公开(公告)号：CN101365816B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200780001938.3

申请日：2007-08-30

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 松浦宜范 ,  附田龙马 ,  占部宏成 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C23C14/16 ,  G02F1/13439 ,  G02F2203/02 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12736

Abstract: 本发明涉及反射型显示器，提供具有优异的反射特性且能与ITO和IZO等透明电极层直接接合的反射膜用铝类合金材料。本发明的在铝中含有镍和硼的反射膜用Al-Ni-B合金材料的特征在于，镍含量为1.5at％～4at％，硼含量为0.1at％～0.5at％，其余为铝。此外，进一步优选镍含量为1.5at％～3at％，硼含量为0.1at％～0.4at％。

公开(公告)号：CN101375378A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003110.1

申请日：2007-10-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 占部宏成 ,  松浦宜范 ,  久保田高史

IPC: H01L21/3205 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53219 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有薄膜晶体管的显示装置中的可与n+－Si等半导体层直接接合的Al系合金配线材料。本发明的铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料的特征在于，含有氮(N)。较好的是该氮含量为2×1017原子/cm3以上但不足9×1021原子/cm3。较好的是该Al系合金配线材料在镍的组成比例定义为x原子％、硼的组成比例定义为y原子％、铝的组成比例定义为z原子％、x+y+z＝100时，满足0.5≤x≤10.0、0.05≤y≤11.00、y+0.25x≥1.00、y+1.15x≤11.50各式，其余部分含有氮。

公开(公告)号：CN101090985A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001532.0

申请日：2006-03-30

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 占部宏成 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请的发明提供在具备薄膜晶体管及透明电极层的显示器件中，能够与ITO或IZO等的透明电极层直接接合，同时还能够与n+－Si等半导体层直接接合的Al系合金布线材料。本申请的发明的Al合金布线材料中，将镍含量设为镍的原子百分率Xat％，硼含量设为硼的原子百分率Yat％时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.00.05≤Y≤11.0Y+0.25X≥1.0Y+1.15X≤11.5。

公开(公告)号：CN101365816A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200780001938.3

申请日：2007-08-30

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 松浦宜范 ,  附田龙马 ,  占部宏成 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C23C14/16 ,  G02F1/13439 ,  G02F2203/02 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12736

Abstract: 本发明涉及反射型显示器，提供具有优异的反射特性且能与ITO和IZO等透明电极层直接接合的反射膜用铝类合金材料。本发明的在铝中含有镍和硼的反射膜用Al－Ni－B合金材料的特征在于，镍含量为1.5at％～4at％，硼含量为0.1at％～0.5at％，其余为铝。此外，进一步优选镍含量为1.5at％～3at％，硼含量为0.1at％～0.4at％。

公开(公告)号：CN101375378B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200780003110.1

申请日：2007-10-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 占部宏成 ,  松浦宜范 ,  久保田高史

IPC: H01L21/3205 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53219 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有薄膜晶体管的显示装置中的可与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金配线材料。本发明的铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料的特征在于，含有氮(N)。较好的是该氮含量为2×1017原子/cm3以上但不足9×1021原子/cm3。较好的是该Al系合金配线材料在镍的组成比例定义为x原子％、硼的组成比例定义为y原子％、铝的组成比例定义为z原子％、x+y+z＝100时，满足0.5≤x≤10.0、0.05≤y≤11.00、y+0.25x≥1.00、y+1.15x≤11.50各式，其余部分含有氮。

公开(公告)号：CN100564560C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680001532.0

申请日：2006-03-30

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 占部宏成 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请的发明提供在具备薄膜晶体管及透明电极层的显示器件中，能够与ITO或IZO等的透明电极层直接接合，同时还能够与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金布线材料。本申请的发明的Al合金布线材料中，将镍含量设为镍的原子百分率Xat%，硼含量设为硼的原子百分率Yat%时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.0；0.05≤Y≤11.0；Y+0.25X≥1.0；Y+1.15X≤11.5。

公开(公告)号：CN101390215A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006638.4

申请日：2007-08-08

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 占部宏成 ,  松浦宜范 ,  久保田高史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供在n+－Si等半导体层和Al系合金层直接接合时可防止Al和Si的互相扩散，可维持欧姆特性，可确保Al系合金层本身的低电阻特性的元件的接合结构。本发明是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，该元件的接合结构的特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。该Si的氮含量为1×10A18～5×1021原子/cm3。