一种气包装置及原子层沉积设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117512568A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311744333.0

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本申请涉及半导体制造工艺设备技术领域,公开一种气包装置,包括第一容气部;第二容气部,与所述第一容气部可拆卸连接,共同形成用于装载气体的气包容腔;所述第一容气部和所述第二容气部中的至少一个可改变自身用于装载气体的空间大小,以调节气包容腔的体积。本申请实现可拆卸式气包,能够帮助工艺工程师较为方便地观察气包内部的腐蚀情况。同时,实现可调节式气包,使得工艺工程师可以较为方便地调节气包的气体存储容量。本申请还公开一种原子层沉积设备。

    工艺管道加热装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113186515A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110545307.X

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 一种工艺管道加热装置,其包括真空腔体、加热器及工艺气氛管道,所述真空腔体包括相对的真空侧和大气侧,所述真空侧承受真空,所述大气侧承受标准大气压,所述加热器包括密封筒体和位于所述密封筒体内的发热元件,所述工艺气氛管道穿设于所述密封筒体,所述密封筒体的内壁和所述工艺气氛管道外壁之间为大气状态,所述密封筒体包括相对的真空端和密封端,所述真空端与所述密封筒体密封连接,所述密封端和所述真空腔体密封连接,防止发热元件材料污染真空腔体,改善镀膜质量,降低颗粒物生成的风险,防止堵塞工艺管道。

    一种化学源瓶保温装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113774359B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202111114345.6

    申请日:2021-09-23

    Abstract: 本发明提供一种化学源瓶保温装置,包括外壳,所述外壳内放置源瓶,所述源瓶具有进入管和排出管,所述进入管和所述排出管穿出所述外壳;所述外壳内安装若干加热器;所述外壳上结合安装与其内部连通的氮气进入管路和氮气排出管路;所述外壳具有真空夹层。所述化学源瓶保温装置有利于源瓶的保温,避免因突然断电降温导致前驱体冷凝导致的管路或阀体的堵塞;通过设置外壳内通氮气,可以在源瓶密封失效时防止前驱体与空气中的氧气或水蒸气发生反应,保证工艺效果;外壳由可拆卸连接的筒体和盖体组成,方便对源瓶进行维护。

    一种化学物质输送系统及方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116837348A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310783458.8

    申请日:2023-06-28

    Abstract: 本申请提供一种化学物质输送系统及方法,载气进气口通过第一载气支路与汽化器连接,载气进气口通过第二载气支路分别与第一和第二阀门连接;第一阀门连接前级管路,第二阀门连接反应腔体;汽化器通过液体化学物质输送管路,与液体化学物质输送系统连接;汽化器通过薄膜沉积管路分别与第三和第四阀门连接;第三阀门连接前级管路,第四阀门连接反应腔体;第一阀门和第四阀门用于在输送化学蒸汽时开启,在进行吹扫时关闭;第二阀门和第三阀门用于在进行吹扫时开启,在输送化学蒸汽时关闭。从而本申请通过四个阀门之间的快速切换,可快速将大量化学物质输入反应腔,满足微观结构复杂的薄膜沉积的需求。

    一种旋转镀膜设备
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113652645B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202110897117.4

    申请日:2021-08-05

    Abstract: 本发明涉及一种旋转镀膜设备,包括:反应组件,包括反应腔体和进气盘,反应腔体具有反应腔,进气盘置于反应腔内,并用于向反应腔输送反应气体;调整组件,包括被构造为可受控移动的调整台;加热台,可转动地连接于调整台上,且位于反应腔内,加热台具有用于承载工件的承载位,且用于对承载于承载位上的工件进行加热;其中,调整台在受控移动的过程中能够带动承载位上的工件靠近或远离进气盘。上述旋转镀膜设备,通过工件在加热的同时也能够进行旋转,使得反应气体能够更加均匀地沉积在工件上。同时,工件与进气盘的距离还能够通过调整台进行调整,使得工件一直能够与进气盘保证一个适合反应的距离,工件沉积成膜的厚度均匀性更好。

    一种多路进气混合装置及半导体镀膜设备

    公开(公告)号:CN119530767A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411581602.0

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种多路进气混合装置及半导体镀膜设备,涉及半导体技术领域。该多路进气混合装置包括相互连接的进气模块与混气模块,进气模块内设置有用于外接多路气源的多个进气流道;混气模块具有混气腔,混气腔具有进气端与出气端,多个进气流道均具有导流输出段,多个导流输出段沿偏离混气腔轴线的方向与进气端连通,以使流入进气端的多路气体螺旋流向出气端。本发明提供的多路进气混合装置的混气效率更高,混气均匀性更好,并能够提升薄膜沉积效果。

    半导体加工设备
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114875384A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210444943.8

    申请日:2022-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种半导体加工设备,包括:反应腔模组,反应腔模组包括反应腔体和反应腔机架;气体传输模组,气体传输模组为至少一个,且气体传输模组与反应腔模组可拆卸连接;配电箱模组,配电箱模组为至少一个,且配电箱模组与气体传输模组和/或反应腔模组可拆卸连接。其将多个功能组件模块化,各模组之间可拆卸连接,拆卸和装配更加灵活,使得在不同的使用场景中,各模组可以根据使用需要进行不同组合,灵活性更好。同时,气体传输模组独立设置,并可以直接连接反应腔模组,降低了工艺气体传输管路的长度和复杂程度,传输管路得以缩短。并且,各模组直接连接,显著降低了设备的总体高度,增大了维护空间,降低了维护难度和维护成本。

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