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公开(公告)号：CN104126153B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201280070384.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司
CPC classification number: H03H9/19 , B23K26/53 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81C1/00595 , B81C2201/0143 , F21V17/02 , G04B17/066 , G04B17/345 , G04C3/12 , G04F5/063 , G04G17/02 , H01L41/0475 , H01L41/332 , H03H9/215
Abstract: 本发明涉及一种用于在基底中制造谐振器的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：a)改变基底的至少一个区域的结构，以使所述至少一个区域更具有选择性；b)蚀刻所述至少一个区域，以便选择性地制造所述谐振器。
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公开(公告)号：CN104126153A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201280070384.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司
CPC classification number: H03H9/19 , B23K26/53 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81C1/00595 , B81C2201/0143 , F21V17/02 , G04B17/066 , G04B17/345 , G04C3/12 , G04F5/063 , G04G17/02 , H01L41/0475 , H01L41/332 , H03H9/215
Abstract: 本发明涉及一种用于在基底中制造谐振器的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：a)改变基底的至少一个区域的结构，以使所述至少一个区域更具有选择性；b)蚀刻所述至少一个区域，以便选择性地制造所述谐振器。
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公开(公告)号：CN102086020A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010581224.8
申请日：2010-12-06
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
CPC classification number: H01L23/147 , B81C1/00515 , B81C2201/0143 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于制造硅中间承载体的方法。本发明涉及一种用于制造硅中间承载体(1)的方法，用于在衬底上、尤其是电路板上安装微电子机械装置和/或具有集成电路的电子装置，该方法包括以下方法步骤：a)借助激光方法将至少一个凹部(2)引入硅衬底(3)中，其中凹部(2)从硅衬底(3)的第一侧(I)延伸到第二侧(II)，b)至少在硅衬底(3)的表面的部分区域上构造第一绝缘层(4)，所述部分区域从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)延伸到第二侧(II)，以及c)将导电材料(5)施加到第一绝缘层(4)上用于构造至少一个从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)至第二侧(II)的穿通接触部。
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公开(公告)号：CN105502277A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410493916.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0257 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2201/0143 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提供一种MEMS麦克风及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面自下而上形成有牺牲层、振动膜和若干定极板；对半导体衬底的背面进行激光切割，直到暴露牺牲层，以形成切割口，其中，所述切割口位于半导体衬底背面对应定极板的区域边缘；在半导体衬底的背面和切割口内形成图案化的光刻胶层，暴露切割口内侧的半导体衬底；以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底的背面，直到暴露牺牲层，形成腔体；去除振动膜中间部位上方和下方的牺牲层，以在定极板和振动膜之间形成空腔。根据本发明的制作方法，改善了干法刻蚀中产生的腔体尺寸均匀性差的问题，提高了微型麦克风的声噪比性能。
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公开(公告)号：CN103025474A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036345.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/40 , H01L21/306
CPC classification number: H01L23/481 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/55 , B23K2103/50 , B81B2203/0353 , B81B2203/0384 , B81C1/00087 , B81C2201/0143 , H01L21/30608 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种激光加工方法，其特征在于，是用来在由硅形成的板状的加工对象物（1）上形成孔（24）的激光加工方法，其具备：凹部形成工序，在加工对象物（1）的激光入射面侧，将在该激光入射面（3）开口的凹部（10）形成在与孔（24）对应的部分；改质区域形成工序，在凹部形成工序之后，通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与孔（24）对应的部分形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，并在加工对象物（1）形成孔（24），在改质区域形成工序中，使改质区域（7）或从该改质区域（7）延伸的龟裂（C）露出于凹部的内面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102530826A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110433760.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F-P·卡尔茨
CPC classification number: B81C1/00801 , B23K2103/50 , B81C2201/0142 , B81C2201/0143
Abstract: 本发明涉及组件(100)，具有衬底(90)、涂层(10)，其中，涂层(10)至少部分覆盖衬底(90)以及其中涂层(10)被构造用于至少部分地借助激光烧蚀被剥蚀，其中，在衬底(90)与涂层(10)之间至少部分地构造激光探测层(20)，以产生结束激光烧蚀的探测信号(54)。
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公开(公告)号：CN1715863A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510082203.0
申请日：2005-07-01
Applicant: FEI公司
Inventor： H·G·塔普佩
CPC classification number: H01J37/3056 , B81C1/00126 , B81C2201/0143 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
Abstract: 本发明提供了一种用于从衬底(2)去除显微试件(1)的方法，包括：执行切割工艺，其中衬底(2)用束(4)照射，以便从衬底(2)切出试件(1)，以及执行附着工艺，使得试件(1)附着到探针(3)上，其特征在于，在切割工艺的时段的至少部分中，同时用至少两个束(4、5)执行切割工艺。通过用至少两个束执行切割，无需改变衬底(2)相对于产生束的装置的方位，就可提取试件(1)。与仅用单个束执行切割的方法相比，同时用两个束工作和伴随着可能使方位保持不变节省了时间。
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公开(公告)号：CN1294540A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN00800219.3
申请日：2000-02-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B23K26/38 , H01L21/302 , H01L21/3205 , B81C5/00 , B41J2/16
CPC classification number: B81C1/00087 , B23K26/009 , B23K26/066 , B23K26/18 , B23K26/384 , B41J2/16 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1634 , B41J2/1645 , B81C2201/0143 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2223/54453 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/14181 , H01L2224/16 , H01L2224/16146 , H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及一种利用激光加工形成高长度直径比的加工孔的加工被加工物的方法。在硅基板(1)的表面和背面分别形成氧化硅膜(2)作为保护膜,经该保护膜(2)向硅基板(1)照射激光进行开孔加工。或者,向硅基板(1)照射圆偏振或随机偏振的激光。由此获得高长度直径比的加工孔,而且,加工孔形状也成为真正笔直的孔,提高了加工精度。
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公开(公告)号：CN107835788A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680041349.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B7/0058 , B81B2201/042 , B81B2203/0384 , B81C1/00317 , B81C2201/0133 , B81C2201/0143 , B81C2201/0154 , B81C2203/0136 , G02B1/14 , G02B26/0833
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械窗结构的制造方法，所述制造方法具有以下步骤：提供衬底(1)，其中，所述衬底(1)具有正面(4)和背面(5)；在所述正面(4)上形成第一凹部(6)；在所述正面(4)和所述第一凹部(6)上构造覆层(8；8‘、8“)；并且在所述背面(5)上形成第二凹部(7)，使得所述覆层(8)至少局部地露出，由此通过所述覆层的露出区域形成窗(F)。
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公开(公告)号：CN106892398A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610935772.3
申请日：2016-10-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/5733 , G01P15/08
CPC classification number: B81B7/0035 , B81B2201/0235 , B81C1/00182 , B81C1/00277 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C1/00666 , B81C2201/0132 , B81C2201/0143 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81B7/02 , G01C19/5733 , G01P15/08
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，该微机械构件具有基底并且具有与基底连接并且与基底一起包围第一空腔的盖，其中，在第一空腔中存在第一压力并且包含有具有第一化学组成的第一混合气体，其中，在第一方法步骤中，在基底中或盖中构造将第一空腔与微机械构件的周围环境连接的进入开口，其中，在第二方法步骤中调整在第一空腔中的第一压力和/或第一化学组成，其中，在第三方法步骤中，通过借助激光将能量或热量引入到基底或盖的吸收部分中来封闭进入开口，其特征在于，在第四方法步骤中，在进入开口区域中在基底的或盖的背离第一空腔的表面中构造槽口，用于降低在进入开口封闭的情况下出现的局部应力。
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