公开(公告)号：CN113035867A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011538761.4

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  金容锡 ,  金炫哲 ,  山田悟 ,  柳成原 ,  洪载昊

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及存储器件和半导体器件。存储器件可以包括源极区域、沟道、栅极绝缘层图案、选择栅极图案、第一栅极图案、第二栅极图案和漏极区域。源极区域可以在衬底的上部处包括具有第一导电类型的第一杂质。沟道可以接触源极区域。每个沟道可以在垂直于衬底的上表面的垂直方向上延伸。选择栅极图案可以在沟道的侧壁上。第一栅极图案可以在沟道的侧壁上。第一栅极图案可以是所有的多个沟道的公共电极。第二栅极图案可以在沟道的侧壁上。漏极区域可以在每个沟道的上部处包括具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二杂质。

公开(公告)号：CN112466879A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010922288.3

申请日：2020-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  金容锡 ,  金泰勋 ,  朴硕汉 ,  山田悟 ,  洪载昊

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体装置包括：在衬底上的堆叠结构，该堆叠结构包括沿着第一方向堆叠的交替的栅电极和绝缘层；沿着第一方向穿过堆叠结构的竖直开口，该竖直开口包括沟道结构，该沟道结构具有在竖直开口的内侧壁上的半导体层以及在半导体层上的可变电阻材料，该可变电阻材料中的空位浓度沿其宽度变化以在更靠近沟道结构的中心而非更靠近半导体层处具有更高的浓度；以及在衬底上的杂质区域，该半导体层在沟道结构的底部接触该杂质区域。

公开(公告)号：CN112310083A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010697139.1

申请日：2020-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴硕汉 ,  金容锡 ,  金熙中 ,  山田悟 ,  李炅奂 ,  弘载昊 ,  黄有商

IPC: H01L27/11502 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11507

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一堆叠结构，包括在基底上交替地堆叠的多个第一绝缘图案和多个第一半导体图案，第一堆叠结构在平行于基底的上表面的第一方向上延伸；第一导电图案，位于第一堆叠结构的一个侧表面上，第一导电图案在与基底的上表面交叉的第二方向上延伸；以及第一铁电层，位于第一堆叠结构与第一导电图案之间，第一铁电层在第二方向上延伸，其中，第一半导体图案中的每个包括沿着第一方向顺序地布置的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区。

公开(公告)号：CN112133751A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010572227.9

申请日：2020-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪载昊 ,  金容锡 ,  金炫哲 ,  朴硕汉 ,  山田悟 ,  李炅奂

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括凹陷；第一栅绝缘层，在该凹陷的下部侧壁和底部上，该第一栅绝缘层包括具有滞回特性的绝缘材料；第一栅电极，在该凹陷内且在第一栅绝缘层上；第二栅电极，在该凹陷中接触第一栅电极，该第二栅电极包括与第一栅电极的材料不同的材料；以及杂质区，在基板中且与该凹陷的侧壁相邻，杂质区的底部相对于基板的底部高于第二栅电极的底部。

公开(公告)号：CN112086462A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010406162.0

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  金容锡 ,  金泰勋 ,  朴硕汉 ,  山田悟 ,  洪载昊

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供了垂直半导体器件。该垂直半导体器件包括：在衬底上的沟道，该沟道在实质上垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一数据存储结构，接触沟道的第一侧壁；在沟道的第二侧壁上的第二数据存储结构；以及在第二数据存储结构的表面上的栅极图案，其中栅极图案在第一方向上彼此间隔开，并且栅极图案在实质上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN111725231A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911004631.X

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金森宏治 ,  金容锡 ,  李炅奂 ,  林濬熙 ,  韩智勋

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：下部堆叠结构，包括下部字线；上部堆叠结构，在下部堆叠结构上并且包括上部字线；解码器，与下部堆叠结构和上部堆叠结构相邻；连接到解码器的信号互连；下部选择器，连接到信号互连并且还连接到下部字线；上部选择器，连接到信号互连，不与下部选择器直接接触，并且还连接到上部字线。

公开(公告)号：CN110534524A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910276163.5

申请日：2019-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  姜昌锡 ,  金容锡 ,  林濬熙 ,  金森宏治

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括其中绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上的导电图案结构。导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分。导电图案中的每个导电图案包括与边缘部分中的阶梯的上表面对应的垫区域。垫导电图案被设置为接触垫区域的上表面的一部分。掩模图案设置在垫导电图案的上表面上。接触塞穿透掩模图案以接触垫导电图案。

公开(公告)号：CN109037221A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810319527.9

申请日：2018-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌勋 ,  金容锡 ,  林浚熙

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括低电压晶体管和高电压晶体管。低电压晶体管包括第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅电介质层和包含金属的第一栅电极层，高电压晶体管包括第二晶体管，该第二晶体管包括具有比第一栅电介质层的介电常数低的介电常数的第二栅电介质层和包含多晶硅的第二栅电极层。

公开(公告)号：CN103376987B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310144300.2

申请日：2013-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仁洙 ,  金容锡 ,  金炫廷 ,  李柱承

IPC: G06F3/0484

CPC classification number: G06F3/0481 ,  G06F3/04883 ,  G06F2203/04808

Abstract: 提供一种调整窗口的尺寸的方法及电子装置。通过感测多触摸以及根据用户的多触摸的点的操作选择性地调整窗口的尺寸，来在电子装置中调整窗口的尺寸。

公开(公告)号：CN106802780A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201710083461.3

申请日：2012-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许南祚 ,  李相烨 ,  金容锡 ,  孙光燮

IPC: G06F3/14

Abstract: 提供一种移动终端及用于该移动终端的对象改变支持方法。所述移动终端包括：显示单元，用于输出至少一个对象；控制单元，控制以下操作中的至少一个：响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，直接将第二对象显示在显示单元上，而不使用屏幕转换；以及响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，将引导帧输出到显示单元上，以便于改变输出的对象，而不使用屏幕转换。