公开(公告)号：CN112086515A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010500249.4

申请日：2020-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔恩憓 ,  姜承模 ,  金正泽 ,  梁炆承 ,  柳宗烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：绝缘层，位于基底上；沟道半导体图案，堆叠在绝缘层上并且彼此竖直地间隔开；栅电极，与沟道半导体图案交叉；源/漏区，分别处于栅电极的两侧处并且通过沟道半导体图案彼此连接，源/漏区具有凹入的底表面；以及气隙，位于绝缘层与源/漏区的底表面之间。

公开(公告)号：CN112018179B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010096134.3

申请日：2020-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜承模 ,  梁炆承 ,  柳宗烈 ,  李始炯 ,  张星旭 ,  崔恩憓

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。

公开(公告)号：CN112018179A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010096134.3

申请日：2020-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜承模 ,  梁炆承 ,  柳宗烈 ,  李始炯 ,  张星旭 ,  崔恩憓

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。

公开(公告)号：CN112071911A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010361342.1

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩憓 ,  姜承模 ,  金容丞 ,  金正泽 ,  崔珉姬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸并且围绕第一布线图案，栅电极包括在第二方向上与鳍型图案叠置的第一部分以及与栅电极的除了所述第一部分之外的其余部分对应的第二部分。