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公开(公告)号：CN112599657A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011037720.7
申请日：2020-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：在第一方向上延伸的导电线；在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，磁性线与导电线交叉；以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。
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公开(公告)号：CN101751989B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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公开(公告)号：CN101964440B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010194822.X
申请日：2010-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03B15/006 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。
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公开(公告)号：CN102569642A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110404641.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。
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公开(公告)号：CN101770803A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910263619.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , Y10T29/49069
Abstract: 本发明公开了一种磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法。磁结构包括第一部分和多个第二部分。第一部分沿第一方向延伸。多个第二部从第一部分的端部开始沿第二方向延伸。第一方向和第二方向彼此垂直。在所述磁结构中形成有沿彼此相反的方向磁化的两个磁畴以及于位于磁畴之间的磁畴壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101751989A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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公开(公告)号：CN112599657B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202011037720.7
申请日：2020-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：在第一方向上延伸的导电线；在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，磁性线与导电线交叉；以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。
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公开(公告)号：CN112397641B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010818608.0
申请日：2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：第一单元阵列结构，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。
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公开(公告)号：CN119342840A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410956853.6
申请日：2024-07-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 皮雄焕 , 斯图尔特·帕普沃斯·帕金 , 田在春 , 金载根 , 安德里亚·米格里里尼
Abstract: 一种磁存储器件包括：下磁轨道层，在第一方向上延伸并且包括多个第一磁畴；间隔物层，在下磁轨道层上并且在第一方向上延伸；上磁轨道层，在间隔物层上并且在第一方向上延伸，上磁轨道层包括多个第二磁畴；以及多个读取单元，在上磁轨道层上并且在第一方向上彼此分开布置，其中，所述多个第一磁畴和所述多个第二磁畴在沿垂直于第一方向的第二方向彼此重叠的位置处具有彼此平行的磁化方向。
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公开(公告)号：CN119339756A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410956774.5
申请日：2024-07-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 皮雄焕 , 斯图尔特·帕普沃斯·帕金 , 安德里亚·米格里里尼 , 田在春
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种操作磁存储器设备的方法包括：(i)将第一电流施加到磁隧道结结构的自由层，所述磁隧道结结构包括在第一磁垫与第二磁垫之间延伸的磁转换单元(MTU)以及堆叠在所述MTU上的隧道势垒层和钉扎层，使得在所述MTU内建立多畴，(ii)向自由层施加磁场，使得MTU的磁化方向切换为变得与第一磁垫和第二磁垫的磁化方向反平行，(iii)向自由层施加第二电流，使得多畴的一部分渗透到第一磁垫中，以及(iv)向自由层施加另一磁场，使得第一磁垫的磁化方向切换为变得与第二磁垫的磁化方向反平行。
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