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公开(公告)号：CN101918888B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980102063.5
申请日：2009-03-31
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L29/458 , C22C21/00 , C22C21/10 , C23C14/3414 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12049
Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。
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公开(公告)号：CN102473732A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033080.0
申请日：2010-07-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。
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公开(公告)号：CN102197335A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142715.8
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/18 , C23C14/3414 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜，提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜，其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜，该Al合金膜含有0.05～2.0原子％的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素，同时含有0.02～2原子％的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素，且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。
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公开(公告)号：CN101542696A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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公开(公告)号：CN100511687C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610009047.X
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at%的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at%的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at%的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373249C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510064947.X
申请日：2005-04-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124
Abstract: 一种显示装置，它包括绝缘基材、安置在绝缘基材上的薄膜晶体管、包含透明电极的象素电极以及作为用于电连接薄膜晶体管和象素电极之间的连接线路部分的铝合金膜。所述铝合金膜是包括不含氮铝合金层以及安置在第一层上并含有氮的另一个铝合金层的多层铝合金层膜。所述含氮层保证了对碱溶液的耐腐蚀性。所述含氮铝合金层至少在与象素电极的连接区域中被去除，以使象素电极直接连接第一铝合金层。
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公开(公告)号：CN1315003C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200310123124.0
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02F1/133553 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/12 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件用以下部分构成：由金属氧化物构成的第一电极；与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极；这里，在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在，所述铝合金膜，含有0.1～6原子%的从由Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Bi构成的一组中选择的至少一种作为合金成分。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。
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公开(公告)号：CN1917218A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610114890.4
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/458 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1－6原子％的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。
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公开(公告)号：CN1683980A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510064947.X
申请日：2005-04-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124
Abstract: 一种显示装置，它包括绝缘基材、安置在绝缘基材上的薄膜晶体管、包含透明电极的象素电极以及作为用于电连接薄膜晶体管和象素电极之间的连接线路部分的铝合金膜。所述铝合金膜是包括不含氮铝合金层以及安置在第一层上并含有氮的另一个铝合金层的多层铝合金层膜。所述含氮层保证了对碱溶液的耐腐蚀性。所述含氮铝合金层至少在与象素电极的连接区域中被去除，以使象素电极直接连接第一铝合金层。
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