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公开(公告)号：CN118927146A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411024144.0
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金刚石抛光夹具及抛光方法，属于金刚石处理技术领域，包括主体底座以及可移动式夹具托，主体底座的上表面设置有胶槽，主体底座的下表面设置有轴杆，轴杆用于与抛光机头连接；可移动式夹具托设置于主体底座的四周，以夹紧胶粘于主体底座上表面的金刚石片，并可通过移动以夹持不同尺寸的金刚石片。本发明提供的金刚石抛光夹具及抛光方法，利用高温胶粘以及夹具托夹紧的方式，将金刚石片固定在主体底座上，提升金刚石片夹紧的稳定性，有效降低了抛光裂片风险；同时通过该抛光夹具的使用，能够优化金刚石片表面粗糙度和整体厚度均匀情况，有效抑制了抛光过程引入的应力损伤，从而获得高质量的单晶金刚石加工产品。
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公开(公告)号：CN115637492A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211246733.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B25/18 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种双面金刚石的制备方法及双面金刚石。该方法包括：在衬底的上表面和下表面均制备金刚砂种子，得到第一复合衬底；将散热工装放置在金刚石生长炉内的钼托上，散热工装为环形中空结构，在散热工装的侧壁设有穿透侧壁的孔；将第一复合衬底放在所述散热工装上，关闭金刚石生长炉的舱门，在第一复合衬底的双面生长金刚石，得到双面金刚石。本发明能够制备表面均匀平坦的外延金刚石材料。
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公开(公告)号：CN112485734B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202011035888.4
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及金刚石色心制备技术领域，具体公开一种提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法。所述提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法，包括如下工艺步骤：a、取长方体金刚石，使用2‑10MeV电子束对其进行辐照；b、将经过所述辐照后的所述金刚石在1‑5‑10‑5mbar、850‑1000℃下退火；c、去除完成所述退火后的所述金刚石表面的氧化层和杂质，在所述金刚石相对的两个侧面分别连接光纤，剩余的四个面镀上全反射镀层。本发明提供的提高金刚石NV色心荧光收集效率的方法可以使单晶金刚石色心腔体达到类似光纤腔体的高效率荧光反射与收集的效果，显著增加金刚石NV色心的荧光收集效率。
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公开(公告)号：CN110416290B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201910695737.2
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于晶体管制备技术领域，提供了一种金刚石晶体管制备方法，该方法包括：提供氢终端金刚石，在氢终端金刚石上制备源极和漏极；将预先制备的栅介质层转移贴合在制备有源极和漏极的氢终端金刚石上；在栅介质层上制备栅极，得到金刚石晶体管。通过转移栅介质层避免高温制备栅介质层破坏氢终端金刚石的沟道，从而避免了晶体管电流密度的退化。
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公开(公告)号：CN111599680A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010387480.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在重掺杂P型金刚石衬底的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层；在缓冲层的上表面生长重掺杂p型金刚石外延层；光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和垂直沟道；光刻出源区图形窗口，淀积源极金属，形成源电极；在重掺杂P型金刚石衬底的背面淀积漏极金属，形成漏电极；沉积栅极钝化层；光刻出栅形貌，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积器件钝化层；光刻制作电极图形。本发明采用P+/P-/P+结构形成开关器件，在高掺杂p型金刚石衬底的背面形成漏极欧姆接触；中间缓冲层采用低掺杂p型金刚石，栅极采用肖特基接触，提高了开关频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107500278B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710928128.8
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。包括以下步骤：选择绝缘衬底，对绝缘衬底清洗，干燥；将清洗好的绝缘衬底放入CVD设备中，抽真空至≤10‑4mbar；开启微波电源，真空环境升温，去除绝缘衬底表面吸附的气体；通入氩气和氢气作为载气，氩气流量为1‑30L/min，氢气流量为1‑60L/min；通入气态碳源，气态碳源流量与氢气流量之比控制在0.001％‑50％之间；通入气态氮源，流量为0.005‑2L/min；在生长温度在500‑1800℃之间，保持气体压力为500‑1000mbar，持续时间为1‑100min，在绝缘衬底表面得到1‑5层P型掺杂的石墨烯。该方法操作简单，成本低，可控制石墨烯材料表面褶皱密度，有助于制备表面形貌平坦，高质量的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN110416290A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910695737.2
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于晶体管制备技术领域，提供了一种金刚石晶体管制备方法，该方法包括：提供氢终端金刚石，在氢终端金刚石上制备源极和漏极；将预先制备的栅介质层转移贴合在制备有源极和漏极的氢终端金刚石上；在栅介质层上制备栅极，得到金刚石晶体管。通过转移栅介质层避免高温制备栅介质层破坏氢终端金刚石的沟道，从而避免了晶体管电流密度的退化。
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公开(公告)号：CN110395727A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910695721.1
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于色心金刚石制备技术领域，提供了一种色心金刚石制备方法及色心金刚石，该方法包括：沿长方体状的金刚石的最短边的长度方向对长方体状的金刚石的任意一个最短边进行切削，形成凹弧形切削面；对切削后的金刚石进行处理产生色心；在产生色心的金刚石除凹弧形切削面外的其他面上均镀上复合膜；其中，复合膜包括高反射率镀层。激光由凹弧形切削面入射，提高了激光的光程。同时复合膜具有高反射率，可以避免激光和荧光被折射出金刚石，提高了荧光的收集率及激光的激发效率。
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公开(公告)号：CN107601473B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710933876.5
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。选择半绝缘SiC衬底，清洗干燥后放入CVD设备中，抽真空；再去除SiC衬底表面吸附气体；通入氢气，氢气流量1‑60L/min，去除SiC衬底表面损伤层和划痕；成核阶段：通入氩气，氩气分压比例控制在70％以上；通入气态碳源，流量0.001‑10L/min，气态碳源与氢气流量之比为0.001％‑50％；生长阶段：氢气分压比例控制在70％以上；通入气态氮源，流量0.001‑2L/min；成核温度和生长温度在1100‑1900℃之间，保持气体压力50‑1000mbar，成核阶段持续时间1‑10min，生长阶段持续时间10‑100min，在SiC衬底表面得到1‑5层P型掺杂的石墨烯。该方法有助于制备表面形貌平坦，均匀一致的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN104866155B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510321904.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F3/044
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石盖板石墨烯投射式电容屏及制备方法，涉及电容屏技术领域。从上至下依次包括蓝宝石盖板层、石墨烯工作层、粘着剂层、玻璃基板层和ITO屏蔽层，石墨烯工作层由X轴石墨烯矩阵和Y轴石墨烯矩阵组成，形成石墨烯矩阵图案；X轴石墨烯矩阵和Y轴石墨烯矩阵相互交叉，X轴石墨烯矩阵内的各个石墨烯单元在X轴方向上两两之间相互连接，且X轴石墨烯矩阵两端分别与X轴金属引线连接，Y轴石墨烯矩阵内的各个石墨烯单元在Y轴方向上两两之间通过金属桥相互桥接，且Y轴石墨烯矩阵两端分别与Y轴金属引线连接。本发明将蓝宝石和石墨烯合理的结合，提高了触摸屏表面的耐磨性，石墨烯的应用简化了制作工艺，提高了透光率，降低了制作成本。
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