-
公开(公告)号：CN101364120B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810144343.X
申请日：2008-07-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H03F3/45766 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H03F3/45183 , H03F2203/45041 , H03F2203/45101 , H03F2203/45342 , H03F2203/45681 , H03K17/302 , H03K17/687 , H03K17/74 , H03K2217/0018 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种偏移电压调节方法。该半导体器件包括：熔断器部分，具有多个构造为产生开关控制信号的熔断器电路；偏移调节部分，构造为基于从所述多个熔断器电路的输出节点提供的所述开关控制信号来调节差分放大器的偏移电压。多个熔断器电路中的每一个都包括：熔断器，连接在第一电源电压和切断节点之间；电流源，连接在第二电源电压和所述输出节点之间；第一晶体管，连接在所述输出节点和所述切断节点之间，并具有与所述第二电源电压连接的栅极。
-
公开(公告)号：CN101399503B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810165688.3
申请日：2008-09-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 川村博史
CPC classification number: H03K17/302 , H03K17/0406 , H03K17/063 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的开关电路(100)包括：常关型的场效应晶体管(130)，其具有栅极电极、连接到接地的源极电极、以及连接到电源电位(Vdd)的漏极电极；以及常开型的场效应晶体管(132)，其具有漏极电极及源极电极、以及栅极电极，漏极电极及源极电极分别连接到场效应晶体管(130)的栅极电极以及源极电极。若没有电源供给，则常开型场效应晶体管(132)为导通状态。其结果，场效应晶体管(130)的栅极/源极间电位为0V，场效应晶体管(130)保持截止状态。由此，对于大功率主电源开关，防止宽带隙半导体开关元件的误动作。
-
公开(公告)号：CN101490922B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200780027661.1
申请日：2007-07-26
Applicant: 雅迪信科技有限公司
Inventor： 布鲁斯·A·弗雷德里克 , 达里尔·韦斯普芬尼格
IPC: H02J1/10 , H03K17/30 , H03K17/693
CPC classification number: H03K17/302 , H02J1/10 , H03K17/693
Abstract: 本发明提供了一种用于电源和/或电力系统的ORing元件。该ORing元件可包括场效应晶体管(FET)、第一双极晶体管和第二双极晶体管。该FET可以电连接在输入和输出之间。该第一双极晶体管的发射极可电连接到该FET的源极，该第一双极晶体管的集电极可电连接到该FET的栅极。该第二双极晶体管可以被连接成二极管形式，其发射极电连接到其基极。该第二双极晶体管的发射极还可以电连接到该第一双极晶体管的基极。该第二双极晶体管的集电极可以电连接到该FET的漏极。
-
公开(公告)号：CN101098135B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710112291.3
申请日：2007-06-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/06 , H03K17/693
CPC classification number: H04B1/006 , H01L27/0641 , H03K17/005 , H03K17/007 , H03K17/063 , H03K17/161 , H03K17/302 , H03K17/6871 , H03K17/693 , H03K17/72 , H03K2017/066 , H03K2217/0018
Abstract: 半导体集成电路器件和射频模块，实现高阶谐波失真或IMD减小。例如，在天线端和多个信号端之间具有多个晶体管的所谓天线开关提供有电压供给电路。电压供给电路是用于从电压供给端经由电阻元件将电压供给到多个信号端中的至少两个信号端的电路。使用该配置，可以升高因泄漏等而降低的天线电压，并且例如可以将处于断态的晶体管设置成深的断态。
-
公开(公告)号：CN102201730A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110070258.5
申请日：2011-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03K17/302 , H03K17/0822
Abstract: 本发明的目的在于提供一种驱动电路，该驱动电路谋求：表现二极管特性的半导体元件的高负载时的消耗功率降低以及驱动电路的低负载时的损失降低，其中，该二极管特性是若在栅极-源极间超过规定电压，则流过险峻的电流，并且该驱动电路还具有防止过电压、过电流、和过消耗功率的保护功能、和降低该半导体元件的损失的功能。驱动电路中的栅极控制单元(2、12、22、32)构成为：按照从对表现二极管特性的半导体元件(1)的动作状态进行检测的动作状态检测单元(4、5、6)所输入的表示半导体元件的动作状态的信号，来控制提供给半导体元件的栅极的电压或电流，其中该二极管特性是若在栅极-源极间超过规定电压，则流过险峻的电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1643759B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN03806127.9
