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公开(公告)号：CN107958911A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710954283.7
申请日：2017-10-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , PMD科技股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224
CPC classification number: G01S7/4914 , G01S7/4915 , G01S17/36 , H01L27/14603 , H04N13/257 , H01L27/1443 , H01L31/022408
Abstract: 一种用于检测电磁信号的飞行时间的光学传感器装置，包括半导体衬底，半导体衬底具有将电磁信号的至少一部分转换为光生电荷载流子的转换区。深控制电极形成在延伸到半导体衬底中的沟槽中。深控制电极比浅控制电极更深地延伸到半导体衬底中。控制电路被配置为向深控制电极和浅控制电极施加彼此具有固定的相位关系的变化的电位，以产生转换区中的电位分布，通过电位分布引导转换区中的光生电荷载流子。在至少一个读出节点处检测被引导的电荷载流子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107958911B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201710954283.7
申请日：2017-10-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , PMD科技股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224
Abstract: 一种用于检测电磁信号的飞行时间的光学传感器装置，包括半导体衬底，半导体衬底具有将电磁信号的至少一部分转换为光生电荷载流子的转换区。深控制电极形成在延伸到半导体衬底中的沟槽中。深控制电极比浅控制电极更深地延伸到半导体衬底中。控制电路被配置为向深控制电极和浅控制电极施加彼此具有固定的相位关系的变化的电位，以产生转换区中的电位分布，通过电位分布引导转换区中的光生电荷载流子。在至少一个读出节点处检测被引导的电荷载流子。
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公开(公告)号：CN109696787A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811240351.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , PMD科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及自适应发射光控制。一种装置，具有发射光功率/能量监测器和控制器，发射光功率/能量监测器被配置为监测由光源发射的光的发射功率/能量，控制器被配置为基于发射光功率/能量以及基于时间的发射光功率/能量阈值来确定和控制最大发射光时间。
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公开(公告)号：CN107958914A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710954261.0
申请日：2017-10-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , PMD科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , G01S17/89
CPC classification number: H01L27/14609 , G01S7/4914 , G01S17/08 , G01S17/36 , H01L23/481 , H01L27/14636 , H01L31/02024 , H01L31/02325 , H01L31/101 , H01L27/14603 , G01S17/89 , H01L27/14683 , H01L31/0232
Abstract: 本文提供了光学传感器器件及制造光学传感器器件的方法。一种光学传感器器件包括：包括用于将电磁信号转换为光生电荷载流子的转换区域的半导体衬底；被配置为读出光生电荷载流子的第一部分的读出节点；形成在延伸到半导体衬底中的沟槽中的控制电极；以及在半导体衬底中的掺杂区域，其中掺杂区域邻近于沟槽，并且其中掺杂区域的掺杂类型不同于读出节点，其中掺杂区域的掺杂浓度使得掺杂区在操作期间保持耗尽。
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公开(公告)号：CN109696787B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811240351.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , PMD科技股份有限公司
IPC: G01S7/481 , G01S17/10 , G01S7/484 , G01S7/497 , G01J1/18 , G01J1/42 , G01J1/44 , G01J1/46 , H05B45/12 , G03B7/083 , H05B47/105 , G03B7/093
Abstract: 本公开的实施例涉及自适应发射光控制。一种装置，具有发射光功率/能量监测器和控制器，发射光功率/能量监测器被配置为监测由光源发射的光的发射功率/能量，控制器被配置为基于发射光功率/能量以及基于时间的发射光功率/能量阈值来确定和控制最大发射光时间。
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公开(公告)号：CN107958914B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710954261.0
申请日：2017-10-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , PMD科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , G01S17/89
Abstract: 本文提供了光学传感器器件及制造光学传感器器件的方法。一种光学传感器器件包括：包括用于将电磁信号转换为光生电荷载流子的转换区域的半导体衬底；被配置为读出光生电荷载流子的第一部分的读出节点；形成在延伸到半导体衬底中的沟槽中的控制电极；以及在半导体衬底中的掺杂区域，其中掺杂区域邻近于沟槽，并且其中掺杂区域的掺杂类型不同于读出节点，其中掺杂区域的掺杂浓度使得掺杂区在操作期间保持耗尽。
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