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公开(公告)号：CN113463069B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110338805.7
申请日：2021-03-30
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , H01L21/02
Abstract: 在一些实施例中，提供了使用相同反应化学物质同时且选择性地将第一材料沉积在衬底的第一表面上和将第二不同材料沉积在同一衬底的第二不同表面上的方法。例如，第一材料可选择性地沉积在金属表面上，而第二材料同时且选择性地沉积在相邻的介电表面上。所述第一材料和所述第二材料具有不同的材料特性，如不同蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN119563380A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380052032.3
申请日：2023-06-01
Applicant: 斯帕尔克纳诺有限公司
Inventor： 保罗·柏特 , 玉龙·安东尼斯·斯梅尔廷克 , 科内利斯·亨利库斯·弗莱特斯 , 维克托·迪伦
IPC: H05H1/24 , C23C16/455 , C23C16/513 , C23C4/00
Abstract: 一种等离子体源包括等离子体沉积头、电极板和气体供应系统。所述等离子体沉积头包括：用于将大气等离子体输送到基材的孔洞以及从所述孔洞延伸的开槽腔体。所述电极板安装在所述开槽腔体中并从所述沉积头的内部朝向所述孔洞延伸。所述气体供应系统包括气体入口、气体供应腔室和气体出口。气体供应腔室被布置成用于：接收来自所述气体入口的气体质量流并在所述气体出口之间分配气体质量流。所述气体出口设置在所述电极板的相对两侧。在使用中，所述气体质量流被分配，以在所述电极板的相对两侧提供大气等离子体流。
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公开(公告)号：CN119553249A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411861855.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 青岛四方思锐智能技术有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本申请提供一种旋转镀膜装置及其控制方法，涉及控制技术领域。在本申请中，至少一条气路分别与反应腔室的内腔体连通；其中，每条气路在沿着气路至内腔体的方向上依次设置气体供给设备、MFC和反应源供给设备，MFC用于控制气体供给设备提供的惰性气体的气体流量，惰性气体用于将反应源供给设备提供的反应源引入内腔体；电机控制器用于接收MFC发送的第一消息，并根据第一消息携带的气体流量确定旋转电机的目标电机转速，以及向旋转电机发送控制指令；其中，旋转电机与内腔体内的工作盘旋转连接，工作盘用于承载待镀膜的半导体，控制指令用于指示旋转电机按照目标电机转速带动工作盘旋转。故而，提高了半导体镀膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN116005116B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202211742559.2
申请日：2022-12-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及的一种可穿戴的可见和红外双波段隐身材料及其制备方法，具体包括以下步骤：以双通多孔材料为基底，通过电子束蒸镀在基底材料上蒸镀金颗粒形成基底材料与金的复合器件；将形成的复合器件置于反应液中反应，使基底材料在反应液中溶解，留下金结构；在设置金柱的一侧沉积高温耐受金属氧化物，沉积厚度为纳米级尺寸。所获得的隐身材料通过金颗粒之间的局域等离激元效应使材料具有可见与红外的双隐身特性，同时因其为孔隙多，提供了舒适的穿戴特性。
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公开(公告)号：CN119542106A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411577810.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，公开一种盖板组件、半导体处理腔室和半导体镀膜设备，包括：盖板，沿其厚度贯穿有一个或多个观察孔；观察结构，包括有设置于所述观察孔的凸形观察窗，其中，所述凸形观察窗的第一侧面为凸起部且背离半导体处理腔室。这样，能有效提高观察窗的受热能力，从而减少观察窗出现裂痕、碎裂等情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119530771A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411925667.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备的粉末内腔，包括：壳体，所述壳体内设置有容纳腔；盖板，所述盖板设置于所述容纳腔内；内胆，所述内胆设置于所述盖板上，且与所述容纳腔的内壁间隔预设距离；所述容纳腔与原子层沉积设备的反应腔室连接。本申请提供的一种原子层沉积设备的粉末内腔兼容现有的平面原子层沉积设备，无需设备改造就能进行粉体包覆；粉末内腔通过螺丝与原子层沉积设备外腔连接，方便拆卸以及维护；滤网目数可进行调整，兼容不同粒径的粉体。
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公开(公告)号：CN119530767A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411581602.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种多路进气混合装置及半导体镀膜设备，涉及半导体技术领域。该多路进气混合装置包括相互连接的进气模块与混气模块，进气模块内设置有用于外接多路气源的多个进气流道；混气模块具有混气腔，混气腔具有进气端与出气端，多个进气流道均具有导流输出段，多个导流输出段沿偏离混气腔轴线的方向与进气端连通，以使流入进气端的多路气体螺旋流向出气端。本发明提供的多路进气混合装置的混气效率更高，混气均匀性更好，并能够提升薄膜沉积效果。
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公开(公告)号：CN119528447A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411481905.5
申请日：2024-10-22
Applicant: 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
IPC: C03C17/00 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种玻璃镀膜器及玻璃镀膜方法，涉及玻璃镀膜器技术领域，包括镀膜器主体，所述镀膜器主体的底部设置有玻璃主体，所述镀膜器主体的内部分别开设有进气狭缝和排气狭缝，用于使前驱体和第四氮气进入和排出；本发明通过设计的延长机构，在进气狭缝和排气狭缝之间设置的第一底面、第二底面和第三底面，以及调控多个氮气从上述三个底面输出的流量、温度和方向，使氮气不仅作为载气使用，也是作为驱动前驱体与玻璃表面更多接触的动力以及驱动前驱体横向均匀的动力使用，不仅提高了前驱体的利用率，还延长了前驱体的有效输出时间，提升了对玻璃表面镀膜的效果。
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公开(公告)号：CN117904597B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410065588.2
申请日：2024-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种超疏水自清洁透明超薄涂层及其制备方法和应用，属于功能材料制备技术领域。本发明首先利用原子层沉积技术在基底表面制备一层Al2O3薄膜，然后采用刻蚀方法在Al2O3涂层表面构筑针形阵列微纳结构，在利用ALD技术构筑ZnO涂层实现针形阵列的加固与保护，提高涂层的耐候性和坚固性，最后为了进一步降低涂层表面能，降低灰尘颗粒的粘附性，使用全氟癸基三乙氧基硅烷进行低表面能改性，制备出具有优异超疏水防尘性能和耐候性兼具的Al2O3/ZnO自清洁涂层。此外，本发明提供的制备方法具有工艺简单，原料易得，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN115928040B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211525182.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种钨化学气相淀积方法，包括：步骤一、提供表面形成有第一粘附层和第二阻挡层的底层结构。步骤二、进行钨化学气相淀积在第二阻挡层的表面形成钨层。钨层由钨籽晶层和钨主体层叠加而成。钨籽晶层的淀积过程中，工艺气体采用如下分步骤通入到反应腔中：步骤21、进行含钨前体的通入，同时通入第一还原剂气体。步骤22、在延迟第一时间后通入第二还原剂气体，利用含钨前体和第二还原剂气体成核反应形成钨籽晶层。第一还原剂气体的活性小于第二还原剂的活性，用于在第二还原剂气体出现切换作业故障时防止含钨前体的离子对第一粘附层产生腐蚀。本发明能防止发生异常成核并从而避免由异常成核导致产品报废，最后能提高产品良率。
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