公开(公告)号：CN116908662A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310873679.4

申请日：2023-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  戚萧镕 ,  张孜鑫 ,  陈子龙 ,  施良 ,  肖正懋

IPC: G01R31/3185

Abstract: 本发明种公开了一种针对兼容时钟域OCC链的共享电路结构及捕获方法，主要解决现有方案的电路冗余问题。包括：一个8比特的共享OCC链、多个工作时钟信号输入端口以及与之一一对应的多比特OCC链数据有效控制寄存器、时钟信号输出端口、脉冲控制模块和时钟信号选择模块，其中OCC链数据有效控制寄存器串联在8比特的共享OCC链之后，脉冲控制模块由一个8比特并入串出寄存器、一个与门和一个时钟门控组成；通过OCC链共享减少电路的冗余，同时增加多比特OCC链数据有效控制寄存器保证其控制方面的灵活性。本发明能够在实现与MergeNCP法相同效果的同时，减少电路冗余，实现优化控制。

公开(公告)号：CN116779712A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310846265.2

申请日：2023-07-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  陈子龙 ,  张孜鑫 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的氧化镓/氧化镍梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法，主要解决现有技术中界面能级不匹配、界面载流子复合严重的问题。包括：1)选用衬底并对其进行预处理；2)在预处理后的衬底上通过MOCVD生长氧化镓感光层；3)采用射频磁控溅射技术在氧化镓感光层上生长得到BaSnO3缓冲层；4)采用ALD技术在缓冲层上沉积多层的梯度氧化镍层；5)在氧化镓感光层上部的一端制备源电极，在梯度氧化镍层上部与金属源电极相对的一端制备漏电极，得到自下而上包括衬底、氧化镓感光层、缓冲层、梯度氧化镍层及源漏电极的探测器。本发明能够有效减少界面载流子复合，降低界面接触电阻，提高探测器的响应速度与性能。

公开(公告)号：CN115566095A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211163076.7

申请日：2022-09-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  张孜鑫 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有MXenes插入层的Ga2O3基紫外探测器及制备工艺，本发明在Ga2O3/SiC异质结之间插入了具有高迁移率的少层MXenes材料，使用的MXenes材料构型非镜面对称，其能带结构有一定坡度，从而增加了载流子的漂移速率，提升了Ga2O3基紫外探测器的响应度和响应速率。本发明的制备工艺中将MXenes材料转移到Ga2O3基紫外探测器的衬底上，形成的Ga2O3基紫外探测器的衬底上存在着空隙的、小面积的、非连续的MXenes材料，方便控制形核结晶，提高Ga2O3薄膜结晶度，处于Ga2O3晶界处的MXenes材料可以作为载流子传输的桥梁，促进载流子的运输。

公开(公告)号：CN117135933A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311078856.6

申请日：2023-08-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  施良 ,  张孜鑫 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种深紫外感存算一体单极性忆阻器及其制备方法。主要解决现有技术对深紫外波段的灵敏度低、可靠性不高且不便数字集成的问题。其自下而上包括：衬底(1)、底电极(2)、光电忆阻功能层(3)和顶电极(4)。所述光电忆阻功能层，采用宽禁带半导体材料Ga2O3，其厚度为20nm～30nm，以使器件的阻变特性表现为单极性，提高器件的灵敏度、阻变特性和可靠性；所述顶电极，采用的金属材料Ag，其厚度为100nm～150nm，以配合Ga2O3材料进一步提高器件的阻变特性。本发明对深紫外光具有很强的光响应，热稳定性好，能兼容CMOS工艺，且具有出色的阻变性能，便于大规模集成，可用于深紫外光的感存算一体化。

公开(公告)号：CN116995114A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310923405.1

申请日：2023-07-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  张孜鑫 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/AlScN异质结的自驱动日盲探测器及制备方法，该自驱动日盲探测器采用新兴的铁电材料AlScN与Ga2O3构成的异质结，通过铁电侧的去极化场调节内置电场的强度及半导体侧的耗尽区宽度，促进光生载流子的分离，提升了Ga2O3异质结自驱动日盲探测器的响应度和响应速率。由于AlScN有着与大多数铁电材料不同的高电导率，使得器件性能不会受到电导率的限制。本发明使用的AlScN材料的带隙与Ga2O3接近，使得该自驱动日盲探测器不会对日盲波段外的光信号进行响应，提升了该自驱动日盲探测器的探测精度，避免了无关的光信号的干扰。