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公开(公告)号：CN114924464B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210124479.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且改善LER及CDU的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元且因酸的作用而分解并使于碱显影液中的溶解度增大的聚合物。#imgabs0#式中，M为硫原子或硒原子。#imgabs1#
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公开(公告)号：CN117736362A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311228979.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物、抗蚀剂图案形成方法、及空白掩膜。本发明提供能形成可形成有极高的孤立间距分辨性，LER小，矩形性优异，显影负载及残渣缺陷的影响受抑制且蚀刻耐性优良、制成的抗蚀剂图案的图案崩塌受抑制的图案的抗蚀剂膜的聚合物、使用了此聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物、使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法、及使用前述化学增幅正型抗蚀剂组成物的空白掩膜。一种聚合物，其特征为：含有键结于主链的芳香族性羟基的结构单元中的前述芳香族性羟基被下式(ALU‑1)表示的酸不稳定基团保护，因酸作用而脱保护并成为碱可溶性。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117590697A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310985044.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，能形成可形成极高孤立间距分辨性且LER小、矩形性优异、显影负载及残渣缺陷的影响受抑制的图案的抗蚀剂膜，并提供抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，是包含(A)基础聚合物、(B)光酸产生剂及(C)淬灭剂的电子束光刻用化学增幅正型抗蚀剂组成物，(A)基础聚合物包含含有预定的含苯酚性羟基的单元、预定的含芳香环的单元及预定的含苯酚性羟基的单元的聚合物，该基础聚合物中含有的聚合物的重复单元皆为具有芳香环骨架的重复单元，(B)酸产生剂相对于(C)淬灭剂的含有比率((B)/(C))按质量比计未达3。
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公开(公告)号：CN117148674A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310637435.6
申请日：2023-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨度，且LER及分辨度、图案忠实性、剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)淬灭剂，含有下式(A1)表示的锍盐，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。
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公开(公告)号：CN117031878A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310522141.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，可形成具有极高分辨性，LER小、矩形性优异、抑制了显影负载的影响的图案的抗蚀剂膜，并提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含由酸不稳定基团保护且因酸的作用变成碱可溶性的基础聚合物，该基础聚合物包含含有下式(A1)表示的含苯酚性羟基的单元及下式(A2)表示的羧基被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物，该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117031872A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310522173.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及空白掩膜、抗蚀剂图案形成方法及化学增幅正型抗蚀剂组成物。本发明提供一种空白掩膜，具备能形成具有极高分辨性且LER小、矩形性优异、图案忠实性优异的图案的抗蚀剂膜，并提供抗蚀剂图案形成方法、及化学增幅正型抗蚀剂组成物。一种空白掩膜，具备涂布化学增幅正型抗蚀剂组成物而获得的抗蚀剂膜，该化学增幅正型抗蚀剂组成物包含：基础聚合物，含有含下式(A1)表示的含苯酚性羟基的单元及下式(A2)表示的羧基被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物；及有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110531580B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910439482.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为化学增幅负型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法。提供了包含具有含桥接的环的基团的芳烃磺酸的鎓盐和基础聚合物的负型抗蚀剂组合物，该鎓盐能够产生具有适当的强度和扩散受控的大体积酸。当该抗蚀剂组合物通过光刻法处理时，形成具有高分辨率和降低的LER的矩形轮廓的点图案。
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公开(公告)号：CN108255019B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201711451906.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅型正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。包含适于在酸的作用下分解以增大其在碱显影剂中的溶解度的聚合物和式(A)的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。通过光刻加工该抗蚀剂组合物时，能够形成具有最小LER的图案。
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公开(公告)号：CN111100043A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911021773.7
申请日：2019-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C311/48 , C07C321/20 , C07D327/08 , C07C309/31 , G03F7/00
Abstract: 本发明为鎓盐、负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。提供负型抗蚀剂组合物，其包含具有式(A)的鎓盐和基础聚合物。该抗蚀剂组合物在图案形成期间表现出高分辨率并且形成具有最小LER的图案。
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