公开(公告)号：CN101622673A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006041.4

申请日：2008-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 魏志强 ,  岛川一彦 ,  高木刚 ,  加藤佳一

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021

Abstract: 本发明提供非易失性存储装置及向非易失性存储装置的数据写入方法。该非易失性存储装置包括：存储阵列(102)，其包括：在第一平面内相互平行形成的多个第一电极配线(WL)；在平行于第一平面的第二平面内相互平行且与多个第一电极配线立体交叉的多个第二电极配线(BL)；分别对应于第一电极配线及第二电极配线的各个立体交叉点设置，具有电阻值可随着供给到对应的第一电极配线与对应的第二电极配线间的电流脉冲而可逆变化的可变电阻层的非易失性存储元件(11)；选择第一电极配线的选择装置(13)；存储阵列内部或外部的，连接到第一电极配线上进一步将施加到第一电极配线上的电压限制到规定的上限值以下的电压限制机构(15)。连接第一选择装置和电压限制机构的一个第一电极配线上连接有多个非易失性存储元件。

公开(公告)号：CN101548335A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000864.6

申请日：2008-07-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河合贤 ,  岛川一彦

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5623 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  G11C2216/22

Abstract: 本发明提供非易失性存储装置，其包括：包含多个具有电阻值由于施加电脉冲而变化的特性的非易失性存储元件的多个存储器单元阵列(136、146)；和用于在相对于上述多个存储器单元阵列写入数据时，相对于某存储器单元阵列进行写入，与此同时，相对于其它存储器单元阵列进行读出的控制部(102、104、108、110、114、128、130、152)。

公开(公告)号：CN101542730A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000421.7

申请日：2008-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  片山幸治 ,  藤井觉 ,  村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  三谷觉 ,  宫永良子 ,  高木刚 ,  岛川一彦

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。