公开(公告)号：CN113013184B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202011186699.7

申请日：2020-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋永 ,  金毅烈 ,  白铉敏 ,  李廷好 ,  丁英宇 ,  郑熙根

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。

公开(公告)号：CN113013184A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011186699.7

申请日：2020-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋永 ,  金毅烈 ,  白铉敏 ,  李廷好 ,  丁英宇 ,  郑熙根

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。

公开(公告)号：CN111584464A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201911145205.8

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金毅烈 ,  金善贤 ,  朴喜雨

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/98 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括顺序堆叠的第一子芯片和第二子芯片以及将第一子芯片和第二子芯片彼此电连接的贯通接触部。第一子芯片和第二子芯片中的每一个子芯片包括衬底和介于衬底之间的多个互连线。第二子芯片的互连线可以包括分别具有第一开口和第二开口的第一互连线和第二互连线，第一开口和第二开口彼此水平偏移。贯通接触部从第二子芯片的衬底朝第一子芯片延伸并可以包括辅助接触部，辅助接触部穿过第一开口和第二开口朝第一子芯片延伸，并具有比第一子芯片的互连线中的最上互连线的顶表面高的底表面。