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公开(公告)号:CN118771384A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410894414.7
申请日:2024-07-04
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
IPC: C01B33/02 , C01B21/064
Abstract: 本发明属于无机非金属材料设备技术领域,公开了一种用于生产气相硅的复合材料及其制备方法、装置及方法,用于生产气相硅的复合材料为核壳结构,其中,核壳结构的内核为硅颗粒,核壳结构的外壳采用氮化硼外壳。生产气相硅的方法,包括如下过程:将本发明如上所述的用于生产气相硅的复合材料于真空下加热至1700~1800℃,使氮化硼外壳,气相硅产生。本发明中,由于是氮化硼外壳破裂后,硅颗粒直接气化生成气相硅,因此可利用硅饱和气压与环境温度正相关关系调控气相硅的产生速率,因此本发明有效的避免了现有技术中气相硅的产生量和速率无法控制,过大会造成制品炸裂的问题。
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公开(公告)号:CN114438362A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202210190641.2
申请日:2022-02-28
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
IPC: C22C1/05 , C22C21/00 , C22C32/00 , C22C29/06 , C22C47/14 , C22C47/02 , C22C47/04 , C22C49/06 , C22C49/14 , B22F1/14 , B22F3/10 , C01B32/184 , C01B32/956 , C22C101/14
Abstract: 本发明公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法,采用高温碳热还原法去除碳化硅原料表层的SiO2氧化层,并通过真空环境下的高温退火工艺让SiC原料表层的Si原子逃逸出SiC原料表层,使得剩余的碳原子重新组合形成少层石墨烯,通过高温退火温度和时间工艺调控石墨烯层数,石墨烯能够阻止氧原子与内层碳化硅接触,防止高脆性、低热导率的SiO2氧化层形成,进而显著提高铝基碳化硅复合材料中碳化硅与铝合金的界面接触性能,获得综合物理性能优异的铝基碳化硅复合材料。本发明方法能够制备碳化硅体积百分比在30~70%范围内连续变化的铝基碳化硅复合材料,实现铝基碳化硅复合材料的密度、热导率和力学性能在较大范围内连续变化,适应多种应用需求。
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公开(公告)号:CN111992832B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202010880961.1
申请日:2020-08-27
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铝碳化硅水冷齿板的制备方法,采用高压锻造法,在高温高压下将多孔碳化硅预制体浸透在铝合金的熔融金属中,控制浸渗压力和保压时间,冷却后脱模得到厚度3~7mm的铝碳化硅复合体;选用含镁元素的铝合金,控制铝水熔炼温度和模具温度,利用高压锻造法制备铝合金水冷齿板;采用焊接方式将制备的铝碳化硅复合体与制备的铝合金水冷齿板进行连接制成铝碳化硅水冷齿板。本发明通过焊接的方式将齿柱和铝碳化硅复合体平板底座连接,解决了传统工艺漏齿断齿的问题,焊接强度高,焊接孔洞率低,体现了本发明工艺的优越性。
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公开(公告)号:CN113560541A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110791847.6
申请日:2021-07-13
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
Abstract: 本发明提出了一种铝碳化硅大功率LED散热器及其制备方法,包括:配料、球磨混合、造粒,进行原材料预处理得到造粒粉;造粒粉通过冷等静压技术成型碳化硅陶瓷预制件;将成型好的碳化硅预制件进行烧结;ZL101A铝合金熔炼得到铝合金熔液;通过真空压力熔渗法,将碳化硅陶瓷预制件放入钢制模具中,在真空环境下,采用高压惰性气体,在一定温度下,将熔融的铝合金熔液压入碳化硅陶瓷预制体孔隙中,进行热处理,制备出铝碳化硅铸件;对铝碳化硅成品进行表面金属化镀覆工艺处理,形成铝碳化硅大功率LED散热器。该方法避免了工序复杂、设备昂贵、生产周期长以及耗能高的缺点,并且还具有产品致密,性能优异,操作简单和成本低的优点,适用范围广。
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公开(公告)号:CN113462995A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110708260.4
申请日:2021-06-24
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
IPC: C22C47/12 , C22C47/02 , C22C49/06 , C22C49/14 , B22D18/02 , C22F1/04 , C25D5/44 , C25D3/12 , C23C18/32 , C23C28/02 , C22C101/14
Abstract: 本发明提供一种高比刚度铝碳化硅结构件的制备方法,将碳化硅颗粒和碳化硅晶须按照比例进行配料,在碳化硅颗粒中添加一定量的碳化硅晶须,有效提高碳化硅生坯强度及韧性,含有碳化硅晶须的预制件浸渗铝合金溶液后成型的铝碳化硅复合材料铸件具有高比刚度、比强度以及耐磨性;在预热的模具中加入混合粉料并进行堆积、震实、灌铝的方法,减少了碳化硅预制件压制、烧结成型的两道工序,采用填粉灌铝的工艺不受产品结构的限制,加工尺寸增大,避免了高体分铝碳化硅机加工序,简化了工艺流程,提高产能,降低成本,提高良品率,缩短生产周期。本发明还提供一种高比刚度铝碳化硅结构件,产品致密,性能优异,适用范围广。
