公开(公告)号：CN107075614A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003374.6

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: C22C9/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 提供一种电阻小、抗氧化性和湿法蚀刻加工性优异的Cu合金膜。上述Cu合金膜，含有Ni为3.0原子％以上且19.0原子％以下，并且含有从Al、Zn、Mn和Sn所构成的群中选择的一种X元素，余量由Cu和不可避免的杂质构成，且所述X元素的含量是由下式(1)求得的x原子％以上，并且，所述X元素为Zn或Mn时，Ni与X元素的合计量为20.0原子％以上，所述X元素为Al或Sn时，Ni与X元素的合计量为16.0原子％以上。x＝1.96×Ni+1.64…(1)其中，式(1)中，Ni表示Cu合金膜中的以原子％计的Ni含量。

公开(公告)号：CN104272463B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201380023934.0

申请日：2013-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源‑漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源‑漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。

公开(公告)号：CN103222061B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180054334.1

申请日：2011-10-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线构造，在有机EL显示器、液晶显示器等显示装置中，即使不设置蚀刻阻挡层，湿法蚀刻时的加工性也优异。本发明涉及一种布线构造，其依次具有基板、薄膜晶体管的半导体层、和金属布线膜，并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述阻挡层具有高熔点金属系薄膜和Si薄膜的层叠构造，所述Si薄膜与所述半导体层直接连接。

公开(公告)号：CN102486695B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201010625209.9

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种尤其相对于横方向耐久性优异，难以引起断线及经时的电阻的增加，可靠性高的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器，其具有透明导电膜及与所述透明导电膜连接的布线，布线自基板侧按顺序由高融点金属膜、Al合金膜、高融点金属膜构成，Al合金膜含有0.05～5原子％的稀土元素，且，杨氏模量为80～200GPa，晶粒的规定方向切线直径(Feret直径)的最大值为100～350nm。

公开(公告)号：CN105026918A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480004370.0

申请日：2014-01-09

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  林和志 ,  钉宫敏洋

IPC: G01N22/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R31/2608 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2642 ,  G01R31/2656 ,  G01R31/2894 ,  G01R31/308 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种非接触型，正确且简便地测量、评价(预测·推断)氧化物半导体薄膜的应力耐受性的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法，包括如下工序，第一工序，其是向形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波，测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止所述激发光的照射，测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化的第一工序；第二工序，其是根据所述反射率的变化，计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数，评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。

公开(公告)号：CN104756257A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380054436.2

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  前田刚彰 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  具素英 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。

公开(公告)号：CN104681625A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510088765.X

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。

公开(公告)号：CN103069042B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180041104.1

申请日：2011-09-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋

IPC: C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H05K1/0298 ,  C22C21/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/023 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/12542 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种技术，在薄膜晶体管基板、反射膜、反射阳极电极、触摸屏传感器等的制造工序中，能够有效防止氯化钠溶液的浸渍下的Al合金表面的腐蚀和针孔腐蚀(黑点)等的腐蚀，耐腐蚀性优异，而且能够防止小丘的生成且耐热性也优异的Al合金膜。本发明的Al合金膜，是用于配线膜或反射膜的Al合金膜，其中，含有Ta和/或Ti：0.01～0.5原子％、稀土类元素：0.05～2.0原子％。

公开(公告)号：CN104335355A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380029493.5

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。

公开(公告)号：CN104272463A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023934.0

申请日：2013-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源-漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源-漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。