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公开(公告)号：CN119108462B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411306506.5
申请日：2024-09-19
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先，本发明通过巧妙的制备方法，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区（硼扩散区）和n区（磷扩散区）发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响；其次，本发明通过优化工艺步骤，实现了单次沉积本征多晶硅层即可得到TBC太阳能电池，可有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118748219B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410822620.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司
IPC: H10F77/14 , H10F77/1223 , H10F10/14 , H10F77/20
Abstract: 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有相对设置的背面和正面；P型掺杂多晶硅层，位于硅基底背面的第一区域；N型掺杂多晶硅层，位于硅基底背面的第二区域，且第一区域异于第二区域；P型掺杂内扩层，形成于硅基底内部并靠近P型掺杂多晶硅层设置；N型掺杂内扩层，形成于硅基底内部并靠近N型掺杂多晶硅层设置；其中，P型掺杂内扩层的深度大于N型掺杂内扩层的深度。本发明提供的背接触太阳能电池将P型掺杂内扩层的深度设置成大于N型掺杂内扩层的深度，增加P型掺杂内扩层的深度，可以提高背接触太阳能电池的发射极电流收集效率，从而提高电池效率。
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公开(公告)号：CN115360263B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210998116.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了单晶硅上3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法为：以单晶硅片为阴极，以碳化硅纳米线悬浮液作为电泳沉积液，将单晶硅片浸于碳化硅纳米线悬浮液中，于50～100V的电压下，采用直流电进行电泳沉积处理，以在单晶硅片上形成具有均匀且致密的异质结结构的碳化硅纳米线层；采用等离子体对碳化硅纳米线层进行焊接处理，即获得所述3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜。本发明采用“自下而上”的方式制备的薄膜面积大，制备方法简单、成本低、效率高且安全易操作，并对低维纳米结构具有一定的普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN119923022A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122448.9
申请日：2025-01-24
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于解决的防热斑设计的图案化复杂，影响电池效率的问题。背接触电池，包括：基底，具有相对的第一面和第二面；第一掺杂部和第二掺杂部，沿第一方向交替排布且间隔设置于第一面，第一掺杂部和第二掺杂部沿第二方向延伸，第一掺杂部和第二掺杂部的导电类型相反，第一方向和第二方向相交；第三掺杂部，设置于第一面且位于第一掺杂部和第二掺杂部之间，第三掺杂部沿第二方向延伸，第三掺杂部与第二掺杂部的导电类型相同，第三掺杂部与第一掺杂部和第二掺杂部连通，第三掺杂部的厚度小于第二掺杂部的厚度和/或第三掺杂部的掺杂浓度小于第二掺杂部的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN119923020A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510120977.5
申请日：2025-01-24
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种背接触电池，所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂层、第二掺杂层和电极接触部，所述电极接触部设置于所述第一掺杂层上面；所述第一掺杂层的主体部和所述第二掺杂层的主体部交替间隔分布在所述半导体基底的背光面，所述第一掺杂层的第一区域和所述第二掺杂层的第一区域之间电性连接，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的导电类型相反；其中，在所述半导体基底的背光面上形成有至少一个凹陷结构，所述至少一个凹陷结构设置于所述电极接触部与电性连接处之间。本发明还提供了一种光伏组件。本发明的背接触电池通过形成凹陷结构，进一步降低背接触电池的热斑风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119923015A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510159002.3
申请日：2025-02-13
Applicant: 南京工业大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F30/222 , B82Y40/00 , H10F77/12
Abstract: 本发明公开一种基于双光活化层的超灵敏光电晶体管。本发明所述光电晶体管自下而上依次由栅电极（Si）、介质层（HfO2）、光活化离子层（PbI2）、沟道（WSe2）和源漏电极（Au）构成。本发明所述光电晶体管展现出极高的灵敏度优势：一方面，其满足极弱光环境下的测试需求，其探测的暗场光强比商用光电晶体管低4个数量级；另一方面，其响应度相较于商用产品高出4个数量级。本发明首次将PbI2这一光活化离子层引入传统基于传统二维材料的光电晶体管结构中，极大地提升了器件的灵敏度，为极暗场探测技术的发展提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN119325292B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411875080.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南汇思光电科技有限公司
IPC: H10F30/225 , H10F77/14 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管及制备方法，包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、渐变掺杂多量子阱吸收层、电场调控层层、倍增层和n型接触层，还包括p接触和n接触，所述p接触设于所述p型接触层上，所述n接触设于所述n型接触层上，通过使用渐变掺杂多量子阱结构作为吸收层来分离光生电子和光生空穴，可减少噪声，提高雪崩光电二极管的灵敏度和速率。
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公开(公告)号：CN116995118B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311245663.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 无锡华晟光伏科技有限公司 , 安徽华晟新能源科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种太阳能电池及其制备方法，其中，太阳能电池包括：半导体衬底层；第一钝化层，第一掺杂半导体层；第一载流子收集层，采用导电材料且位于第一钝化层和第一掺杂半导体层之间；第一透明导电层；其中，第一掺杂半导体层的导电类型与半导体衬底层的导电类型相同，第一掺杂半导体层相对于半导体衬底层所在侧为太阳能电池的向光面。所述太阳能电池的光电转换效率得到提高。
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公开(公告)号：CN119908181A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380068863.X
申请日：2023-09-26
Applicant: IHP有限责任公司-莱布尼茨高性能微电子研究所/莱布尼茨创新微电子研究所
IPC: H10F30/223 , H10F77/40 , H10F77/122 , H10F77/14 , H10F71/00 , G02B6/12
Abstract: 本发明涉及一种用于探测电磁辐射的光电探测器。光电探测器包括横向光电二极管和SiN波导。横向光电二极管包括原位p掺杂接触区（112）、原位n掺杂接触区（114）以及沿横向堆叠方向（109）夹在p掺杂接触区和n掺杂接触区之间的本征掺杂光敏区（108）。SiN波导（102）包括SiN并且被配置为沿着传播方向（104）引导电磁辐射，SiN波导沿着垂直于横向堆叠方向（109）的垂直堆叠方向（107）布置在横向光电二极管的顶部。光敏区的至少一部分和SiN波导的至少一部分形成公共上界面（116），在该公共上界面处光敏区与SiN波导直接接触。此外，光敏区（108）沿着横向堆叠方向具有300nm或更小的横向宽度（110）。
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公开(公告)号：CN119894154A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510032806.7
申请日：2025-01-09
Applicant: 英利能源发展有限公司
Abstract: 本发明公开一种矩形光伏电池及光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，矩形光伏电池的电池基体上设若干主栅线，电池基体的主栅线所在方向为长度方向；电池基体的长度Lc为180mm+Xmm，X的取值为0mm‑6.477mm；电池基体的宽度Wc为210mm+Ymm，Y的取值为0mm‑2.367mm；电池基体上设置有二等分分割线，二等分分割线设于电池基体的中部，且垂直于电池基体的主栅线方向。光伏组件包括若干电池串，电池串中的电池片为矩形光伏电池沿其二等分分割线切割得到的半片电池。采用本发明所设计矩形光伏电池及光伏组件设计参数，在同尺寸光伏电池条件下，单块组件的长度和宽度均能达到行业可接受尺寸最大值，且主栅数量可以增加至18‑32根，有利于电池光生电子的收集与传输，提升光电转换效率。
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