公开(公告)号：CN1892823A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610002915.1

申请日：2006-01-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  栗原克树 ,  平林启 ,  大池太郎 ,  松隈裕树

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3133 ,  G11B5/4826 ,  G11B5/6005 ,  G11B5/6064 ,  G11B2005/0005

Abstract: 提供一种在不但保证发热操作可靠性、而且使读输出稳定的条件下，具有改善的伸出效率的薄膜磁头。所述磁头包括：用于写和/或读数据信号的磁头元件；用于至少在所述磁头元件的操作期间产生热的发热元件；以及与所述发热元件邻近的第一散热元件，所述第一散热元件用于接收所述发热元件产生的部分热，所述第一散热元件与所述磁头元件保持某一距离。

公开(公告)号：CN119573779A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411227819.1

申请日：2024-09-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  平林启

IPC: G01D5/165 ,  G01B7/30

Abstract: 本发明涉及一种磁传感器、磁传感器装置及磁传感器系统。所述磁传感器具备：第一～第三结构物，它们分别具有用于使磁检测元件检测离开基准轴的第一～第三位置处的对象磁场的结构；和第一～第三检测电路，它们分别包含第一～第三磁检测元件。第二位置是从第一位置以基准轴为中心按绕轴方向旋转了相当于电角度的(120+360×m)°的角度的位置，第三位置是从第一位置以基准轴为中心按绕轴方向旋转了相当于电角度的(240+360×n)°的角度的位置。

公开(公告)号：CN118642020A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285210.3

申请日：2024-03-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 礒田刚大 ,  太田宪和 ,  渡部司也 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器具备：软磁性体，具有位于相互相反侧的第1端面和第2端面；第1MR元件，配置于第1端面的附近；第2MR元件，配置于第2端面的附近；第1引线，电连接第1MR元件和第2MR元件，并且包括从与第1MR元件和第2MR元件排列的第1方向正交的第2方向观察时与软磁性体重叠的部分。

公开(公告)号：CN111722164B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202010092230.0

申请日：2020-02-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/00

Abstract: 磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A～14A)。多个MR元件(11A～14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。

公开(公告)号：CN115840177A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211154982.0

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  望月慎一郎 ,  渡部司也 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器装置具备第一检测电路、第二检测电路以及处理器。处理器构成为执行生成第一初始检测值的第一生成处理、生成第二初始检测值的第二生成处理、第一修正处理、第二修正处理、以及确定处理。第一修正处理是修正第一初始检测值并更新第一初始检测值的处理。第二修正处理是修正第二初始检测值并更新第二初始检测值的处理。处理器在交替执行第一修正处理和第二修正处理之后执行确定处理。

公开(公告)号：CN111308403B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201911273832.X

申请日：2019-12-12

Applicant: TDK株式会社 ,  旭化成微电子株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  平林启 ,  奥津吉隆 ,  吉田将规

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器装置具备复合芯片部件和安装于复合芯片部件上的传感器芯片。传感器芯片包含：第1磁传感器，检测外部磁场的平行于X方向的方向的分量；第2磁传感器，检测外部磁场的平行于Y方向的方向的分量；以及第3磁传感器，检测外部磁场的平行于Z方向的方向的分量。复合芯片部件包含：第1磁场发生器，产生平行于X方向的方向的附加磁场分量；第2磁场发生器，产生平行于Y方向的方向的附加磁场分量；以及第3磁场发生器，产生平行于Z方向的方向的附加磁场分量。

公开(公告)号：CN110579728B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201910480815.7

申请日：2019-06-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  平林启 ,  斋藤祐太

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁检测装置具备：第一磁检测元件，具有第一电阻值，第一电阻值因施加第一方向的第一磁场而增大且因施加第二方向的第二磁场而减小；以及第二磁检测元件，具有第二电阻值，第二电阻值因施加第一磁场而减小且因施加第二磁场而增大。第一磁检测元件和第二磁检测元件均包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜，第一磁阻效应膜具有第一长轴方向，第一长轴方向相对于第一方向以第一倾斜角度倾斜；第二磁阻效应膜与第一磁阻效应膜串联且具有第二长轴方向，第二长轴方向相对于第一方向以第二倾斜角度倾斜。而且，该磁检测装置满足条件表达式(1)和条件表达式(2)。

公开(公告)号：CN114114101A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110240071.9

申请日：2021-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  梅原刚 ,  斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件，其包含在第一方向上相互相对的第一侧面及第二侧面、以及在实质上与第一方向正交的第二方向上相互相对的第一端面及第二端面，该磁阻效应元件在第一方向上具有灵敏度轴；第一轭部，其与磁阻效应元件的第一侧面相邻地设置；以及第一偏置磁场产生部，其与磁阻效应元件的第一端面相邻地设置，第一偏置磁场产生部设置为可对磁阻效应元件及第一轭部施加偏置磁场。

公开(公告)号：CN108574039B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201711463839.9

申请日：2017-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  太田尚城 ,  平林启 ,  田中良明

IPC: H01L41/12 ,  H01L41/06

Abstract: 本发明提供了一种磁传感器，其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠，元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1)，并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串联连接。

公开(公告)号：CN110926506B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201910887182.1

申请日：2019-09-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  平林启

IPC: G01D5/14 ,  G01B7/30

Abstract: 本发明涉及角度传感器系统。磁场产生部产生与检测对象的角度相关的检测对象磁场。角度传感器包含第一磁传感器、第二磁传感器和运算器。第一磁传感器在第一检测位置上检测包含检测对象磁场的第一施加磁场，并且生成与检测对象的角度具有对应关系的第一检测信息。第二磁传感器在第二检测位置上检测包含检测对象磁场的第二施加磁场，并且生成与检测对象的角度具有对应关系的第二检测信息。运算器使用第一检测信息和第二检测信息生成角度检测值。第二检测位置上的检测对象磁场的强度相对于第一检测位置上的检测对象磁场的强度之比为1.65以上。