公开(公告)号：CN103811446B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210459713.5

申请日：2012-11-15

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 潘华 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  鲁明朕 ,  牛志强 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC: H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明涉及一种封装有金属片的半导体器件中铜线键接的结构及其制作方法，通过键接金线在芯片表面的第二镀层上形成一个金的凸块，以增加覆盖在第一镀层上方、作为铜线键接缓冲层的厚度，因此，在焊接金属片和芯片时的高温回流焊过程中，能够有效防止下方镍的第一镀层扩散到上方金的第二镀层及凸块上，从而在铜线键接至凸块上时保证铜线连接的可靠性。并且，当便清洗由于助焊剂挥发在芯片表面产生的污染物。因此，本发明能够有效解决铜线键接时的NSOP第一焊点问题，保证半导体器件的产品质量。

公开(公告)号：CN110880496A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910831938.0

申请日：2019-09-04

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  徐范锡 ,  鲁军 ,  陈松 ,  洪完基 ,  沈国兵 ,  曾小光 ,  玛丽·简·艾琳

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种电机用模制智能电源模块(IPM)，其具有第一、第二、第三和第四芯片基座，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接构件，低电压集成电路，高电压集成电路，多根引线和成型封装。第一晶体管固定在第一芯片基座。第二晶体管固定在第二芯片基座。第三晶体管固定在第三芯片基座。第四、第五和第六晶体管固定在第四芯片基座。低电压和高电压集成电路固定在连接构件。成型封装封入第一、第二、第三和第四芯片基座，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接构件以及低电压和高电压集成电路。该智能电源模块具有较之于比传统型智能电源模块更低的结壳热阻(RthJC)。

公开(公告)号：CN104851867B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201510315743.2

申请日：2011-12-27

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  鲁明朕 ,  薛彦迅 ,  霍炎 ,  潘华 ,  连国锋 ,  鲁军 ,  何约瑟

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种引线框架，更确切的说，本发明旨在提供一种应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架。本发明提供了铝合金混合材料中各基本材料的种类及其比例关系，以及利用该混合材料所制备的铝合金引线框架。并先在引线框架上电镀一层第一金属电镀层，然后再在第一金属电镀层上电镀第二金属电镀层和第三金属电镀层。将镀有第一、第二、第三金属电镀层的引线框架用来完成芯片粘贴、引线键合和塑封工艺等制造流程。完成塑封工艺之后，还需要在第三金属电镀层裸露在塑封材料之外的区域上电镀第四金属电镀层。

公开(公告)号：CN117457632A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311201708.9

申请日：2019-03-14

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  张光铭 ,  陈霖 ,  孙宁 ,  黄启洪 ,  陆子信

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H02M3/335 ,  H02M1/44

Abstract: 一种配置在印刷电路板(PCB)上的高压转换器包括一个双扩散金属氧化物半导体(DMOS)封装，DMOS封装由一个引线框和一个主DMOS芯片构成。引线框包括一个电连接到主DMOS芯片栅极电极的栅极段，一个电连接到主DMOS芯片的源极电极的源极段以及一个电连接到主DMOS芯片的漏极电极的漏极段。PCB布局包括一个大面积的源极铜垫和一个小面积的漏极铜垫，大面积的源极铜垫连接到DMOS封装的源极段，并重叠源极段，有利于散热，小面积的漏极铜垫连接到并重叠DMOS封装的漏区，以降低电磁干扰(EMI)噪声。

公开(公告)号：CN108962884B

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN201810392566.1

申请日：2018-04-27

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  徐范锡 ,  鲁军 ,  赵原震

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/06 ,  H01L23/31

Abstract: 一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET、拉杆、集成电路IC、多个引线和一个模塑封装。第一个MOSFET连接到第一个芯片焊盘上。第二个MOSFET连接到第二个芯片焊盘上。第三个MOSFET连接到第三个芯片焊盘上。第四、第五和第六个MOSFET连接到第四个芯片焊盘上。IC连接到拉杆上。模塑封装包装第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和低的六个MOSFET、拉杆和IC。智能电源模块具有小外形封装。减少了系统的设计时间，提高了可靠性。IC包括升压二极管。减小了智能电源模块的封装尺寸。

