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公开(公告)号：CN1250766C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01800183.1
申请日：2001-03-06
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0005 , C23C14/06 , C23C14/0688 , C23C14/22 , C23C14/3464
Abstract: 本发明涉及一种制造包括两种或更多种金属或非金属以及它们的化合物的复合材料的方法，具体而言，本发明涉及将分散材料很均匀地分散在复合材料的基材中，而适用性不依赖于复合材料组成的制造方法。本发明的特点是将构成基材的金属或非金属或它们的化合物的基材原料和构成分散材料的金属或非金属或它们的化合物的至少一种分散材料的原料同时或交替蒸发，蒸发的颗粒沉积在一底材上形成块状物体。
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公开(公告)号：CN1479802A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02803266.7
申请日：2002-09-12
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: C23C14/14 , C23C14/34 , C22C21/00 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/14 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L21/2855 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H05K1/09 , Y10T428/12736
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有与ITO膜同等水平的电极电位、不存在硅扩散、电阻率低、耐热性优异的铝合金薄膜。本发明的含碳铝合金薄膜的特征是，含有0.5～7.0at％的选自镍、钴、铁的至少一种以上的元素和0.1～3.0at％的碳，余分为铝。更好的是本发明的铝合金薄膜中还含有0.5～2.0at％的硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1362998A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01800183.1
申请日：2001-03-06
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0005 , C23C14/06 , C23C14/0688 , C23C14/22 , C23C14/3464
Abstract: 本发明涉及一种制造包括两种或更多种金属或非金属以及它们的化合物的复合材料的方法,具体而言,本发明涉及将分散材料很均匀地分散在复合材料的基材中,而适用性不依赖于复合材料组成的制造方法。本发明的特点是将构成基材的金属或非金属或它们的化合物的基材原料和构成分散材料的金属或非金属或它们的化合物的至少一种分散材料的原料同时或交替蒸发,蒸发的颗粒沉积在一底材上形成块状物体。
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公开(公告)号：CN1179061C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN02118135.7
申请日：2002-04-19
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
Abstract: 提供一种铝合金靶材的制造技术。它能够容易地使铝母相中的铝-碳相无大的偏析，微细析止。在该铝中含碳的铝系合金靶材的制造方法中，将铝投入碳坩埚中，加热至1600℃-2500℃，将铝熔化，在碳坩埚中生成铝-碳合金，使该熔液冷却凝固，由此形成铝-碳相均匀微细地分散在铝母相中的铝-碳合金。或者，将该铝-碳合金再熔化，加入镁等添加元素，搅拌后进行铸造。
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公开(公告)号：CN1320169A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN00801709.3
申请日：2000-08-10
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/06 , C23C14/14
Abstract: 本发明的目的是提供一种即使经过300～400℃热处理后也无小丘发生且电阻率在7μΩcm以下的耐热性、低电阻铝合金薄膜及能够形成具有上述特性的铝合金薄膜的溅射靶材。本发明的铝合金薄膜的特征在于,含有作为合金成分的铝、碳及镁,以碳的原子百分率为Yat%、镁的原子百分率为Xat%,则碳及镁的含量为由式X=0.61、X=8、Y=2、Y=－0.13X+1.3所包围范围内的量,余量为铝及不可避免的杂质。另外,本发明的用于形成铝合金薄膜的溅射靶材的特征在于,构成靶材的成分为铝、碳、镁及不可避免的杂质,碳及镁的量为由上述各式所包围范围内的量,余量为铝及不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN100507068C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN02803266.7
申请日：2002-09-12
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: C23C14/14 , C23C14/34 , C22C21/00 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/14 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L21/2855 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H05K1/09 , Y10T428/12736
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有与ITO膜同等水平的电极电位、不存在硅扩散、电阻率低、耐热性优异的铝合金薄膜。本发明的含碳铝合金薄膜的特征是，含有0.5～7.0at%的选自镍、钴、铁的至少一种以上的元素和0.1～3.0at%的碳，余分为铝。更好的是本发明的铝合金薄膜中还含有0.5～2.0at%的硅。
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公开(公告)号：CN1138011C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN00801709.3
申请日：2000-08-10
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/06 , C23C14/14
Abstract: 本发明的目的是提供一种即使经过300～400℃热处理后也无小丘发生且电阻率在7μΩcm以下的耐热性、低电阻铝合金薄膜及能够形成具有上述特性的铝合金薄膜的溅射靶材。本发明的铝合金薄膜的特征在于，含有作为合金成分的铝、碳及镁，以碳的原子百分率为Yat%、镁的原子百分率为Xat%，则碳及镁的含量为由式X＝0.61、X＝8、Y＝2、Y＝-0.13X+1.3所包围范围内的量，余量为铝及不可避免的杂质。另外，本发明的用于形成铝合金薄膜的溅射靶材的特征在于，构成靶材的成分为铝、碳、镁及不可避免的杂质，碳及镁的量为由上述各式所包围范围内的量，余量为铝及不可避免的杂质。
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