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公开(公告)号：CN109799625A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910048485.4
申请日：2019-01-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效的钙钛矿超材料太赫兹调制器件及制备方法，主要解决现有太赫兹调制器件灵敏度低和制备工艺复杂的问题。自下而上包括衬底(1)和周期性排布的铝开口谐振环单元(2)，每个铝开口谐振单元的开口为不对称分布的两个，其开口间隙为2-4μm，每个开口之间填充有厚度为40-80nm的钙钛矿材料(3)，铝开口谐振环单元(2)的表面也覆盖有同样厚度的钙钛矿材料，使用中，可通过光泵浦改变钙钛矿填充材料的电介质性质来改变等效电容，实现对太赫兹波段的谐振频率和振幅透过率调制。本发明工艺简单，调制灵敏度高，应用场景更宽，可用于短距高速宽带通信、超分辨率武器制导、生物传感、医学成像、材料特性检测和安全检查。
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公开(公告)号：CN109713127A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811601742.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，在钙钛矿光吸收层上制备一层薄金属，采用原位氧化的方法，将薄金属层氧化为一层金属氧化物，金属氧化物层作为钙钛矿太阳能电池的电荷传输层，增加了传输层的致密性，同时避免了传统溶液法制备传输层时，传输层前驱溶液的溶剂对钙钛矿薄膜的影响。采用本发明的方法制备的钙钛矿太阳能电池成本低，稳定性好，钙钛矿光吸收层薄膜完整性好。
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公开(公告)号：CN115295539B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210958856.4
申请日：2022-08-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多层掺杂Al1‑xScxN的铁电薄膜存储器及其制备方法，包括自下而上依次布置的硅衬底层、TiN下电极层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N下缓冲层、Sc掺杂浓度为25％的Al0.75Sc0.25N铁电材料层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N上缓冲层、TiN上电极层；所述TiN下电极层与TiN上电极层厚度均为30纳米，Al0.875Sc0.125N缓冲层厚度均为10纳米，Al0.75Sc0.25N铁电材料层厚度为80纳米。本发明不仅有利于材料的高质量生长，同时提高了器件的耐压性，其工作时的稳定性与可靠性得以保障。可以进一步简化现有铁电存储器制作工艺，操作安全简单，生产成本得以降低。
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公开(公告)号：CN115424940B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211026540.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/46 , H01L21/02 , C01B32/194
Abstract: 一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺，采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓，降低了成本，简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入，不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓，通过界面强烈的电荷转移实现，对氧化镓表面进行有效的空穴注入，从而实现更加有效的P型氧化镓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118198171A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410144376.3
申请日：2024-02-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种AlN/Al1‑xScxN异质结日盲探测器及其制备方法，使用铁电性能更佳的Al1‑xScxN铁电材料与AlN形成异质结，既能保证与AlN的最小晶格失配，又能保证铁电层的高质量生长。器件耗尽区的宽度与内置电场的强度变得可由去极化场来调节，充分促进了光生载流子的分离。其次使用较薄的AlN层能够有效提高内建电场强度与2DEG浓度，进而增加光生电子迁移率，且在外电场施加下呈现更好的铁电性，使器件在工作时探测更为精准、响应度和响应速率更高。同时本发明提出了所述AlN/Al1‑xScxN异质结日盲探测器的制备方法，能与现有CMOS工艺兼容，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117135933A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311078856.6
申请日：2023-08-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10B63/00 , H10N70/20 , H10N70/00 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/18
Abstract: 本发明公开了一种深紫外感存算一体单极性忆阻器及其制备方法。主要解决现有技术对深紫外波段的灵敏度低、可靠性不高且不便数字集成的问题。其自下而上包括：衬底(1)、底电极(2)、光电忆阻功能层(3)和顶电极(4)。所述光电忆阻功能层，采用宽禁带半导体材料Ga2O3，其厚度为20nm～30nm，以使器件的阻变特性表现为单极性，提高器件的灵敏度、阻变特性和可靠性；所述顶电极，采用的金属材料Ag，其厚度为100nm～150nm，以配合Ga2O3材料进一步提高器件的阻变特性。本发明对深紫外光具有很强的光响应，热稳定性好，能兼容CMOS工艺，且具有出色的阻变性能，便于大规模集成，可用于深紫外光的感存算一体化。
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公开(公告)号：CN116995114A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310923405.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/AlScN异质结的自驱动日盲探测器及制备方法，该自驱动日盲探测器采用新兴的铁电材料AlScN与Ga2O3构成的异质结，通过铁电侧的去极化场调节内置电场的强度及半导体侧的耗尽区宽度，促进光生载流子的分离，提升了Ga2O3异质结自驱动日盲探测器的响应度和响应速率。由于AlScN有着与大多数铁电材料不同的高电导率，使得器件性能不会受到电导率的限制。本发明使用的AlScN材料的带隙与Ga2O3接近，使得该自驱动日盲探测器不会对日盲波段外的光信号进行响应，提升了该自驱动日盲探测器的探测精度，避免了无关的光信号的干扰。
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公开(公告)号：CN116801704A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310951315.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法，主要解决现有器件无法平衡存储性能以及进行非破坏性读取，导致器件性能不佳的问题。主要结构为金属/铁电/绝缘体/半导体叠层结构，从下至上包括重掺杂P型Si衬底以及依次生长沉积的SiO2绝缘层、AlBN铁电层和钛/金顶电极；其中AlBN铁电层为厚度小于5nm的AlBN薄膜，钛/金顶电极是钛层位于金层下的两层结构，钛层直接接触AlBN铁电层。本发明利用AlBN材料的高极化强度和铁电特性的优势调节肖特基势垒形成高阻态和低阻态，能够进一步压缩器件尺寸，并提升存储性能和可擦写次数，在铁电隧道结存储器方面具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115692481A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211409812.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 一种基于双层掺杂Al1‑xScxN的铁电调控晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底层及位于衬底层上的沟道层，沟道层上分布源极区、栅介质层和漏极区，栅介质层为双层掺杂结构，每层均采用Al1‑xScxN铁电材料，其中x表示掺Sc浓度，双层掺杂结构的掺Sc浓度不同。本发明在显著提升器件性能的同时降低了晶体管的漏电流，并进一步提升了器件的电学性能、热稳定性、化学稳定性以及抗辐射性能中的部分或全部，同时使得其制备方法能与现有CMOS工艺兼容，降低生产成本，在提升性能的同时兼顾环境友好性。
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