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公开(公告)号：CN119836017A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411976034.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种具有动量匹配和各向异性层间激子的二维异质结器件，涉及光电探测技术领域。器件结构包括：衬底，形成于衬底上二维异质结包括上下两层具有各向异性晶格结构的二维材料，形成于所述二维异质结的源漏极分别对应与上述两层二维材料接触。两种各向异性材料组成了具有层间激子态的二类能带异质结，利用层间激子可以突破光敏材料的本征带隙限制实现红外光响应，且层间激子的动量匹配使得层间激子态的跃迁为直接跃迁，有利于增强异质结器件的光吸收效率，提高光响应度。同时层间激子的各向异性对红外偏振光敏感，最终异质结器件实现了突破光敏材料带隙限制的红外偏振响应。
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公开(公告)号：CN115332366B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210859661.4
申请日：2022-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: H10F77/20 , H10F77/30 , H10F77/1223 , H10F77/16 , H10F77/45 , H10F10/164 , H10F71/10
Abstract: 本发明公开了一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法，该电池包括晶硅衬底，晶硅衬底的背面设有由隧穿氧化层，交替排列有P+掺杂纳米晶硅/微晶硅层、纳米晶硅/微晶硅层和N+掺杂纳米晶硅/微晶硅层，背面减反射钝化层构建的背接触钝化结构。其制备方法包括采用离子注入方式将硼离子和磷离子间隔注入到纳米晶硅/微晶硅薄膜中并进行退火处理形成交替排列的P+掺杂区域和N+掺杂区域。本发明背钝化接触异质结太阳电池具有转换效率高的特点，可高达25％以上，其制备方法还具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，有利于电池的转换效率和良率，适合于大规模制备，利于工业化应用，对于促进HBC电池的产业化应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN119836051A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411960449.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司
IPC: H10F77/16 , H10F77/124 , H10F77/30 , H10F10/10 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种外延位错分布受控的太阳电池外延结构、太阳电池及其制造方法，从下到上依次为GaAs衬底、GaAs成核层、GaInP腐蚀阻挡层、GaAs接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、第一渐变缓冲层、GaInAs中间电池、第二隧穿结、晶格过冲层、第二渐变缓冲层、GaInAs底电池以及GaInAs接触层；其中，所述第一渐变缓冲层为AlGaInAs晶格渐变缓冲层，在第一渐变缓冲层中，从初始层到目标渐变层，In组分非线性增大；第二渐变缓冲层为AlGaInAs晶格渐变缓冲层，在第二渐变缓冲层中，In组分从初始层非线性增大到目标渐变层过程中，目标渐变层的前一层In组分含量高于目标渐变层；晶格过冲层中In组分含量高于第二渐变缓冲层的初始层中的In组分含量。可有效提高太阳电池的光电效率。
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公开(公告)号：CN116154039B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202310185293.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 吉林大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/124 , H10F77/16 , H10F30/10
Abstract: 一种基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器及其制备方法，包括：衬底；粘合剂，旋涂于衬底上表面；六方氮化硼大尺寸单晶，覆盖于旋涂有粘合剂的衬底表面；一对电极，部分覆盖于六方氮化硼大尺寸单晶上表面。本发明通过大面积、高质量、厚度适中的六方氮化硼大尺寸单晶，制备出在深紫外区拥有高响应速度，高开关比，高光谱选择性的深紫外光电探测器。该探测器在空间光通讯，军事预警探测，臭氧层空洞监测，以及航空航天领域拥有重大应用前景。
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公开(公告)号：CN115360263B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210998116.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了单晶硅上3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法为：以单晶硅片为阴极，以碳化硅纳米线悬浮液作为电泳沉积液，将单晶硅片浸于碳化硅纳米线悬浮液中，于50～100V的电压下，采用直流电进行电泳沉积处理，以在单晶硅片上形成具有均匀且致密的异质结结构的碳化硅纳米线层；采用等离子体对碳化硅纳米线层进行焊接处理，即获得所述3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜。本发明采用“自下而上”的方式制备的薄膜面积大，制备方法简单、成本低、效率高且安全易操作，并对低维纳米结构具有一定的普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118367040B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410603171.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 江苏仲磊芯半导体有限公司
