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公开(公告)号：CN110028969B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号：CN108110144B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201711176209.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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公开(公告)号：CN110018591A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811553215.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 公开层状结构体和包括其的电子装置，所述层状结构体包括：包括量子点聚合物复合物的光致发光层；设置在所述光致发光层上的光吸收层，所述光吸收层包括吸收性滤色材料；以及设置在所述光致发光层和所述光吸收层之间的含硅的层，其中所述量子点聚合物复合物包括第一聚合物基体和分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点，和所述多个量子点吸收激发光并且以比所述激发光的波长长的波长发射光；和所述吸收性滤色材料分散在第二聚合物基体中，且所述吸收性滤色材料吸收通过所述光致发光层的所述激发光并且透射从所述多个量子点发射的光。
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公开(公告)号：CN108102640B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201711175767.8
申请日：2017-11-22
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C07C391/00 , C07F3/08 , B82Y20/00 , G03F7/004 , G03F7/027 , B32B17/06 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/30 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/16 , G02F1/13357
Abstract: 公开量子点、包括其的组合物或复合物、和包括其的装置。所述量子点包括半导体纳米晶体颗粒和结合至所述半导体纳米晶体颗粒的表面的配体。所述配体包括第一配体和第二配体。所述第一配体包括由化学式1表示的化合物且所述第二配体包括由化学式2表示的化合物，其中M、n和A与说明书中定义的相同；和其中，R1、L1、Y1、R、k1和k2与说明书中定义的相同。化学式1MAn化学式2
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公开(公告)号：CN110028969A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点-聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110028963B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201910027235.2
申请日：2019-01-11
IPC: C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/02 , H10K59/50 , H10K59/12 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开量子点、量子点‑聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II‑V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳
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公开(公告)号：CN108089399B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711176831.4
申请日：2017-11-22
IPC: G03F7/004 , G03F7/033 , G02F1/1335
Abstract: 公开了光敏性树脂组合物、复合物、层合结构体、以及包括其的显示装置和电子装置，所述光敏性树脂组合物包括(A)光转换材料；(B‑1)包含金属的化合物；(C)能光聚合的单体；(D)光聚合引发剂；和(E)溶剂，其中所述包含金属的化合物包括*‑S‑M‑S‑*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构；所述复合物包括其中分散有光转换材料的聚合物基体，其中所述聚合物基体包括*‑S‑M‑S‑*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构和酯连接基团；所述层合结构体包括所述复合物；所述显示装置包括所述层合结构体。
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公开(公告)号：CN108089399A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711176831.4
申请日：2017-11-22
IPC: G03F7/004 , G03F7/033 , G02F1/1335
CPC classification number: C09K11/70 , C09K11/025 , G02B6/0053 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , G02F1/133617 , G02F2001/133614 , G03F7/004 , G02F1/133528 , G03F7/033
Abstract: 公开了光敏性树脂组合物、复合物、层合结构体、以及包括其的显示装置和电子装置，所述光敏性树脂组合物包括(A)光转换材料；(B-1)包含金属的化合物；(C)能光聚合的单体；(D)光聚合引发剂；和(E)溶剂，其中所述包含金属的化合物包括*-S-M-S-*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构；所述复合物包括其中分散有光转换材料的聚合物基体，其中所述聚合物基体包括*-S-M-S-*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构和酯连接基团；所述层合结构体包括所述复合物；所述显示装置包括所述层合结构体。
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公开(公告)号：CN107722184A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710684626.2
申请日：2017-08-11
IPC: C08F265/02 , C08F222/14 , C08F2/48 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08K5/37 , C08K3/16 , C09K11/70 , C09K11/02
CPC classification number: C09K11/08 , C01P2004/03 , C01P2004/60 , C01P2004/62 , C09K11/025 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/34 , H01L33/502 , H01L2924/0001 , H01L2933/0033 , C08F265/02 , C08F2/48 , C08K3/16 , C08K3/30 , C08K3/32 , C08K5/37 , C08K2003/168 , C08K2003/3036 , C09K11/02 , C09K11/703 , C08F222/14
Abstract: 公开量子点聚集体颗粒、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子装置。所述量子点聚集体颗粒包括多个量子点、多价金属化合物、和在其末端处具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物，其中所述量子点聚集体颗粒的尺寸在约20纳米-10微米的范围内。
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公开(公告)号：CN113388391B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110277216.2
申请日：2021-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置，其中，量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体，在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，在量子点的UV‑Vis吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。
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