公开(公告)号：CN103051314A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210321396.0

申请日：2012-08-31

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 荒木良太 ,  水谷彻

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/08122 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本申请涉及半导体装置和控制模拟开关的方法。一种半导体装置包括：模拟开关，其中P沟道晶体管和N沟道晶体管并联连接在输入端子与输出端子之间；可变电压电路，其根据提供给输入端子的输入电压可变地产生P沟道晶体管的第一栅极电压和第一背栅极电压以及N沟道晶体管的第二栅极电压和第二背栅极电压的电势；以及控制电路，其向可变电压电路提供控制模拟开关导通或不导通的控制信号。响应于导致所述模拟开关导通的所述控制信号，可变电压电路向P沟道晶体管和N沟道晶体管各自的栅极输出可变地产生的第一栅极电压和第二栅极电压。

公开(公告)号：CN102195627A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110047177.3

申请日：2011-02-24

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 埃瑞克·梅尔

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K19/1732 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0054 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明涉及全特征控制引脚供电的模拟开关。本发明提供了一种装置，可以包括：至少一个输入连接；至少一个输出连接；至少一个控制连接；电压转换器电路；和至少一个开关电路，耦合到输入连接、输出连接和电压转换器电路的输出。在示例中，电压转换器电路可以包括耦合到控制连接的输入以及输出。可以将电压转换器电路配置为在其输出处提供比在其输入处出现的电压大的电压。当开关电路被电压转换器输出激活时，开关电路可以将在输入处接收的信号传送到输出。可以经由控制连接对电压转换器电路供电，可以经由电压转换器电路的输出对开关电路供电。

公开(公告)号：CN1155152C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99801005.7

申请日：1999-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻森正彦 ,  本吉要 ,  多良胜司

IPC: H03G3/10 ,  H03H11/24 ,  H03H7/25

CPC classification number: H03G1/007 ,  H03H11/245 ,  H03K2217/0054

Abstract: 在携带终端发送部的高频部中，为了在70dB以上的大范围内线性地(平直度±1dB)进行对一个控制电压的增益控制，用至少由两个以上的串联的可变电阻51、52构成的信号线51连接信号输入部34和信号输出部35，将并联连接的可变电阻53、54分别连接在信号输入部34和接地线57之间、以及信号输出部35和接地线57之间，将增益控制线56连接在可变电阻51、52、53、54上，将基准电压施加部23、27、31、33连接在各个可变电阻51、52、53、54上，将增益控制电压施加部19通过增益控制线56连接在各个可变电阻51、52、53、54上。

公开(公告)号：CN109768788A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811297951.4

申请日：2018-11-01

Applicant: QORVO美国公司

Inventor： 巴克尔·斯科特 ,  乔治·马克西姆 ,  帕德玛希尼·迪西肯 ,  迪尔克·罗伯特·沃尔特·莱波尔德

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/04123 ,  H03K17/693 ,  H03K19/215 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明提供了一种开关时间减少的射频开关电路。该RF开关电路包括耦合在输入节点、输出节点和栅极驱动节点之间的多个FET。当在所述栅极驱动节点处提供正供电电压时，所述多个FET接通并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供低阻抗路径。当在所述栅极驱动节点处提供负供电电压时，所述多个FET关断并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供高阻抗路径。所述RF开关电路中的开关加速电路包括旁路FET和多电平驱动器电路。所述旁路FET响应于多电平驱动信号来选择性地绕过共同电阻器。所述多电平驱动器电路使用所述旁路FET的内建栅极到电容，以在高于所述正供电电压的过电压下提供所述多电平驱动信号。

公开(公告)号：CN109427772A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810960527.7

申请日：2018-08-22

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： 梁健

IPC: H01L27/07

CPC classification number: H03K17/161 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7831 ,  H03K17/063 ,  H03K2217/0009 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明涉及用于衬底电位稳定化的具有无源电网络的双向开关。一种器件包括半导体本体，该半导体本体具有有源区和在有源区下方的衬底区。双向开关形成在半导体本体中，该双向开关具有被配置成阻断跨两个极性的电压的第一和第二栅极结构以及与导电沟道欧姆接触的第一和第二输入-输出端子。第一和第二开关器件被配置成将衬底区分别电连接到所述第一和第二输入-输出端子。无源电网络包括连接在第二开关器件的控制端子和第一输入-输出端子之间的第一电容和连接在第一开关器件的控制端子和第二输入-输出端子之间的第二电容。无源电网络被配置成在不同的电压状况下将衬底区暂时电连接到第一和第二输入-输出端子。

公开(公告)号：CN104467775B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410471704.7