申请日：2003-02-12
Applicant: 福尔泰克半导体公司
Inventor： 理查德·A·哈里斯
CPC classification number: H02H9/025 , H02H3/081 , H03K17/302
Abstract: 一种保护装置。该装置具有第一MOSFET(Q10)，第二MOSFET(Q11)和第三JFET(Q12)，它们的导电通路与位于MOSFET(Q10，Q11)之间的JFET(Q12)串联。第一MOSFET(Q10)的源极连接到第二MOSFET(Q11)的栅极，而第二MOSFET(Q11)的源极连接到第一MOSFET(Q10)的栅极。MOSFET(Q10，Q11)与JFET(Q12)一同形成可连接在输入和输出之间的一个可变电阻电路块。JFET(Q12)的栅极由分别的电流源连接到输入和输出。
-
公开(公告)号：CN101697485A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910177317.1
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H03K17/687 , H03K17/30 , G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621 , H03K17/302 , H03K17/6872 , H03K2217/0018
Abstract: 半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有在半导体衬底上具有多个MIS晶体管的内部电路；衬底电压控制块，将衬底电压提供给所述内部电路以控制该内部电路的MIS晶体管的阈值电压；漏电流检测电路，具有漏电流检测MIS晶体管和比较器，对于该漏电流检测MIS晶体管而言，将任意的电位的电源电压提供给源极，漏极与栅极连接并连接到恒流源，并由所述衬底电压控制块控制衬底电压，而所述比较器用于比较所述漏电流检测MIS晶体管的漏极电位和预定参考电位。其中，所述衬底电压控制块基于所述比较器的比较结果生成衬底电压，将所生成的衬底电压施加到所述漏电流检测MIS晶体管的衬底和所述内部电路的MIS晶体管的衬底。
-
公开(公告)号：CN100530916C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610057073.X
申请日：2006-03-17
Applicant: 富士通微电子株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M1/36 , H02M3/156 , H02M2003/078 , H03K17/302 , H03K2217/0018
Abstract: 本发明提供了升压型DC-DC变换器及其控制方法。DC-DC变换器能在低输入电压状态中启动并被构造而不增加电路尺寸。背栅电压(Vsb)从背栅电压生成电路(VBGN)输出并输入到晶体管(FET1)的背栅。在输出电压(Vout)低于参考电压(e0)的时段，振荡信号(OS1)输入到晶体管(FET1)的栅极，背栅电压(Vsb)设置在接地电压。因此晶体管(FET1)具有参考阈值电压(Vto)。而在输出电压(Vout)高于参考电压(e0)的时段，脉冲信号(PS)输入到晶体管(FET1)的栅极，背栅电压(Vsb)设置在电荷泵部分(5)的输出电压。因此晶体管(FET1)具有比参考阈值电压(Vto)高的阈值电压。
-
公开(公告)号：CN101490922A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027661.1
申请日：2007-07-26
Applicant: 雅迪信科技有限公司
Inventor： 布鲁斯·A·弗雷德里克 , 达里尔·韦斯普芬尼格
IPC: H02J1/10 , H03K17/30 , H03K17/693
CPC classification number: H03K17/302 , H02J1/10 , H03K17/693
Abstract: 本发明提供了一种用于电源和/或电力系统的ORing元件。该ORing元件可包括场效应晶体管(FET)、第一双极晶体管和第二双极晶体管。该FET可以电连接在输入和输出之间。该第一双极晶体管的发射极可电连接到该FET的源极，该第一双极晶体管的集电极可电连接到该FET的栅极。该第二双极晶体管可以被连接成二极管形式，其发射极电连接到其基极。该第二双极晶体管的发射极还可以电连接到该第一双极晶体管的基极。该第二双极晶体管的集电极可以电连接到该FET的漏极。
-
公开(公告)号：CN101399503A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810165688.3
申请日：2008-09-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 川村博史
CPC classification number: H03K17/302 , H03K17/0406 , H03K17/063 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的开关电路(100)包括：常关型的场效应晶体管(130)，其具有栅极电极、连接到接地的源极电极、以及连接到电源电位(Vdd)的漏极电极；以及常开型的场效应晶体管(132)，其具有漏极电极及源极电极、以及栅极电极，漏极电极及源极电极分别连接到场效应晶体管(130)的栅极电极以及源极电极。若没有电源供给，则常开型场效应晶体管(132)为导通状态。其结果，场效应晶体管(130)的栅极/源极间电位为0V，场效应晶体管(130)保持截止状态。由此，对于大功率主电源开关，防止宽带隙半导体开关元件的误动作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
133
records
(took 0.014 seconds)
