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公开(公告)号：CN107369754B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201710330399.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光转换装置、其制造方法、包括该光转换装置的光源模块以及包括光转换装置的背光单元。光转换装置包括：框架，通过该框架，入射光从光源接收并且转换的光从光转换装置发射，该框架包括开口和围绕开口的壁，通过该开口，从光源接收第一颜色的光，并且从该开口，第二颜色的光从光转换装置发射；基板，在开口中并由壁支撑；光转换层，设置在基板上并从光源接收第一颜色的光，光转换层包括将第一颜色的光转换成第二颜色的光的光转换颗粒；第一无机层，设置在光转换层上；以及第一有机层，设置在第一无机层上。
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公开(公告)号：CN106893136B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201611165946.9
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供量子点‑聚合物微粉化复合物、其制造方法、以及包括其的制品和电子器件。所述量子点‑聚合物微粉化复合物包括：第一聚合物基体；分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点；以及选自如下的添加剂的至少一种：嵌入所述第一聚合物基体中的粘土颗粒和分散在所述第一聚合物基体中的金属卤化物，其中所述量子点‑聚合物微粉化复合物具有小于或等于约100微米的平均粒度。
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公开(公告)号：CN103372431A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310051521.5
申请日：2013-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J27/25 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/66 , B01J23/72 , B01J27/135 , B01J35/004 , B01J37/0081 , B01J37/30 , C01B3/042 , C02F1/30 , C02F1/4672 , C02F1/725 , C02F2101/30 , C02F2303/04 , C02F2305/10 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02W10/37
Abstract: 本发明涉及对可见光敏感的光催化剂、其制法及含其的分解池和系统。所述对可见光敏感的光催化剂由通过异质结结合的至少两种金属氧化物的复合物组成，其中各金属氧化物包括具有nd10的电子排布的金属，其中n是3、4或5，其中所述金属之间的键具有小于所述金属之间的范德华距离的长度，其中所述复合物具有约1.0eV到约2.5eV的带隙能量。
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公开(公告)号：CN101051584A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200610153699.0
申请日：2006-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种场发射型背光单元及其制备方法。该场发射型背光单元包括：下基板；形成在下基板上的多个阴极电极；线形地形成在下基板和阴极电极上的多个绝缘层；形成在绝缘层上的多个门电极；以及由电子发射材料形成的至少一个发射器，形成在绝缘层之间的每个阴极电极上。
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公开(公告)号：CN110797467B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910715926.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发光器件、其制造方法和包括其的显示设备。所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间并且包括多个纳米颗粒的电子辅助层，其中所述纳米颗粒包括包含锌的金属氧化物，其中所述第二电极具有面对所述电子辅助层的表面的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，所述发光器件包括设置在所述第二表面的至少一部分和所述电子辅助层的所述表面的至少一部分上的聚合物层，其中所述聚合物层包括包含如下的单体组合的聚合产物：具有至少一个硫醇基团的硫醇化合物、和具有至少两个碳‑碳不饱和键的不饱和化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858632B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910785624.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , B82Y30/00 , C09K11/54 , C09K11/56 , C09K11/88
Abstract: 公开量子点器件和量子点。所述量子点包括：芯，所述芯包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体；和设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，其中所述量子点具有大于10nm的平均颗粒尺寸，其中所述量子点不包括镉，和其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于约430nm且小于或等于约470nm的波长范围内。
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公开(公告)号：CN112442371B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN107768541B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201710710708.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子器件以及包括该电子器件的显示装置。一种电子器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；包含多个量子点的发射层，其中发射层设置在第一电极和第二电极之间；第一电荷辅助层，设置在第一电极和发射层之间；以及光学功能层，设置在第二电极上且在与发射层相反的一侧，其中第一电极包括反射电极，其中第二电极是光透射电极，其中光学功能层和第一电极之间的区域包括微腔结构，并且光学功能层的折射率大于或等于第二电极的折射率。
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公开(公告)号：CN108865109A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447024.X
申请日：2018-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , B82Y30/00 , C09K11/025
Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。
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公开(公告)号：CN108110144A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711176209.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/703 , C09K11/883 , C09K2211/188 , G02B6/005 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0092 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041 , H01L51/0077 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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