公开(公告)号：CN109994362B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201811515532.3

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承宰 ,  南宫铉 ,  李泰宗 ,  金善政 ,  金周妍 ,  吹上纪明 ,  岩崎征英 ,  反田雄太

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开提供了一种半导体处理室。半导体处理室包括：基座，多个晶片设置在基座上；喷头结构，与基座相对并设置为与基座间隔开；多个板，与基座相对并设置为与基座间隔开；以及阻挡结构，设置在多个板之中的彼此相邻设置的板之间，其中，喷头结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离，并且阻挡结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离。

公开(公告)号：CN109994362A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811515532.3

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 白承宰 ,  南宫铉 ,  李泰宗 ,  金善政 ,  金周妍 ,  吹上纪明 ,  岩崎征英 ,  反田雄太

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开提供了一种半导体处理室。半导体处理室包括：基座，多个晶片设置在基座上；喷头结构，与基座相对并设置为与基座间隔开；多个板，与基座相对并设置为与基座间隔开；以及阻挡结构，设置在多个板之中的彼此相邻设置的板之间，其中，喷头结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离，并且阻挡结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离。