申请日：2014-09-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 广濑达哉 ,  常信和清

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/302 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H03K17/102 ,  H03K17/162 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0054

Abstract: 提供了一种共源共栅晶体管和控制共源共栅晶体管的方法。该共源共栅晶体管包括：常断型晶体管；常通型晶体管，其耐电压高于常断型晶体管的耐电压，并且常通型晶体管的源极耦合至常断型晶体管的漏极；电路，在电路中开关和电容器彼此串联耦合，并且电路被布置在连接节点与常断型晶体管的源极之间，连接节点是常断型晶体管的漏极和常通型晶体管的源极彼此耦合的节点；以及控制电路，其在断开常断型晶体管的栅极信号之前接通开关并且将电容器电耦合至连接节点，并且控制电路在接通常断型晶体管的栅极信号之前断开开关并且将连接节点与电容器电隔离。

公开(公告)号：CN107791844A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710755303.8

申请日：2017-08-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.莫泰 ,  G.加兰布

IPC: B60L3/00 ,  B60R16/02

CPC classification number: H02H7/18 ,  H01M10/4257 ,  H01M2010/4271 ,  H01M2220/20 ,  H02H7/222 ,  H02H9/025 ,  H02H9/041 ,  H02H9/042 ,  H02H9/043 ,  H03K17/08148 ,  H03K17/107 ,  H03K17/795 ,  H03K2217/0054 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  Y10T307/406 ,  B60L3/00 ,  B60R16/02

Abstract: 本发明涉及一种用于电池系统的电流中断装置，具有至少一个用于分离电池系统的电池和电池的耗电器之间的通过电流的电流中断单元，其中电流中断单元具有至少一个用于分离和建立电池和电池的耗电器之间的通过电流的功率半导体并且至少一个过电压放电器与所述功率半导体并联。本发明还涉及一种具有根据本发明的电流中断装置的电池系统、一种用于通过根据本发明的电流中断装置来分离电池和耗电器之间的通过电流的方法以及一种用于根据本发明的电池系统的控制器，该控制器被设计用于执行根据本发明的方法。

公开(公告)号：CN107659303A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710771433.0

申请日：2017-08-31

Applicant: 晨星半导体股份有限公司

Inventor： 卢文才

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K17/162 ,  H03K17/063 ,  H03K17/08104 ,  H03K17/08122 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054 ,  H03K19/018507

Abstract: 本发明公开了一种输入输出电路，其包括第一开关元件、控制电压提供电路和浮接电压提供电路。其中，第一开关元件包括控制端、第一通路端、第二通路端和衬底端，第一通路端电连接至第一电压源以接收第一电压源所提供的第一电压，而第二通路端电连接至第二电压源以接收第二电压源所提供的第二电压。控制电压提供电路电连接至第一开关元件的控制端，以提供控制电压至第一开关元件的控制端。浮接电压提供电路电连接至第一开关元件的衬底端，以提供第一电压和第二电压中的最大者至所述第一开关的衬底端，从而避免在第一电压源或者第二电压源与所述第一开关元件的衬底端之间产生漏电流。

公开(公告)号：CN104467770B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410379935.5

申请日：2014-08-04

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 本多启伸 ,  山下史哲 ,  相泽淳一

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/08

CPC classification number: H03K17/102 ,  A61B8/4444 ,  H03K17/063 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/6874 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0009 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明提供一种半导体开关电路、信号处理装置以及超声波诊断装置。在半导体开关电路中，能够处理正负两极性的高电压信号，并且能够由低压电源进行控制。半导体开关电路具备：由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET、以及在栅极、源极间逆向连接的齐纳二极管(ZD1)构成的第1开关对(81)；与第1开关对(81)同样地构成的第2开关对(82)；以及由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET构成的第3开关对(83)。第1开关对(81)和第2开关对(82)在2个输入输出端子(101、102)间，经由连接节点(84)而串联连接。第3开关对(83)被连接在第1开关对(81)与第2开关对(82)之间的连接节点(84)和接地之间。

公开(公告)号：CN105359412B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201480038555.3

申请日：2014-07-11

Applicant: 赛灵思公司

Inventor： J·K·詹宁斯 ,  I·C·西卡尔

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/0812 ,  H03K17/693

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H03K17/06 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/693 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0054

Abstract: 公开了一种用于使输入(152)与输出(154)隔离的设备(100)。例如，设备(100)包括第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)和第一电路(182)。第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的源极被连接到设备(100)的输入(152)。第一电路(182)用于在使能信号(172)无效时，将设备的输入(152)上的信号传递到第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的栅极，并且在使能信号(172)有效时将地电压(192)传递到第一p型金属氧化物半导体晶体管(110)的栅极。