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公开(公告)号：CN107533283B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201680023233.0
申请日：2016-04-11
Abstract: 本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。
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公开(公告)号：CN107533283A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023233.0
申请日：2016-04-11
CPC classification number: G03F1/24 , C09J7/38 , G03F1/54 , G03F1/60 , G03F1/62 , G03F1/64 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F1/82
Abstract: 本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。
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公开(公告)号：CN112088334B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980017088.9
申请日：2019-03-01
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明提供抑制了从粘接层产生释气的防护膜组件。防护膜组件(100)具有：防护膜(101)；支撑上述防护膜的支撑框(103)；设置于上述支撑框的突起部(105)；设置于上述突起部的第1粘接层(107)；以及无机物层，上述无机物层与上述第1粘接层相比设置在上述防护膜所处的一侧。上述无机物层可以包含第1无机物层(109)，上述第1无机物层(109)设置于上述第1粘接层中作为与上述防护膜交叉的方向的侧面的、上述防护膜所处一侧的第1侧面(121)。
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公开(公告)号：CN111919171B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980022551.9
申请日：2019-03-15
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种支撑框，其能够设置能够装卸地设置了过滤器的通气孔，粘贴极端紫外光光刻用的防护膜。本发明的一实施方式的支撑框是用于配置防护膜的支撑框，具备：贯通孔，其具有在与上述防护膜的面方向大致平行的第一方向上延伸的孔以及在与上述第一方向相交的第二方向上延伸的孔；以及过滤器，其设于上述贯通孔的内部或上述贯通孔的端部，并且从上述防护膜离开地配置。
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公开(公告)号：CN117270313A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311217869.7
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , C01B32/168 , C01B32/17 , B82Y40/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109416503B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780038819.9
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , C01B32/162
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、半导体装置的制造方法。一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向。
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公开(公告)号：CN110325908A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880012953.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明提供EUV透射性高、释气少、污染少的EUV用防护膜组件及其制造方法。防护膜组件(100)的特征在于，具有防护膜(101)、支撑框(103)以及第1粘接层(109)，所述第1粘接层(109)设置于支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部，在第1粘接层的沿与防护膜面交叉的方向且处于吊挂防护膜一侧的侧面具有无机物层(111)，上述无机物层的质量吸收系数(μm)为5×103cm2/g～2×105cm2/g的范围。
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公开(公告)号：CN105229776B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201480028625.7
申请日：2014-05-20
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24 , G03F1/62
Abstract: 本发明的课题在于提供一种EUV透过性高且不易受到由热引起的损伤，进一步强度高的防护膜组件。为了达成所述课题而提供如下防护膜组件，其包括：波长550nm的光的折射率n为1.9～5.0的防护膜，以及贴附了所述防护膜的防护膜组件框。所述防护膜在组成中包含30摩尔％～100摩尔％的碳及0摩尔％～30摩尔％的氢。所述防护膜的拉曼光谱中的2D带与G带的强度比(2D带的强度/G带的强度)为1以下，或者2D带与G带的强度分别为0。
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