公开(公告)号：CN102365234A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080012951.0

申请日：2010-03-17

Applicant: 波士顿硅材料有限公司

Inventor： A·马西森 ,  J·W·克尼泽

IPC: C01B33/021 ,  H01L31/00

CPC classification number: C01B33/033 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开生产纯度足以用于制作商业级光伏器件的硅金属的方法，其首先通过液态四氯化硅与熔融钠金属反应，然后通过处理反应产物以从硅金属中去除那些反应产物，其将有害于用于生成商业销售的电力的商业级光伏器件中生产的硅金属的性能。

公开(公告)号：CN101156242B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200680011771.4

申请日：2006-04-10

Applicant: 肖特股份公司

Inventor： 杰根·雷布 ,  迪特里希·曼德

IPC: H01L27/00 ,  H01L31/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01L27/14687 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00873 ,  B81C2201/0143 ,  H01L23/057 ,  H01L23/08 ,  H01L23/10 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种在复合晶片中生产封装电子组件，尤其是光电组件的方法，其中通过装配由玻璃构成的覆盖基片的微框架结构进行封装，沿着在覆盖基片中产生的沟槽分离复合晶片，还涉及一种可利用该方法生产的封装电子组件，所述封装电子组件包含安装基片和覆盖基片的复合物，同时至少一个功能元件和与所述功能元件接触的至少一个接合元件被布置在安装基片上，覆盖基片是布置在安装基片上的微结构化玻璃，并且在功能元件之上形成空腔，接合元件位于空腔之外。

公开(公告)号：CN101267086B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200710300104.4

申请日：2007-12-17

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 桑田靖章 ,  中山秀生 ,  石井亮次 ,  中村佳代子

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L31/173 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及半导体器件和光学装置。该半导体器件包括：基板；形成在所述基板上的半导体层；以及利用所述半导体层的至少一部分而形成的光学功能部。该光学功能部执行光发射或光接收。该半导体器件还包括与所述光学功能部表面上的半导体层电连接的第一驱动电极，该第一驱动电极驱动所述光学功能部。该半导体器件还包括形成在所述半导体层上以包围所述光学功能部外周的封装电极，该封装电极与所述第一驱动电极电连接。

公开(公告)号：CN102317945A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008201.6

申请日：2010-02-03

Applicant: 太阳能公司

Inventor： 加里·韦恩 ,  亚历山大·弗兰坎 ,  迈克尔·扎伊德曼 ,  斯科特·莱曼 ,  朱尔斯·布伦纳

IPC: G06F17/50 ,  H01L31/00

CPC classification number: G06F17/5004 ,  F24S2201/00

Abstract: 实施例可以包括创建和编辑工作点的表示、创建各种数据对象、将这些对象分类为具有伴随属性和布局约束的各种预定义的“特征”的系统和方法。作为分类的一部分或者补充，实施例可以包括创建、关联和编辑这些对象的固有和非固有属性的系统和方法。设计引擎将设计规则应用于前述特征以生成一个或多个太阳能收集器安装设计备选方案，包括生成一个或多个设计备选方案的物理布局或布置的屏幕表示和/或纸件表示。

公开(公告)号：CN102265406A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152940.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 莫纳什大学

Inventor： 乌多·巴克 ,  傅东川

IPC: H01L31/00 ,  H02N6/00

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2022 ,  H01G9/2059 ,  H01G9/2068 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光伏器件，包括阴极电极和阳极电极(3，11)，以及位于两个所述电极之上的光伏活性层。

公开(公告)号：CN101720511B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880020929.3

申请日：2008-06-18

Applicant: 罗斯特雷特能源实验室公司

Inventor： W·瓦鲁奇威兹 ,  J·W·艾格尔三世 ,  K·M·于

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/074 ,  H01L31/0725 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种单P-N结太阳能电池，其具有用于电荷分离的两个耗尽区同时允许电子和空穴复合，从而与太阳能电池的两个耗尽区相关的电压将叠加起来。该单p-n结太阳能电池包括在P-N结的一侧上形成的InGaN或InAlN合金，以及在P-N结的另一侧上形成的Si，以仅通过单P-N结产生双结(2J)串联太阳能电池的特征。具有串联太阳能电池特征的单P-N结太阳能电池将获得超过30％的能量转化效率。

公开(公告)号：CN102160186A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136265.1

申请日：2009-09-30

Applicant: 思阳公司

Inventor： 罗伯特·D·维廷

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541

Abstract: 一种用于形成具有图案化电极膜的薄膜光伏装置的方法，包括提供具有包括钼材料的覆盖下电极层的钠钙玻璃基板。该方法还包括对下电极层施加来自激光源的一个或多个电磁辐射脉冲以从下电极层烧蚀一个或多个伴随有一个或多个凸台结构的图案。此外，该方法包括使用机械刷装置处理包括一个或多个图案的下电极层以去除一个或多个凸台结构，随后，处理包括去除掉一个或多个凸台结构的一个或多个图案的下电极层。该方法还包括形成覆盖下电极层的光伏材料层和形成覆盖光伏材料层的第一氧化锌层。

公开(公告)号：CN102150247A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135164.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 思布瑞特有限公司

Inventor： 谢泉隆 ,  俞钢

IPC: H01L21/322 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/5012

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。

公开(公告)号：CN102149751A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980124600.6

申请日：2009-04-27

Applicant: 阿肯马法国公司

Inventor： D.茹塞 ,  S.比泽 ,  L.B.卡蒂埃

IPC: C08G81/02 ,  B32B27/06 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L31/0504 ,  B32B3/08 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/22 ,  B32B27/28 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/30 ,  B32B2307/40 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/554 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/7244 ,  B32B2307/7246 ,  B32B2307/7265 ,  B32B2457/12 ,  C08G81/028 ,  H01L31/0481 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/31623 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31725

Abstract: 本发明涉及热塑性的组合物，其包括聚酰胺接枝的聚合物，所述聚酰胺接枝的聚合物包含聚烯烃主链，聚烯烃主链包含至少一种已经与至少一个聚酰胺接枝起反应的不饱和单体(X)的残基。本发明还涉及包括所述组合物的结构，特别地多层结构。本发明的优选的结构之一是包括所述组合物的光电组件。根据本发明的组合物可以有利地用作粘结剂或包封剂。它还用于太阳能电池板和层压窗玻璃中。

公开(公告)号：CN102099923A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127945.7

申请日：2009-06-11

Applicant: 因特瓦克公司

Inventor： B·阿迪比 ,  E·S·默尔

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池器件包括硅衬底，该硅衬底包括预先存在的掺杂物。均匀轻掺杂区域形成于硅衬底的表面上以在预先存在的掺杂物与轻掺杂区域之间形成结。重掺杂区域选择性地注入于硅衬底的表面上。籽晶层形成于重掺杂区域之上。金属接触形成于籽晶层之上。该器件可以包括防反射涂层。在一个实施例中，重掺杂区域形成抛物线形状。重掺杂区域可以按一定距离在硅衬底上各自是范围为50至200微米的宽度。重掺杂区域也可以在硅衬底上相互横向隔开范围为1至3mm的距离。籽晶层可以是硅化物。