公开(公告)号：CN110600551A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910505912.7

申请日：2019-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  崔珉姬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的多个有源图案。该半导体器件可以包括限定所述多个有源图案的器件隔离层、与所述多个有源图案交叉延伸的栅电极、以及在有源图案上的源极/漏极图案。所述多个有源图案可以包括第一有源图案和第二有源图案。源极/漏极图案包括在第一有源图案上的第一部分、在第二有源图案上的第二部分、以及从第一部分延伸并沿着第一有源图案的上部延伸的第三部分。器件隔离层包括在源极/漏极图案之下在第一有源图案的侧壁上的第一外部区段。第三部分的底表面的最低水平可以低于第一外部区段的顶表面的最高水平。

公开(公告)号：CN109904161B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201811311113.8

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李峭蒑 ,  金锡勋 ,  梁裕信 ,  李承勋 ,  崔珉姬

IPC: H10B10/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时限定的第一角边缘。该第二半导体图案覆盖第一半导体图案的第一面和第二面并暴露第一角边缘。

公开(公告)号：CN114628500A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111116770.9

申请日：2021-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正泽 ,  金锡勋 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  郑㥠珍 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：多沟道有源图案；多个栅极结构，位于所述多沟道有源图案上并在第一方向上彼此间隔开，所述多个栅极结构包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极凹陷，位于相邻的所述栅极结构之间；以及源极/漏极图案，在所述源极/漏极凹陷中位于所述多沟道有源图案上，其中，所述源极/漏极图案包括：半导体衬垫层，包括硅锗并沿着所述源极/漏极凹陷延伸；半导体填充层，包括硅锗并位于所述半导体衬垫层上；以及至少一个半导体插入层，位于所述半导体衬垫层和所述半导体填充层之间，其中，所述至少一个半导体插入层具有鞍结构。

公开(公告)号：CN112530944A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010643649.0

申请日：2020-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承烈 ,  金容丞 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  徐东灿 ,  梁炆承 ,  郑谞珍 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一方向延伸；多个半导体图案，与鳍型有源区的上表面分开设置，所述多个半导体图案均包括沟道区；栅电极，围绕所述多个半导体图案，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且包括主栅电极和子栅电极，其中所述主栅电极设置在所述多个半导体图案中的最上方半导体图案上并在第二方向上延伸，且所述子栅电极设置在多个半导体图案之间；第一间隔结构，设置在所述主栅电极的两个侧壁上；以及源极区/漏极区，与所述多个半导体图案相连，设置在所述栅电极的两侧，并接触所述间隔结构的底表面。

公开(公告)号：CN112071911A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010361342.1

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩憓 ,  姜承模 ,  金容丞 ,  金正泽 ,  崔珉姬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸并且围绕第一布线图案，栅电极包括在第二方向上与鳍型图案叠置的第一部分以及与栅电极的除了所述第一部分之外的其余部分对应的第二部分。

公开(公告)号：CN109427778B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201810993514.X

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金东明 ,  申东石 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  张星旭 ,  赵南奎 ,  崔珉姬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。

公开(公告)号：CN114639734A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111326140.4

申请日：2021-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑㥠珍 ,  高到贤 ,  金锡勳 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下图案和多个片图案；栅极结构，设置在下图案上并且围绕多个片图案；以及源极/漏极图案，填充源极/漏极凹陷并且形成在栅极结构的至少一侧上。源极/漏极图案包括沿着源极/漏极凹陷延伸并且接触下图案的第一半导体图案以及依次地设置在第一半导体图案上的第二半导体图案和第三半导体图案，第三半导体图案的下表面设置在最下面的片图案的下表面下方，第三半导体图案的侧表面包括平面部分，并且在第三半导体图案的下表面上的第二半导体图案的厚度与在第三半导体图案的侧表面的平面部分上的第二半导体图案的厚度不同。

公开(公告)号：CN114078948A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110534075.8

申请日：2021-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉姬 ,  赵槿汇 ,  姜明吉 ,  金锡勳 ,  金洞院 ,  朴判贵 ,  申东石

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，在基底上沿着第一水平方向；器件隔离层，位于鳍型有源区的相对的侧壁上；栅极结构，沿着与第一水平方向交叉的第二水平方向，栅极结构位于鳍型有源区上并位于器件隔离层上；以及源极/漏极区，位于鳍型有源区上，源极/漏极区与栅极结构相邻并包括顺序地堆叠在鳍型有源区上的外阻挡层、内阻挡层和主体层，并且外阻挡层和主体层中的每个包括Si1‑xGex层，其中，x≠0，并且内阻挡层包括Si层。

公开(公告)号：CN110752259A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910594266.6

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  姜明一 ,  慎居明 ,  李承勋 ,  李正允 ,  崔珉姬 ,  崔正鍲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/167 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。

公开(公告)号：CN107039507A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611034830.1

申请日：2016-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  姜明吉 ,  文康薰 ,  李峭蒑 ,  郑秀珍 ,  崔珉姬 ,  许洋 ,  申东石 ,  李宽钦 ,  郑会晟

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316

Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。