压电装置、力传感器、及生物体信息获取装置

    公开(公告)号:CN116249882A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202180063854.2

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 压电装置具备:第1压电传感器,其具有第1内部导体、第1压电体、第1外部导体;第2压电传感器,其具有第2内部导体、第2压电体、第2外部导体;和差动信号形成部,其具有一对差动输入端子。对于第1压电传感器而言,若外力作用于第1压电体,则与由外力导致的第1压电体的位移相应地,相对于第1外部导体而使第1内部导体中产生第1电压。对于第2压电传感器而言,若外力作用于第2压电体,则与由外力导致的第2压电体的位移相应地,相对于第2外部导体而使第2内部导体中产生电压的正负与第1电压不同的第2电压。第1内部导体电连接于一个差动输入端子。第2内部导体电连接于另一个差动输入端子。差动信号形成部基于输入至前述一个差动输入端子的第1信号及输入至前述另一个差动输入端子的第2信号而形成差动信号。

    高分子压电膜
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107078208B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201580059650.6

    申请日:2015-10-16

    Abstract: 高分子压电膜,其包含重均分子量为5万~100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A),对于所述高分子压电膜而言,利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc为3.5~15.0,利用在线膜厚计测得的表示膜的宽度方向的位置与膜的厚度的关系的波形中,每1000mm膜宽的下述峰A的个数为20个以下。峰A:峰高为1.5μm以上,并且,峰斜率为0.000035以上。

    高分子压电膜
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107078208A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201580059650.6

    申请日:2015-10-16

    Abstract: 高分子压电膜,其包含重均分子量为5万~100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A),对于所述高分子压电膜而言,利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc为3.5~15.0,利用在线膜厚计测得的表示膜的宽度方向的位置与膜的厚度的关系的波形中,每1000mm膜宽的下述峰A的个数为20个以下。峰A:峰高为1.5μm以上,并且,峰斜率为0.000035以上。

Patent Agency Ranking