公开(公告)号：CN107958901B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201710248384.2

申请日：2017-04-17

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 徐范锡 ,  牛志强 ,  赵原震 ,  胡照群 ,  陈松 ,  步俊明

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/495

Abstract: 一种智能电源模块具有第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压IC、高压IC、第一、第二和第三升压二极管、多个引脚和一个模压封装。第一晶体管连接到第一芯片焊盘上。第二晶体管连接到第二芯片焊盘上。第三晶体管连接到第三芯片焊盘上。第四、第五和第六晶体管连接到第四芯片焊盘上。低压和高压IC连接到连接杆。模压封装包围着第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压IC、高压IC、第一、第二和第三升压二极管。本发明与现有的智能电源模块相比，具有减小顶表面积以及引脚数量的优点。

公开(公告)号：CN111341734A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201911271514.X

申请日：2019-12-12

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 张晓天 ,  薛彦迅 ,  王隆庆 ,  何约瑟 ,  牛志强

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明的半导体封装具有多根支柱或部分多根带状引脚、多个半导体器件、一个或两个塑封层以及多个电气互连。半导体封装不包括A电线和夹子。应用一特定方法，制作半导体封装。该方法包括：提供可拆卸载体；形成多根支柱或多根带状引脚；固定多个半导体器件；形成一个或两个塑封层；形成多个电气互连并拆除可拆卸载体。该方法可进一步包括切割分离过程。

公开(公告)号：CN107958902B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201710891139.3

申请日：2017-09-27

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 徐范锡 ,  牛志强 ,  赵原震 ,  陈松 ,  步俊明

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/49

Abstract: 一种电源模块具有一个引线框、一个第一电源芯片、一个第二电源芯片、多个单列直插式引线、一个栅极驱动和保护集成电路（IC）、多个接合引线以及一个成型封装。第一和第二电源芯片贴在引线框的顶面上。多个单列直插式引线具有一个高压电源引线、一个低压电源引线以及多个信号控制引线。低压电源引线具有一个引线部分和一个外延部分。栅极驱动和保护IC贴在低压电源引线的外延部分。成型封装密封第一和第二电源芯片、低压电源引线的外延部分、栅极驱动和保护IC、多个接合引线以及至少一大部分引线框。

公开(公告)号：CN108962884A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810392566.1

申请日：2018-04-27

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 牛志强 ,  徐范锡 ,  鲁军 ,  赵原震

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/06 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L27/06

Abstract: 一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET、拉杆、集成电路IC、多个引线和一个模塑封装。第一个MOSFET连接到第一个芯片焊盘上。第二个MOSFET连接到第二个芯片焊盘上。第三个MOSFET连接到第三个芯片焊盘上。第四、第五和第六个MOSFET连接到第四个芯片焊盘上。IC连接到拉杆上。模塑封装包装第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和低的六个MOSFET、拉杆和IC。智能电源模块具有小外形封装。减少了系统的设计时间，提高了可靠性。IC包括升压二极管。减小了智能电源模块的封装尺寸。

公开(公告)号：CN103811446A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210459713.5

申请日：2012-11-15

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 潘华 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  鲁明朕 ,  牛志强 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC: H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明涉及一种封装有金属片的半导体器件中铜线键接的结构及其制作方法，通过键接金线在芯片表面的第二镀层上形成一个金的凸块，以增加覆盖在第一镀层上方、作为铜线键接缓冲层的厚度，因此，在焊接金属片和芯片时的高温回流焊过程中，能够有效防止下方镍的第一镀层扩散到上方金的第二镀层及凸块上，从而在铜线键接至凸块上时保证铜线连接的可靠性。并且，当便清洗由于助焊剂挥发在芯片表面产生的污染物。因此，本发明能够有效解决铜线键接时的NSOP第一焊点问题，保证半导体器件的产品质量。