IPC: H10F77/124 , H10F77/70 , H10F77/16 , H10F71/00 , H10F30/221
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池及其的制造方法，所述太阳能电池由底层向顶层按生长方向依次为衬底、基区和发射区；所述基区和发射区的材料为(AlxGa1‑x)yIn1‑yAs；所述基区中有多个晶格常数为a的有源层和多个晶格常数为b的腐蚀层，a和b不相等；所述腐蚀层是在生长第一腐蚀层后，通过腐蚀气体对所述第一腐蚀层的界面进行原位腐蚀而形成的绒面起伏的粗糙界面；所述有源层和腐蚀层交替分布，形成一个重复单元，在每一个重复单元中，有源层位于腐蚀层的底部。所述太阳能电池能够提高太阳能电池的抗辐照性能、吸光能力和转换效率，以及可以提高太阳电池的末期转换效率。
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公开(公告)号：CN119663433A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510193748.6
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10F77/12 , H10F77/16 , H10F77/169
Abstract: 本发明属于二维薄膜材料生长技术领域，公开了一种2H相半导体二硫化铂单晶及其制备方法。该方法包括步骤：向Pt基化合物滴加金属卤化物水溶液，混合后加热烘干得到Pt源混合物；将预处理后的生长基底倒扣于Pt源混合物上方，置于石英管内部的高温区；将硫磺粉末置于上游石英管内部的低温区，在混合气氛中，硫磺粉末受热挥发出的S蒸气向管式炉高温区进行扩散，与高温区中Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶；或将ZnS粉末同样置于高温区，在惰性气体气氛中，ZnS粉末分解出的S蒸气与Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶。
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公开(公告)号：CN111448672B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980005033.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 迈可晟太阳能有限公司
Abstract: 本发明提供了制造具有从切割边缘缩回的结的太阳能电池的方法，以及所得太阳能电池。在一个实例中，太阳能电池包括具有光接收表面、背表面和侧壁的基板。发射极区在所述基板中，所述发射极区在所述基板的所述光接收表面处。所述发射极区具有从所述基板的所述侧壁横向缩回的侧壁。钝化层在所述发射极区的所述侧壁上。
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公开(公告)号：CN119947272A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411934554.9
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: H10F30/222 , H10F77/14 , H10F71/00 , H10F71/10 , H10F77/16 , H10F77/166 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/06
Abstract: 本发明涉及半导体辐射探测技术领域，具体涉及一种CdSe单晶基异质结型半导体辐射探测器及制备方法。所述异质结型辐射探测器包括自下而上依次相连接设置的第一金属电极层、CdSe单晶片、非晶硒层和第二金属电极层。本发明所述非晶硒层通过真空热蒸发沉积在经切割、抛光、清洁的CdSe单晶表面，并与CdSe形成异质结；利用真空热蒸发，将第一金属电极层沉积在CdSe层的表面、第二金属电极层沉积在非晶硒层的表面。本发明制得的异质结型辐射探测器在高反向偏压下可以保持稳定的低暗电流，具有高信噪比和低检测限，表现出对X射线的快速响应，且具有良好的X射线成像效果，在辐射探测领域具有优秀的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119663433B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510193748.6
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10F77/12 , H10F77/16 , H10F77/169
Abstract: 本发明属于二维薄膜材料生长技术领域，公开了一种2H相半导体二硫化铂单晶及其制备方法。该方法包括步骤：向Pt基化合物滴加金属卤化物水溶液，混合后加热烘干得到Pt源混合物；将预处理后的生长基底倒扣于Pt源混合物上方，置于石英管内部的高温区；将硫磺粉末置于上游石英管内部的低温区，在混合气氛中，硫磺粉末受热挥发出的S蒸气向管式炉高温区进行扩散，与高温区中Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶；或将ZnS粉末同样置于高温区，在惰性气体气氛中，ZnS粉末分解出的S蒸气与Pt源混合物挥发产生的Pt蒸气发生化学反应，在生长基底下表面沉积生成2H相PtS2单晶。
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