通式(1‑x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3‑x(35BaO‑15ZnO‑10Al2O3‑20B2O3‑20SiO2)来表示，其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉，采用两歩烧结，通过玻璃相填充孔洞，获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性，储能密度可达1.86J/cm3，储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm，损耗低，在脉冲电源领域应用前景好。

公开(公告)号：CN108623302B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201810670156.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/00

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3‑0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2‑10μm，直径为60‑800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN107010947B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710302249.1

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/49

Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。

公开(公告)号：CN107010941B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710302248.7

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462

Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3)13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN111153698A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010046966.4

申请日：2020-01-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  胡岗斌 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  汪江婷 ,  曾卫东 ,  王名昌

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供了一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明铁电陶瓷材料所述透明铁电陶瓷材料具有式I所示的化学组成：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Ta0.5)O3式I，其中，x＝0.01～0.06。本发明提供的透明铁电陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；同时通过调控第二组元的固溶比例，使透明铁电陶瓷材料的结构致密，有效提升了透明铁电陶瓷材料的透光性。本发明提供的透明铁电陶瓷材料具有优异的透光性能和铁电性能。