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公开(公告)号：CN119698059A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410955717.5
申请日：2024-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括有源区域；栅极结构，其位于所述衬底上；多个沟道层，其在所述有源区域上彼此间隔开并且被所述栅极结构围绕；源极/漏极区域，其在所述栅极结构的至少一侧位于所述有源区域凹陷的区域中并且连接到所述多个沟道层；以及接触插塞，其使所述源极/漏极区域从所述源极/漏极区域的上表面部分地凹陷、电连接到所述源极/漏极区域、并且包括沿着所述源极/漏极区域的凹陷表面的金属半导体化合物层和位于所述金属半导体化合物层上的接触导电层，其中，所述金属半导体化合物层在所述接触导电层的侧表面上具有第一厚度并且在所述接触插塞的底表面上具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。
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公开(公告)号：CN110875305B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201910783932.0
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D89/10 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件可包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，横跨有源图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极图案，在有源图案上并与栅电极的一侧相邻；有源接触件，在暴露源极/漏极图案的接触孔中；绝缘图案，填充设置有有源接触件的接触孔的剩余空间；第一通孔，在有源接触件上；以及第二通孔，在栅电极上。有源接触件可包括填充接触孔的下部的第一段以及从第一段垂直地突出的第二段。第一通孔连接到第二段。绝缘图案在第一方向上与第二通孔相邻。
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公开(公告)号：CN117219566A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310232297.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。例如，半导体器件可以包括介电结构、以及第一导电结构和第二导电结构。介电结构可以包括围绕第一导电结构的第一介电层和围绕第二导电结构的第二介电层。第一介电层可以包括在第一导电结构之间的第一介入物。第二介电层可以包括在第二导电结构之间的第二介入物。第一介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第一介入物的顶表面朝向第一介入物的底表面减小。第二介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第二介入物的顶表面朝向第二介入物的底表面增加。第一介电层和第二介电层可以包括不同的介电材料。
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公开(公告)号：CN116913916A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310306078.5
申请日：2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上沿第一水平方向延伸，并且包括在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区、以及在第二水平方向上彼此间隔开的第三有源区和第四有源区；分别在第一至第四有源区上的第一至第四源/漏区；分别连接到第一至第四源/漏区的第一至第四接触插塞；第一隔离绝缘图案，设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间；以及第二隔离绝缘图案，设置在第三接触插塞和第四接触插塞之间，其中，在竖直方向上，第一隔离绝缘图案的第一长度小于第二隔离绝缘图案的第二长度。
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公开(公告)号：CN115939207A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210664011.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/417
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源区域和第二有源区域，位于基底上；第一有源图案和第二有源图案，位于第一有源区域上和第二有源区域上；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，位于第一有源图案和第二有源图案上；第一硅化物图案和第二硅化物图案，位于第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案上；以及第一有源接触件和第二有源接触件，结合到第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案。第一有源接触件的最下面的部分位于比第二有源接触件的最下面的部分的水平高的水平处。第一硅化物图案的厚度大于第二硅化物图案的厚度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106918927A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611165925.7
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02B5/008 , G02F1/19 , G02F1/292 , G02F1/2955 , G02F2202/30 , G02F2203/12 , G02F1/0102 , G02F1/0121
Abstract: 本公开提供包括介质天线的光调制器件以及光学装置。一种光调制器件包括介质天线和折射率可变层，该折射率可变层面对介质天线并包括具有根据信号而变化的折射率的材料。由于介质天线的共振特性根据折射率可变层的折射率变化来控制，所以光可以被调制。
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公开(公告)号：CN111162386B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910405504.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01Q23/00 , G01S7/481 , G01S17/08 , G01S17/931 , G02F1/29
Abstract: 提供了一种波束扫描装置，包括：多个天线谐振器，在行方向和列方向上二维地设置；多个行电压线，被配置为在行方向上分别提供多个驱动电压；多个列电压线，被配置为在列方向上分别提供多个驱动电压；以及驱动电压转换电路，被配置为基于从多个行电压线中的每一个行电压线提供的行方向上的驱动电压以及从多个列电压线中的每一个列电压线提供的列方向上的驱动电压，控制被施加到多个天线谐振器中的每一个天线谐振器的驱动电压。
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公开(公告)号：CN112415737B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010086775.0
申请日：2020-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B26/06
Abstract: 提供了一种光调制器件，包括：可变反射镜，该可变反射镜包括多个栅格结构，所述多个栅格结构包括折射率基于材料的温度而变化的材料；分布式布拉格反射镜，该分布式布拉格反射镜与可变反射镜间隔开且设置在可变反射镜上方，该分布式布拉格反射镜包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，并且第一材料层的折射率与第二材料层的折射率不同；以及加热部，该加热部被配置为加热所述多个栅格结构并且与分布式布拉格反射镜相对地设置在可变反射镜下方。
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公开(公告)号：CN116389928A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211723107.X
申请日：2022-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于对场景成像的方法和系统。该方法包括生成快门图案并将该快门图案应用于光电探测器阵列。该系统包括三维传感器架构，其中传感器架构的元件堆叠成两层或更多层。传感器结构的一些元件包括光电探测器阵列、寄存器阵列、生成快门图案的生成器、读出电路和ISP。
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