-
公开(公告)号：CN105676154B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610006172.9
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种专门适用于PPMS的铁磁性材料的磁熵变测量方法。本发明的建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变‑温度特性的技术方案，通过技术处理后的测试数据可利用常规的计算方法来得到磁性材料的磁熵变‑温度特性，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以评估磁性材料的磁熵变—温度特性的难题，且其效率大大提升，极大地降低了科研人员的人力成本。
-
-
公开(公告)号：CN104862664B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510257345.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种专门用于原子层化学气相沉积技术的图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，所使用的原料包括三甲基铝、惰性气体、臭氧和片状衬底，所述图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，利用磁力夹持法将衬底固定于特制的样品托盘上，在衬底上表面覆盖有具有所需图形的金属掩膜版，采用原子层化学气相沉积技术制备得到图形化的氧化铝超薄薄膜。该方法可使氧化铝超薄薄膜免受杂质离子污染，图形边缘清晰，无侧向侵入现象，薄膜不易受损伤，工艺简单。
-
公开(公告)号：CN105386005B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510764503.0
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种制备组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
-
公开(公告)号：CN105675711A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610008914.1
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种批量获取磁性材料M-T、ΔS-T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变-温度特性的技术方案，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以评估磁性材料的磁熵变—温度特性的难题，其效率大大提升，极大地降低了对计算机内存的需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104032372B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410271430.7
申请日：2014-06-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/VO2复合纳米材料及其制备方法。所述材料依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO2多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2oC，具有可逆的金属—绝缘相变特性。该材料的制备首先以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶四角棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，在氧气占8%~11%的氮氧混合气环境下，在ZnO纳米材料表面沉积多晶VO2薄膜；最后移除模板得到图形化VO2/ZnO复合相变材料。优点是，该方法制得的VO2纳米结构形貌丰富，具有VO2的金属—半导体相变特性，又结合了ZnO的宽禁带半导体的特性，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105369216A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510764938.5
申请日：2015-11-11
CPC classification number: C23C16/407 , C23C16/403 , C23C16/52
Abstract: 一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611？，c=7.942？；采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
-
公开(公告)号：CN104218110A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410441357.3
申请日：2014-09-01
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/048 , H01L31/052 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52 , H01L31/0488
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池封装结构，包括带空腔的双层玻璃、置于空腔内的未封装的太阳能电池片，双层玻璃由前侧玻璃和后侧玻璃沿四周密封拼接而成，双层玻璃内部抽真空，太阳能电池片的背部固定在后侧玻璃的内壁上，太阳能电池片的向光面至前侧玻璃内壁的距离为3-5cm，前侧玻璃为太阳能白玻璃或树脂玻璃，厚度为3-5mm。将电池片置于双层玻璃内，并且电池片的向光面与前侧玻璃存在一定的距离，入射光穿过玻璃的时候发生折射和衍射，从而减轻鸟粪对阳光的遮挡，不会在电池片形成无光区域，从而消除热岛效应。本发明封装结构对太阳能的利用率更高，便于维护，大大降低对电池表面清洁的频率，减少了人工的投入；并且在工业上易于制造。
-
公开(公告)号：CN103165721A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310112387.5
申请日：2013-04-01
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种并联双结太阳能电池，包括硅片，硅片的上表面一侧由内向外依次制有一个深结和一个浅结，形成P-N-P型或N-P-N型双结电池，电池的掺杂元素扩散在深结和浅结之间的第一晶硅层内，第一晶硅层从内向外延伸至顶电极区，并且顶电极区为重掺杂区，浅结上方为与掺杂元素电性相反的第二晶硅层，第二晶硅层位于硅片上表面的顶电极区域以外，顶电极与第一晶硅层欧姆接触，非顶电极区制有与第二晶硅层欧姆接触的反型电极，反型电极与背电极连接。本发明在同一个单晶硅电池内形成了两个PN结，并共用一个p区，减少了串联叠层电池中载流子需要穿越隧穿结的困难；浅结有利于短波的吸收，深结有效保证长波的吸收，因此电池的性能更好。
-
公开(公告)号：CN118032860A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211383798.3
申请日：2022-11-07
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明揭示了一种温度校正式宽测量范围的湿度传感器，湿度敏感材料位于一对电极之间构成湿度敏感电阻，沿着电极的长度方向上，不同位置处的湿度敏感材料具有不同的最佳感湿灵敏度；湿度传感器还设置有MCU，MCU根据温度传感元件测量得到的温度T，推算标准数据库中的该温度T对应的所有湿度敏感电阻R，得到该温度T对应的湿度敏感电阻R序列，再根据当次测量得到的湿度敏感电阻R，获得对应温度T和对应湿度敏感电阻R的湿度H。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
104
records
(took 0.028 seconds)