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公开(公告)号:CN113097153A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110354276.X
申请日:2021-03-31
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/373 , B22D23/04 , C04B35/565 , C04B35/634 , C04B35/636
Abstract: 本发明提供一种铝碳化硅热沉基板制备方法,制备碳化硅粉料和胶体,将碳化硅粉料加至胶体中进行造粒,采用热等静压方式,对造粒粉施加设定压力和温度,经过设定保压烧结时间后得到碳化硅陶瓷预制体;采用真空压力溶渗法,将碳化硅陶瓷预制体放入浸渗炉中,在真空环境下施加高压惰性气体,在碳化硅陶瓷预制体表面浸渗铝合金溶液,得到铝碳化硅铸件;通过超声波振动切削进行机加,再表面金属化镀覆处理,得到铝碳化硅热沉基板。本发明还提供一种由上述铝碳化硅热沉基板制备方法制得的铝碳化硅热沉基板。本发明通过热等静压、真空压力溶渗、超声波振动切削机加、表面金属化镀覆处理,提高了铝碳化硅热沉基板的体积分数、致密度、热导率和稳定性。
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公开(公告)号:CN112806613A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202110078540.1
申请日:2021-01-20
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有纳米银的多孔陶瓷制备方法和多孔陶瓷,将纳米银添加到碳化硅原料中,经过混合、成型以及特殊的高温烧结制备工艺,制成含纳米银的碳化硅多孔陶瓷制品,本多孔陶瓷具有过滤分离、杀菌消毒和导电功能,除了适用于各种介质的精密过滤、分离,还可以通电加热、杀菌消毒,具有广泛的市场应用前景。本发明还提供一种电子烟雾化芯及具有其的电子烟,利用具有纳米银的多孔陶瓷的特性,通过其大量的开口贯通孔径对流体介质进行吸附过滤,实现存储烟油,且利用纳米银进行杀菌消毒,最后通过其导电功能,通电加热后将烟油气雾化,具有安全无毒、杀菌消毒、结构小型化的优势。
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公开(公告)号:CN118851728A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410894422.1
申请日:2024-07-04
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
IPC: C04B35/043 , C04B35/628
Abstract: 本发明属于耐火材料微结构调控技术领域,公开了一种碱性耐火材料用镁砂骨料及制备方法,碱性耐火材料用镁砂骨料为核壳结构,包括内核和包覆于内核外部的外壳,其中,内核为镁砂,外壳为镁铝钛尖晶。本发明碱性耐火材料用镁砂骨料具有独特的镁铝钛尖晶石包覆镁砂颗粒的核壳结构,利用壳结构镁铝钛尖晶石与碳质材料(如石墨、沥青、酚醛树脂、活性碳等)的高温惰性反应,因此避免了碳质材料与镁砂颗粒的高温氧化还原反应,从而遏制了因碳损失和镁损失而引起的热学性能下降现象,提高了碱性耐火材料的服役寿命。
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公开(公告)号:CN116656992A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310641217.X
申请日:2023-05-31
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属铝基氧化铝‑碳化硅新型复合材料及其制备方法,该金属铝基氧化铝‑碳化硅新型复合材料的主要成分包括:氧化铝‑碳化硅基多孔陶瓷和铝合金,氧化铝‑碳化硅基多孔陶瓷:铝合金的体积百分比为(50~70):(30~50),体积分数大于等于99.5%,密度小于3.5g/cm3,三点抗弯强度大于280MPa,导热系数大于75W/m·K,热膨胀系数小于7.5ppm/K。其中,铝合金为ZL101系列;氧化铝‑碳化硅基多孔陶瓷的气孔率为30%~50%,氧化铝‑碳化硅基多孔陶瓷的三点抗弯强度为2‑5MPa。本发明不仅降低了金属/陶瓷界面热阻,而且提高了器件的支撑性、稳定性和散热效率,降低了热变形量,同时为电子封装中‑低热管理散热材料领域的提供了更多、更优的选择。
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公开(公告)号:CN115044842A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202210733675.1
申请日:2022-06-24
Applicant: 珠海亿特立新材料有限公司
IPC: C22C47/12 , C22C47/02 , C22C49/06 , C22C49/14 , B22D18/02 , C22F1/04 , C25D5/44 , C25D3/12 , C23C18/32 , C23C28/02 , C22C101/14
Abstract: 本发明提供一种制备高比刚度铝碳化硅结构件的生产系统,包括球磨装置、制粉装置、熔炼装置、热压振动装置和后处理装置,将碳化硅颗粒和碳化硅晶须按照比例进行配料,在碳化硅颗粒中添加一定量的碳化硅晶须,有效提高碳化硅生坯强度及韧性,含有碳化硅晶须的预制件浸渗铝合金溶液后成型的铝碳化硅复合材料铸件具有高比刚度、比强度以及耐磨性。
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