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公开(公告)号:CN1735882B
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN03805182.6
申请日:2003-03-04
Applicant: ST微电子公司
Inventor: S·R·诺兹沃斯
IPC: G06F17/20
Abstract: 本发明是关于一种具有多电平量化和抖动量化器的N阶噪声整形编码器。该编码器本质上稳定并产生纯白量化误差谱。在一具体实施例中,该编码器为一阶,并且应用一改进的抖动方案,包括对抖动序列应用M倍(例如,M=2)采样和保持,在多个时钟周期有效地保持一恒定抖动。这样有效地使量化器在一个时钟周期内不事先经过零电位跳过两个量化区间的事件减少。本发明还公开了实现成形编码器的方法。
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公开(公告)号:CN1866492B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200610071686.9
申请日:2006-03-28
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 琼-露易斯·夏奥德奥
IPC: H01L21/68 , H01L21/50 , H01L21/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67259 , H01L21/67282 , H01L21/68 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于将集成电路芯片拾放设备对准于承载这些电路的晶片的原点的方法和系统,包括在所述晶片上光学搜索在集成电路的制造过程中形成于参考芯片上的至少一个参考图案,所述参考图案不同于其它芯片的可光学识别的图案。
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公开(公告)号:CN102037382A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN200980113553.5
申请日:2009-04-08
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 埃马努埃利·维吉耶-布朗 , 纪尧姆·卡萨尔
IPC: G02B3/00 , H01L27/146
CPC classification number: G02B3/0087 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种光学元件或模块,被设计成布置在半导体组件的光学传感器前面,待捕获的图像被设计成穿过所述光学元件的至少一个光学有用部分(5a)。一种用于获得这种光学元件的处理方法,其中至少一个通道(25)在所述光学元件的前表面和后表面之间延伸,并且在离子掺杂的作用下具有从所述至少一个通道的壁开始到所述光学有用部分中变化的折射率。一种图像捕获装置,包括包含至少一个这种元件的光学成像模块。
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公开(公告)号:CN100511081C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200480043068.2
申请日:2004-05-18
Applicant: ST微电子公司
CPC classification number: H02M1/4225 , H05B41/28 , Y02B70/126
Abstract: 描述了一种用于控制电源线的功率因子的方法,该方法使用与电源线相连的控制单元。有利地根据本发明,通过调制控制单元中包括的双极型晶体管(TB1)的导通时间,并且通过反馈驱动双极型晶体管(TB1)的控制端(B1)来调节导通时间的所述调制,来执行功率因子控制。还描述了一种用于控制电源线的功率因子的电路,其类型是包括与电源线相连的第一和第二输入端(I1,I2)以及与负载相连的第一和第二输出端(O1,O2)。有利地根据本发明,控制电路包括功率因子控制单元(15)及与之反馈相连的调节块(16)。功率因子控制单元(15)包括双极型晶体管(TB1),其插入到第一和第二输入端(I1,I2)之间并具有与调节块(16)的输出端(O4)相连的控制端(B1),调节块(16)包括至少一个辅助晶体管(Q2),其具有与输出端(O4)相连以减少双极型晶体管(TB1)的控制端(B1)中的电荷的导通端。
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公开(公告)号:CN100492658C
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200510121726.1
申请日:2005-12-15
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 塞缪尔·蒙纳德
IPC: H01L29/66
CPC classification number: H01L29/747 , H01L29/7404
Abstract: 一种电压控制的垂直双向单片开关,参考关于开关的后表面,从低掺杂N型半导体基底上形成,其中控制结构包括在前表面侧的第一P型阱,在第一P型阱中形成有一个N型区域,并且还包括形成了MOS晶体管的第二P型阱,第一P型阱和MOS晶体管的栅极连接到控制端,所述N型区域连接到MOS晶体管的主端子,并且MOS晶体管的第二主端子连接到开关的后表面电压。
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公开(公告)号:CN100483379C
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN01822019.3
申请日:2001-12-03
Applicant: 施蓝姆伯格技术管理有限公司 , ST微电子公司
Inventor: 罗伯特·A·莱迪尔 , 克里斯托夫·A·波米特
CPC classification number: G06F13/4086
Abstract: 本发明公开了一种方法和装置。在一个实施例中,智能卡具有IC,IC包括电压调节电路和上拉电阻器。所述卡能够利用有选择地连接到调节电路的电压输出和卡的第一输出的电阻器通过总线向主机发信号。响应于通过总线的通电而不是发送,调节电路输出通过电阻器有选择地连接到第一输出。这是为了将第一输出上拉到电压源的电压电平,使得卡能够在总线被主机驱动的时候被主机检测到。在发送和接收同时有选择地断开电阻器导致更平衡的输出。因为电阻器和调节电路是IC的一个集成部分,因此不需要任何分离的触点来用于对电阻的电压,使得可以与某些现有的智能卡的触点配置兼容,并且消除在读卡器中的上拉电阻器和调节电路。
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公开(公告)号:CN100403629C
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN02829625.7
申请日:2002-09-20
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 阿尔比诺·皮杜蒂 , 克劳蒂诺·阿德拉尼亚 , 毛罗·法尼亚尼
IPC: H02M1/00
CPC classification number: H02M1/4225 , Y02B70/126
Abstract: 本发明描述了一种用于开关电源的功率因数校正设备,包括转换器(20)和与所说的转换器(20)耦合以便从输入电网交流电压(Vin)获得在输出端子上的直流调节电压(Vout)的控制设备(100;200;300)。转换器(20)包括功率晶体管(M),以及该控制设备(100;200;300)包括误差放大器(3)、至少一个电容器(C)和与所说的电容器(C)的第二端子耦合的所说的功率晶体管的驱动电路(4-6),该误差放大器(3)在倒相端子上输入与所说的调节电压(Vout)成比例第一信号(Vr)和在非倒相端子上输入参考电压(Vref),该电容器(C)具有与误差放大器(3)的倒相端子和输出端子(31)分别耦合的第一端子和第二端子。控制设备(100;200;300)包括置于所说的误差放大器(3)的输出端子(31)和所说的电容器(C)的第二端子之间的中断装置(SW)和控制装置(103;103;301-303),该控制装置(103;103;301-303)能够启动所说的中断装置(SW)以便在比所说的控制设备(100;200;300)运行的时间周期(Tciclo)更短的至少一个时间周期(T)中控制在误差放大器(3)和所说的驱动电路(4-6)之间的连接的中断。
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公开(公告)号:CN100390996C
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN02828380.5
申请日:2002-02-28
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 塞萨尔·龙西斯瓦莱
IPC: H01L27/07
CPC classification number: H01L27/0825 , H01L21/8222 , H01L27/0744
Abstract: 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1),包括:在集电极(C)和(B)之间的电阻(R);以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻,而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。
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公开(公告)号:CN1975946A
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200610128024.0
申请日:2006-08-31
Applicant: ST微电子公司
CPC classification number: H01G5/16 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49139 , Y10T29/49147 , Y10T29/49165 , Y10T83/0476 , Y10T83/0505 , Y10T83/051 , Y10T83/0577
Abstract: 一种形成可变电容器的方法,所述可变电容器包括覆盖空腔的内部的导电带和置在该空腔的上方的弹性导电薄膜,其中该空腔的形成包括:在基片中形成凹口;在该凹口中置入展性材料;在该凹口处使模具靠压着该基片以赋予该展性材料的上部希望的形状;使该展性材料硬化;以及移除该模具。
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