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公开(公告)号：CN102486695B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201010625209.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种尤其相对于横方向耐久性优异，难以引起断线及经时的电阻的增加，可靠性高的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器，其具有透明导电膜及与所述透明导电膜连接的布线，布线自基板侧按顺序由高融点金属膜、Al合金膜、高融点金属膜构成，Al合金膜含有0.05～5原子％的稀土元素，且，杨氏模量为80～200GPa，晶粒的规定方向切线直径(Feret直径)的最大值为100～350nm。
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公开(公告)号：CN105026918A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480004370.0
申请日：2014-01-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N22/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/2608 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , G01R31/2894 , G01R31/308 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种非接触型，正确且简便地测量、评价(预测·推断)氧化物半导体薄膜的应力耐受性的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法，包括如下工序，第一工序，其是向形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波，测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止所述激发光的照射，测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化的第一工序；第二工序，其是根据所述反射率的变化，计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数，评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。
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公开(公告)号：CN104756257A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380054436.2
申请日：2013-10-15
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。
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公开(公告)号：CN104681625A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510088765.X
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。
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公开(公告)号：CN103069042B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180041104.1
申请日：2011-09-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C21/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H05K1/0298 , C22C21/00 , C23C14/086 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01B1/023 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/12542 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种技术，在薄膜晶体管基板、反射膜、反射阳极电极、触摸屏传感器等的制造工序中，能够有效防止氯化钠溶液的浸渍下的Al合金表面的腐蚀和针孔腐蚀(黑点)等的腐蚀，耐腐蚀性优异，而且能够防止小丘的生成且耐热性也优异的Al合金膜。本发明的Al合金膜，是用于配线膜或反射膜的Al合金膜，其中，含有Ta和/或Ti：0.01～0.5原子％、稀土类元素：0.05～2.0原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104335355A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380029493.5
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。
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公开(公告)号：CN104272463A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023934.0
申请日：2013-05-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源-漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源-漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。
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公开(公告)号：CN103782374A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280044092.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01J11/46 , H01J31/12 , H01J31/15 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/14
CPC classification number: G02F1/13439 , B32B15/016 , B32B15/017 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/0641 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01J11/46 , H01J31/127 , H01L21/4885 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/1095 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘(ヒロック：hillock)，高温耐热性优异，配线结构整体的电阻(配线电阻)也抑制得很低，此外耐氢氟酸性也优异的显示装置用配线结构。本发明的显示装置用配线结构，具有从基板侧按顺序层叠有如下Al合金的第一层和如下氮化物的第二层的构造：所述Al合金含有从由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr以及P所构成的组(X组)中选择的至少一种元素和稀土类元素的至少一种；所述氮化物是从由Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf和Cr所构成组(Y组)中选择的至少一种元素的氮化物或Al合金的氮化物。
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公开(公告)号：CN102265323B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
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公开(公告)号：CN103270602A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180061835.2
申请日：2011-12-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L27/016 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素(X组元素)。根据本发明，可提供一种薄膜晶体管半导体层用氧化物，其具备不含Ga的In-Zn-O氧化物半导体的薄膜晶体管的开关特性及耐应力性良好，特别是正偏压应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。
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