一种图像传感器模组的形成方法

    公开(公告)号:CN111295873B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN201880002609.9

    申请日:2018-09-21

    Inventor: 刘孟彬

    Abstract: 本发明实施例提供一种图像传感器模组及形成方法。图像传感器模组的形成方法包括:在载体晶圆上贴附多个第一芯片;在每个第一芯片上形成永久键合层,所述永久键合层包括至少一图形化键合层或一透明键合层;使第二芯片通过中间的永久键合层与每个滤光片键合从而在载体晶圆上形成多个封装结构,第一芯片是滤光片和图像传感器中的一种,第二芯片是滤光片和图像传感器中的另一种。在每一封装结构中图像传感器具有一个面向滤光片的感光区。本发明实施例有利于使封装结构具有芯片的尺寸,且有利于避免使图像传感器的感光区受到污染,提高了封装结构的良率。

    电子装置及其制造方法
    65.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108604579B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN201780009036.8

    申请日:2017-03-13

    Abstract: 一种电子装置及其制造方法。电子装置中,信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254),和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。

    半导体装置及其制造方法
    66.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108604589B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN201680081182.7

    申请日:2016-12-14

    Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离,能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化,确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于,具备:绝缘基板(5),在上表面搭载有半导体元件(4);基体板(1),接合到绝缘基板(5)的下表面;壳体部件(2),包围绝缘基板(5),与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接;密封树脂(8),填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域,对绝缘基板(5)进行密封;盖部件(9),与密封树脂(8)的表面相向,与壳体部件(2)粘合;以及按压板(10),下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接,上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。

    半导体装置
    67.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107924884B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201780002789.6

    申请日:2017-03-01

    Abstract: 半导体装置(6)具备半导体元件(7)、基台部(8)和外装树脂(10)。基台部(8)具有:安装有半导体元件(7)的安装面(8A);和在安装面(8A)上的半导体元件(7)的周围设置的槽部(9)。外装树脂(10)覆盖半导体元件(7)和基台部(8),通过填充到槽部(9)而固定于基台部(8)。槽部(9)的底部(11)沿着槽部(9)的延伸方向包含具有第一振幅和第一反复间隔的第一凹凸。第一凹凸沿着槽部(9)的延伸方向包含具有比第一振幅小的第二振幅和比第一反复间隔短的第二反复间隔的第二凹凸。

    半导体模块以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN113875001A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN201980096759.5

    申请日:2019-06-06

    Abstract: 得到可靠性高的半导体模块以及使用该半导体模块的可靠性高的电力变换装置。半导体模块(100)具备散热部件(7)、半导体装置(20)以及热传导性绝缘树脂片材(6)。热传导性绝缘树脂片材(6)连接散热部件(7)和半导体装置(20)。半导体装置(20)包括半导体元件(1)和金属布线部件(2a)。金属布线部件(2a)与半导体元件(1)电连接。金属布线部件(2a)包括向半导体装置(20)的外侧突出的端子部(2aa)。在半导体装置(20)的表面部分(20a)中,在与连接有热传导性绝缘树脂片材(6)的一部分区域(20aa)相比更外侧形成凹部(8)。凹部(8)位于与端子部(2aa)相比更靠散热部件(7)侧的区域。

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