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公开(公告)号：CN107124140A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710393300.4
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路与传统平衡式倍频电路相比，输入输出波导过渡均采用鳍线过渡，使得射频输入输出波导可以在同一直线上。
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公开(公告)号：CN107104142A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710381089.4
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1075
Abstract: 本发明公开了一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构，涉及GaN HEMT器件结构技术领域，自下而上包括接地层、衬底、沟道层、势垒层、绝缘介质、台面、填充区、栅极、源极和漏极；栅极和漏极下面为绝缘介质，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，填充区内填充金，接地层为金，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，然后填充金，由于金具有良好的导电性，因此栅极和漏极对地之间的寄生电导减小，从而降低了射频信号在衬底上的损耗，提高器件的射频性能。
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公开(公告)号：CN107068751A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710368618.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明包括外延层，在所述外延层上两侧设有欧姆接触，两欧姆接触之间为肖特基接触，在形成的欧姆接触和肖特基接触上用晶片键合的方法粘合石英基片，形成二次衬底。本发明能够降低器件的反射损耗和传输损耗，获得更高调制深度的器件。
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公开(公告)号：CN107017902A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710370212.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H04B1/30 , H03D7/16 , H04B1/08 , H04B1/18 , H04B2001/307
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz接收机，涉及太赫兹技术领域。所述接收机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的接收机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述接收机的盒体为采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了接收机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。
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公开(公告)号：CN104851864B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510277094.1
申请日：2015-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/49 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体器件及其制作方法技术领域。所述二极管包括衬底，所述衬底上设有N+型GaN层和N‑型GaN层，第一欧姆接触层和N‑型GaN层保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层的上表面设有第二欧姆接触层，所述N‑型GaN层的上表面设有肖特基接触层，所述肖特基接触层与第二欧姆接触层之间通过空气桥进行连接，所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线，所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。所述二极管利用梁式引线结构，可以实现微小芯片的压焊机装配，减少了涂覆导电胶带来的麻烦，降低了器件装配难度，提高工作效率和器件的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985762B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410121742.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管，包括衬底以及位于衬底之上的源极和漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区从下往上依次为：石墨烯层、介质层和栅极。其制备方法包括：①形成石墨烯层；②沉积介质层；③在介质层上，通过光刻胶图形覆盖沟道区域；④腐蚀掉暴露出来的介质层；⑤刻蚀掉暴露出来的石墨烯层；⑥蒸发源漏极欧姆接触金属，形成欧姆接触金属层；⑦通过光刻胶图形覆盖所需要的源极和漏极区域；⑧形成源极和漏极；⑨形成栅极。本发明的方法实现了源漏欧姆接触金属与石墨烯的一维线接触，从而大大减小石墨烯与金属的接触电阻，从而增大最大振荡频率，有利于实现石墨烯场效应晶体管的应用。
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公开(公告)号：CN103400866B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310328121.4
申请日：2013-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN层；N-型GaN层的掺杂浓度从N+型GaN层的界面处开始非均匀分布；在N+型GaN层上生长欧姆接触电极；在N-型GaN层上生长有肖特基接触电极。本发明利用调制掺杂方式在N+型GaN层上生长N-型GaN层，提高了GaN材料的迁移率，改善了材料中电子浓度分布，减小了二极管的肖特基结电容，提高了其工作频率，进而提高了毫米波和太赫兹范围内倍频电路的工作频率和输出功率；通过控制调制掺杂可以有效控制肖特基二极管的变容比，提高器件的Q值。
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公开(公告)号：CN105870206A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610419726.8
申请日：2016-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L23/544
CPC classification number: H01L29/872 , H01L23/544 , H01L29/0684 , H01L2223/544
Abstract: 本发明公开了一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底，所述半绝缘GaAs衬底的下表面设有标记，用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。通过在衬底的背面上制作标记，区分二极管的阳极和阴极，避免装配错误，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。
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公开(公告)号：CN103258843B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310208689.2
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。
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公开(公告)号：CN103197486B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310120305.1
申请日：2013-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，涉及调制放大器技术领域。包括衬底、波导芯层、两个欧姆接触电极、石墨烯层和绝缘介质层，所述波导芯层位于所述衬底上表面的中部，所述波导芯层的上面和左右侧面设有两个以上石墨烯层，每相邻的两个石墨烯层之间使用绝缘介质层进行电学隔离，两个欧姆接触电极位于所述波导芯层左右两侧的衬底上，最上层石墨烯层和最下层石墨烯层通过欧姆接触电极分别与正负电压相连。所述调制放大器可以实现对THz波的调制，同时实现对THz波的放大。
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