公开(公告)号：CN1914799B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200580003540.4

申请日：2005-01-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口诚 ,  神名重男 ,  田中雅子

IPC: H03H9/17 ,  G01P9/04 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02015 ,  G01C19/5607 ,  H03H9/21

Abstract: 本发明的目的在于提供在宽的温度范围内频率温度特性良好的音叉型振动片，即在宽的温度范围内频率变化也很小的音叉型振动片。作为解决手段，本发明的音叉型振动片使用GaPO4作为压电材料，具有一对臂部，其特征在于：绕着作为所述GaPO4的晶轴的X轴、Y轴和Z轴中的所述X轴，向着+X轴方向以顺时针方向旋转大于等于7.7°且小于等于11.3°的角度，相对于由此得到的所述X轴、新的Y′轴以及Z′轴，使所述臂部的厚度方向成为所述Z′轴，使所述臂部的宽度方向成为所述X轴，使所述臂部的长度方向成为所述Y′轴。

公开(公告)号：CN102208906A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110076295.7

申请日：2011-03-29

Applicant: 新科实业有限公司

Inventor： 中野正洋 ,  上村裕彦 ,  饭岛淳

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02149 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02944 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明中的声表面波装置具有压电性单晶基板10，形成在所述压电性单晶基板的由导电性材料构成的基础电极层21，在该基础电极层上通过外延成长形成的含铝的主电极层22，以及由它们构成的叉状电极20。在所述电极20中，具有形成在所述主电极层22上，由与该主电极层以及所述基础电极层不同且比重比铝大的导电性材料构成的上部层23。

公开(公告)号：CN1248414C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03101033.4

申请日：2003-01-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村大佐 ,  上坂健一 ,  吉野幸夫 ,  竹内雅树 ,  后藤义彦 ,  野村忠志

IPC: H03H9/54

CPC classification number: H03H9/564 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/568

Abstract: 一种包括衬底和振子的压电谐振器。振子包含薄膜部分，其包含至少一个设置在衬底上的压电薄膜层；和设置在衬底上的至少一对上电极和下电极。振子有这样的结构，其中薄膜部分通过在振子的深度方向上彼此相对的上电极和下电极，夹在振子的上表面和下表面之间；和由相对的上电极和下电极确定的振子重叠部分，从衬底的深度方向观看，具有区别于长方形和正方形的四边形形状，四边形形状具有基本平行的边，其纵向长度大体上等于或小于约10倍振荡波长，并且有至少一部分，其中相对的电极边缘之间的距离是变化的。

公开(公告)号：CN1705226A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510074764.6

申请日：2005-06-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈修一

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02157 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/173 ,  H03H2003/021

Abstract: 一种薄膜体音响谐振器，其目的在于降低横振荡型引起的杂散信号。薄膜体音响谐振器由第一电极(12)、与该第一电极(12)的上面邻接形成的压电体层(13)、与该压电体层(13)的上面邻接形成的第二电极(14)的层积体构成，使该第一及第二电极(12)及(14)具有与空气接触的分界面，其中，该压电体层(13)的整个端面存在于该第一电极(12)及该第二电极(14)的内侧。

公开(公告)号：CN109478591A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780037856.8

申请日：2017-06-19

Applicant: IQE公司

Inventor： 王望南 ,  安德鲁·克拉克 ,  吕蒂斯·达吉斯 ,  迈克尔·莱比 ,  罗德尼·佩尔策尔

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L41/0815 ,  H01L41/319 ,  H03H9/02015 ,  H03H2003/021

Abstract: 本发明提出了一种层型结构(1100，1030)，其包含外延生长在金属层之上的结晶压电III-N层(1110，1032)，所述金属层外延生长在半导体(1102，1002)上的稀土氧化物层之上。所述稀土氧化物层包括至少两个分立部分(1104，1004)，并且所述金属层包括至少一个金属部分(1108，1006)，所述金属部分与邻近的分立部分部分交叠，优选地在气隙(1008)上形成桥，所述层型结构特别适合用于RF滤波器。

公开(公告)号：CN109039297A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810835617.3

