公开(公告)号：CN109950224B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201811529570.4

申请日：2018-12-14

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 王隆庆 ,  杜震 ,  陈波 ,  鲁军 ,  何约瑟

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装和半导体晶圆，分开半导体晶圆，形成多个半导体封装。半导体晶圆具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。半导体封装具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。刚硬的支撑层的厚度大于半导体衬底的厚度。金属层的厚度小于半导体衬底的厚度。整个刚硬的支撑层可以由单独的晶体硅材料或多晶硅材料制成。单独的晶体硅材料或多晶硅材料可以由回收的硅晶圆制成。使用回收的硅晶圆的好处在于节省成本。

公开(公告)号：CN109473414B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201810989030.8

申请日：2018-08-28

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  徐范锡 ,  赵原震 ,  鲁军

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‐氧化物‐半导体场效应晶体管(MOSFET)、一个连接杆、一个金属块、多个垫片、多个引线和一个成型封装。成型封装包装了第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个MOSFET，连接杆和多个垫片。金属块的底面从成型封装中裸露出来。IPM的制备工艺包括制备第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个MOSFET、连接杆、多个引线、金属块和多个垫片，并且利用成型工艺制备成型封装。

公开(公告)号：CN107768368B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201710672834.0

申请日：2017-08-08

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密

IPC: H01L27/02

Abstract: 在一个公共芯片上的MOSFET和静电放电(ESD)保护器件，包括一个带有源极、栅极和漏极的MOSFET，以及一个ESD保护器件，用于实现二极管功能，偏置后防止电流通过公共芯片从源极流至漏极。

公开(公告)号：CN111694392B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202010121970.2

申请日：2020-02-26

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 理查德·施密茨

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明涉及一种开关稳压控制器及配置参数优化方法。其中，用于多相位开关稳压器的控制器，包括配置一个误差放大器，产生表示反馈电压和参考电压之间差值的误差信号；配置一个回路运算器，根据驱动功率级的误差信号，产生控制信号；以及配置一个动态相位管理控制电路，根据输入电流、输入电压、输出电流和输出电压产生功率效率值。根据第一电流信号和功率效率值，动态相位管理控制电路产生相位选择信号，表示要激活的第一数量的功率级。相位选择信号提供给回路运算器，以便激活第一数量的功率级。

公开(公告)号：CN110120422B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201910045713.2

申请日：2019-01-17

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 雷燮光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底、一个第二导电类型的本体区、一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，形成在本体区中的一个轻掺杂源极区和一个重掺杂源极区，以及一个沟槽接头，延伸到形成在接触沟槽中的本体区。制备一个第二导电类型的接触注入物，包围着接触沟槽的底部以及接触沟槽的侧壁部分，在接触沟槽的侧壁部分，它与轻掺杂源极区相接触，形成一个PN结。

公开(公告)号：CN109244125B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201810695537.2

申请日：2018-06-28

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 薛宏勇 ,  张磊 ,  布莱恩·肖尔 ,  克里斯托弗·威比 ,  李文军

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及引入外延层场阑区的反向传导IGBT及其制备方法。提供的一种反向传导的绝缘栅双极晶体管RC‑IGBT，包括一个具有基极区的半导体本体，半导体本体中引入一个场阑区，其中基极区和场阑区都利用外延工艺制成。另外，外延层场阑区由改良掺杂结构构成，实现了半导体器件改良的软切换性能。在可选实施例中，含有外延层场阑区的RC‑IGBT器件，仅使用正面处理的制备工艺即可实现，以制备背部接触区和正面器件区。制备方法利用正面处理制备RC‑IGBT器件，制备背部接触区，然后利用晶圆结合工艺，在载体晶圆上翻转半导体结构，以便再次通过正面处理，制备器件区。

公开(公告)号：CN108695379B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201810217491.3

申请日：2018-03-16

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  史宁

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/732

Abstract: 本发明提供一种高浪涌双向瞬态电压抑制器。将一种瞬态电压抑制器（TVS）配置成一个NPN双极晶体管，包括单独优化的集电极‑基极和发射极‑基极结，都带有雪崩模式击穿。TVS器件利用一个含有轻掺杂基极区的基极制成，基极区的边界由一对较重掺杂的基极区构成。两个更加重掺杂的基极区用于构成集电极‑基极结和发射极‑基极结，都作为雪崩击穿结。集电极‑基极和发射极‑基极掺杂区之间的轻掺杂基极区确保TVS器件中的低漏电流。在这种情况下，本发明所述的TVS双极晶体管提供带有鲁棒钳位的高浪涌保护，同时确保低漏电流。

公开(公告)号：CN107768439B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201710672810.5

申请日：2017-08-08

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 大卫·谢里丹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/20

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)氮化镓(GaN)双向闭锁器件包括一个异质结结构，包括两个不同带隙的第一半导体层和第二半导体层相交接，从而将交界面层制成一个二维电子气(2DEG)层。HEMT GaN双向闭锁器件还包括一个第一源极/漏极电极和一个第二源极/漏极电极，位于所述的异质结结构上方的栅极电极的两个对边上，用于控制2DEG层中第一和第二源极/漏极电极之间的电流，其中栅极电极与第一源极/漏极电极相距第一距离，与第二源极/漏极电极相距第二距离，第一距离不同于第二距离。

公开(公告)号：CN108092496B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201711077175.2

申请日：2017-11-06

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 徐范锡 ,  赵原震 ,  松·德兰

IPC: H02M1/32 ,  H03K17/082

Abstract: 一种用于驱动电源开关的控制器，引入了一个保护电路，保护电源开关不受过电压或功率过冲等情况影响。保护电路包括一个故障检测电路和一个保护栅极驱动电路。配置故障检测电路监控电源开关上的电压，产生故障检测指示信号，配置保护栅极驱动电路，产生栅极驱动信号，根据检测到的故障情况，接通电源开关。确切地说，保护栅极驱动电路产生具有缓慢生效瞬变的栅极驱动信号，并在指定的栅极电压值下箝位。在这种情况下，保护电路配置电源开关有效箝位的栅极端，在过电压情况下安全地处理电源开关。

公开(公告)号：CN108258912B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201810065497.3

申请日：2015-09-11

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 林天麒 ,  陈佑民 ,  郑荣霈 ,  黄培伦

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明主要是关于电压转换的电子装置，是利用一个第二控制器实时感测用作功率切换的变压器的次级侧的输出电压或输出电流，而产生瞬态响应的控制信号，并利用耦合元件将第二控制器产生的控制信号传输到初级侧的第一控制器，藉由第一控制器产生用于功率切换的第一脉冲信号，来控制初级侧绕组的关断或导通。