申请日：2018-07-26

Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司

Inventor： 彭彦豪 ,  李平 ,  胡念楚 ,  贾斌

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02015 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/174

Abstract: 本发明公开了一种体声波器件，包括衬底；位于衬底第一表面的第一电极；位于第一电极背向衬底一侧表面的压电薄膜；位于压电薄膜背向衬底一侧表面的第二电极；其中，压电薄膜中位于第二电极与第一电极相错区域的压电薄膜形成非体声波传播部；位于非体声波传播部的第三电极；其中，第三电极与第一电极和第二电极中的至少一个形成电容。由于上述第三电极的存在，相当于在体声波器件中集成了一个电容。当包含有该体声波器件的滤波器、双工器或多工器处在工作状态时，上述在体声波器件中集成与体声波器件相互并联的电容可以有效提升滤波器、双工器或多工器的性能。本发明还提供了一种体声波器件的制备方法，所制备的体声波器件同样具有上述有益效果。

公开(公告)号：CN104854793B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201280077848.3

申请日：2012-12-21

Applicant: 快速追踪有限公司

Inventor： G.穆拉尔

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/04 ,  H03H9/70 ,  H01H1/00 ,  H01H57/00 ,  H01L41/09 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/706 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/27 ,  H01P5/12 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/171 ,  H03H9/205 ,  H03H9/58 ,  H03H2003/0435 ,  H03H2003/0471 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49005

Abstract: 提供改进的BAW部件、BAW部件的叠层和用于制造BAW部件的方法。BAW部件的叠层（L）包括具有第一压电材料的第一层（PM1）和具有第二压电材料的第二层（PM2），该第二压电材料与该第一压电材料不同。第一和第二压电材料可以分别是Sc掺杂AlN和AlN。公开用于制造具有不同谐振频率或开关闭合电压的多个BAW部件的方法。部件包括具有不同蚀刻选择性的两个压电层的堆叠并且方法牵涉在选择的部件中去除其中一个层。

公开(公告)号：CN108336982A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810039429.X

申请日：2018-01-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 韩源 ,  金大虎 ,  金龙石 ,  韩昇勋 ,  李文喆 ,  林昶贤 ,  李成俊 ,  尹湘基 ,  金泰润 ,  孙尚郁

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/05

CPC classification number: H03H9/02118 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/132 ,  H03H9/17 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器，包括：基板；膜层，与所述基板一起形成腔；下电极，设置在所述膜层上；压电层，设置在所述下电极的平坦表面上；以及上电极，覆盖所述压电层的部分并使所述压电层的侧部暴露于空气，其中，所述压电层包括台阶部，所述台阶部从所述压电层的所述侧部延伸并设置在所述下电极的所述平坦表面上。

公开(公告)号：CN107689781A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710060870.1

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李泰京 ,  姜仁瑛 ,  申兰姬 ,  孙晋淑

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/171 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/173 ,  H03H9/54 ,  H03H9/02039 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/172 ,  H03H2003/023

Abstract: 提供了一种体声波谐振器、滤波器和体声波谐振器的制造方法，所述体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在基板之上；压电主体，设置在第一电极上，并包括多个压电层，所述多个压电层中的每个包括具有掺杂材料的氮化铝；第二电极，设置在压电主体上，其中，所述多个压电层中的至少一个是在压应力下形成的受压压电层。

公开(公告)号：CN107508571A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710864033.4

申请日：2017-09-22

Applicant: 安徽安努奇科技有限公司

Inventor： 何军 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/174 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明公开了一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，其制备方法包括：在第一衬底上形成单晶压电材料层；在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。本发明实施例通过提供一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，解决了生长较厚的单晶压电材料形成压电薄膜时，生长缓慢、生产成本高、工艺难度大，很难实现低频段压电谐振器的问题；同时还解决了生长多晶压电材料形成压电薄膜时，材料结晶质量较差，压电谐振器性能降低的问题。本发明实施例既易于实现低频段压电谐振器，又可以提高压电谐振器的性能，且多晶压电材料的结晶度较高。